公开(公告)号：KR1019940010155B1

公开(公告)日：1994-10-22

申请号：KR1019910006554

申请日：1991-04-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  심재기 ,  박성주 ,  박경호

IPC: H01L21/205

Abstract: The system controls the flow of the hidride gases (AsH 3, PH 3) and the organic metal gases (trimethyl galuim, trimethyl aluminum) used for manufacturing epitaxy thin film by CBE/ALE method. The gas supply system comprises a gas storage chamber (1) supplying the hidride gas at a regular pressure by use of pressure controllers (8,32,34); a gas control chamber (2) controlling the gas flow mass at automatic pressure controllers(12,24) by feeding back signals of pressure devices (14,26); a subsystem (3) for closing the gas from the gas control chamber (2): a subsystem (4) controlling the pressure and passageway of the gas.

Abstract translation: 该系统通过CBE / ALE方法控制用于制造外延薄膜的载气（AsH 3，PH 3）和有机金属气体（三甲基galuim，三甲基铝）的流动。 气体供给系统包括通过使用压力控制器（8,32,34）在常规压力下供应氮气的气体储存室（1）。 气体控制室（2），通过反馈压力装置（14,26）的信号来控制自动压力控制器（12,24）处的气体流量; 用于从气体控制室（2）关闭气体的子系统（3）：控制气体的压力和通道的子系统（4）。

公开(公告)号：KR1019940010154B1

公开(公告)日：1994-10-22

申请号：KR1019910006553

申请日：1991-04-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성주 ,  심재기 ,  박경호 ,  유병수

IPC: H01L21/00

Abstract: The system exhausts reactive toxic gas, manages a high vacuum state to prevent a thin film from being polluted, and performs a real time analysis of the thin film in the process of the CBE/ALE growth. The vacuum system comprises a long manipulator (11) equipped on one side of a load lock/analysis chamber (B) in order to transfer a base plate; gate valves (5,13,7,12) for preventing pollution between the growth chamber and the load lock/analysis chamber (B); a turbo molecular pump (5) connected to the chamber (A); an suction pump (13)/an ion pump (14) connected to the chamber (B); a titanium pump (8).

Abstract translation: 该系统排除反应性有毒气体，管理高真空状态，防止薄膜受到污染，并对CBE / ALE生长过程中的薄膜进行实时分析。 该真空系统包括一个装在锁定/分析室（B）的一侧上的长操纵器（11），以便传送一个底板; 用于防止生长室和负载锁定/分析室（B）之间的污染的闸阀（5,13,​​7,12）; 连接到所述室（A）的涡轮分子泵（5）; 连接到所述室（B）的抽吸泵（13）/离子泵（14）; 钛泵（8）。

公开(公告)号：KR1019940017024A

公开(公告)日：1994-07-25

申请号：KR1019920025000

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  박효훈

IPC: H01S5/125

Abstract: 반도체 기판상에 n형 하부 DBR 거울층, n형 스페이서, 활성층, p형 스페이서, p형 접촉층 및 상부 DBR 거울층을 차례로 적층하는 공정과, 소정 패턴의 포토레지스트를 상부 DBR 거울층상에 형성한 다음 포토레제스트를 마스크로 사용하여 이외의 노출된 부분을 순차적으로 p형 접촉층의 표면까지 식각하는 공정과, 포토레지스트를 마스크로 사용하여 이온주입으로 포토레지스트의 하부 이외의 영역에만 이온이 주입되게 하는 공정과, p형 접촉층의 표면과 포토지제스트가 형성된 상부 DBR 거울층의 측면에 p형 전극을 형성하고 아울러 기판의 배면에 n형 전극을 형성한 것이다.

公开(公告)号：KR1019920020609A

公开(公告)日：1992-11-21

申请号：KR1019910006554

申请日：1991-04-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  심재기 ,  박성주 ,  박경호

IPC: H01L21/205

Abstract: 내용 없음