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公开(公告)号：KR1020070097284A
公开(公告)日：2007-10-04
申请号：KR1020060098638
申请日：2006-10-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/0676 , H01L28/40 , H01L49/003
Abstract: A voltage regulation system using abrupt MIT is provided to regulate a voltage and adjust a voltage regulation range by changing the resistance of an MIT insulator. A voltage regulation system includes an input power source(110), a series resistor connected in series to the input power source, and an MIT(Metal-Insulator Transition) insulator(122) connected in series to the series resistor for undergoing abrupt MIT such that a range of a voltage output from the MIT insulator varies depending upon resistance of the series resistor. A first electrode(124) is disposed on one side of the MIT insulator, and is connected to the input power source. A second electrode(126) is disposed on the other side of the MIT insulator, and is connected to the series resistor.
Abstract translation: 提供使用突发MIT的电压调节系统来调节电压并通过改变MIT绝缘体的电阻来调整电压调节范围。 电压调节系统包括输入电源（110），与输入电源串联连接的串联电阻器和串联连接到串联电阻器的MIT（金属 - 绝缘体转换）绝缘体（122），用于经历突发MIT，例如 来自MIT绝缘体的输出电压的范围根据串联电阻器的电阻而变化。 第一电极（124）设置在MIT绝缘体的一侧，并连接到输入电源。 第二电极（126）设置在MIT绝缘体的另一侧，并连接到串联电阻器。
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公开(公告)号：KR100624391B1
公开(公告)日：2006-09-18
申请号：KR1020040103662
申请日：2004-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 플라즈마 원자층 증착법(PEALD))을 이용한 알루미늄 실리케이트(알루미늄과 실리콘 산화물) 박막 형성 방법에 관한 것으로, 알루미늄 산화물과 실리콘 산화물의 증착 사이클을 1:1, 1:2, 1:3과 같이 작은 정수비로 제어하므로써 상호 촉매작용에 의해 증착속도가 향상되고 사이클 바에 따라 실리콘의 함량이 조절될 수 있다. 150 ℃ 이하의 저온에서도 우수한 특성을 나타내며, 알루미늄 산화물을 이용하는 경우보다 플라스틱 기판과 무기물 박막 간의 잔류응력이 적으며, 열팽창 계수도 낮다. 또한, 알루미나 산화물보다 식각속도가 빠르기 때문에 폴리실리콘이나 금속박막에 대해 높은 식각 선택비를 갖는다.
알루미늄 실리케이트, 플라즈마 원자층 증착법, 사이클, 증착속도, 잔류응력-
公开(公告)号：KR100599135B1
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020040103668
申请日：2004-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 반도체 트랜지스터의 게이트 절연막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 형성된 완충층과, 상기 완충층의 상부에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층의 상부에 형성되며, 적어도 하나의 층을 가지는 알루미늄-실리케이트층을 포함함으로써, 제어 불가능한 계면 산화막을 감소시켜 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있으며, 실시간으로 조성 기울기를 갖는 단일막 형성이 가능하므로 유전상수를 비롯한 여러 변인들을 효율적으로 제어할 수 있는 효과가 있다.
반도체 트랜지스터, 게이트 절연막, 알루미늄-실리케이트층, 완충층, 반도체층, 플라즈마 원자층 증착(PEALD)-
公开(公告)号：KR100599123B1
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020040103686
申请日：2004-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/318 , H01L33/12 , H01S5/30
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 소정 두께의 Al
x O
y N
z (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1) 완충층을 증착하는 단계와, 열처리를 수행한 후 소정 두께의 단결정 반도체층을 성장하는 단계를 포함함으로써, 종래의 저온 GaN 및 AlN 층을 이용한 성장법에 비해 ALE로 성장된 완충층의 조성 및 밀도 제어를 통하여 기판과의 격자 부정합 및 열팽창계수 차이를 감소시켜 질화물 반도체의 특성을 높일 수 있는 효과가 있다.
질화물 반도체, 사파이어 기판, 원자층 에피택시(ALE), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD), 완충층, 단결정 반도체층-
公开(公告)号：KR1020060064967A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040103662
申请日：2004-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 플라즈마 원자층 증착법(PEALD))을 이용한 알루미늄 실리케이트(알루미늄과 실리콘 산화물) 박막 형성 방법에 관한 것으로, 알루미늄 산화물과 실리콘 산화물의 증착 사이클을 1:1, 1:2, 1:3과 같이 작은 정수비로 제어하므로써 상호 촉매작용에 의해 증착속도가 향상되고 사이클 바에 따라 실리콘의 함량이 조절될 수 있다. 150 ℃ 이하의 저온에서도 우수한 특성을 나타내며, 알루미늄 산화물을 이용하는 경우보다 플라스틱 기판과 무기물 박막 간의 잔류응력이 적으며, 열팽창 계수도 낮다. 또한, 알루미나 산화물보다 식각속도가 빠르기 때문에 폴리실리콘이나 금속박막에 대해 높은 식각 선택비를 갖는다.
알루미늄 실리케이트, 플라즈마 원자층 증착법, 사이클, 증착속도, 잔류응력-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050066061A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097263
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B82Y30/00
Abstract: 본 발명은 폴리실리콘층 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 발명이다. 특히 Wurtzite-ZnO 버퍼층을 이용한 폴리실리콘층 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 발명이다.
본 발명은 기판 위에 Wurtzite-ZnO 막인 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 위에 실리콘층을 형성하는 단계, 및 상기 실리콘층을 폴리실리콘층으로 재결정화하는 단계를 포함하는 폴리실리콘층 형성 방법을 제공한다. 바람직하게, 폴리실리콘층 형성 방법은 버퍼층을 형성한 후에, 부도체인 배리어층을 형성하는 단계를 추가적으로 포함한다. 또한 이를 박막 트랜지스터 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 플라스틱, 금속 호일, 유리 등 다소 열에 약한 기판 상에 버퍼층을 형성하고 그 위에서 고온을 요하는 재결정화 공정을 성공적으로 수행할 수 있게 한다는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR100460841B1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：KR1020020064524
申请日：2002-10-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/308 , C23C16/45529 , C23C16/45542 , C23C16/50 , H01L21/02175 , H01L21/02274 , H01L21/3145 , H01L21/31616
Abstract: A method for forming a nitrogen-containing oxide thin film by using plasma enhanced atomic layer deposition is provided. In the method, the nitrogen-containing oxide thin film is deposited by supplying a metal source compound and oxygen gas into a reactor in a cyclic fashion with sequential alternating pulses of the metal source compound and the oxygen gas, wherein the oxygen gas is activated into plasma in synchronization of the pulsing thereof, and a nitrogen source gas is further sequentially pulsed into the reactor and activated into plasma over the substrate in synchronization with the pulsing thereof. According to the method, a dense nitrogen-containing oxide thin film can be deposited at a high rate, and a trace of nitrogen atoms can be incorporated in situ into the nitrogen-containing oxide thin film, thereby increasing the breakdown voltage of the film.
Abstract translation: 提供了一种通过使用等离子体增强的原子层沉积来形成含氮氧化物薄膜的方法。 在该方法中，通过将金属源化合物和氧气以循环方式向金属源化合物和氧气提供金属源化合物和氧气的顺序交替脉冲来沉积含氮氧化物薄膜，其中氧气被活化成 与其脉冲同步的等离子体，并且氮源气体进一步顺序地脉动进入反应器并与其脉冲同步地在衬底上激活成等离子体。 根据该方法，可以高速地沉积致密的含氮氧化物薄膜，并且可以在含氮氧化物薄膜中原位引入痕量的氮原子，由此增加薄膜的击穿电压。
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公开(公告)号：KR1020040038514A
公开(公告)日：2004-05-08
申请号：KR1020020067488
申请日：2002-11-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C09K11/84
Abstract: PURPOSE: A method for preparing a group 2 metal sulfide fluorescent layer doped with a lanthanide ion is provided, to control the concentration distribution of lanthanides for controlling the brightness and chromaticity of a fluorescent substance and to improve the mobility of a lanthanide ion and the crystallinity of a thin film. CONSTITUTION: The method comprises the step of depositing a group 2 metal sulfide and a lanthanide sulfide repeatedly in the cycle ratio of N:M by atomic layer deposition to form a group 2 metal sulfide fluorescent layer doped with a lanthanide ion. Also the method comprises the step of depositing a group 2 metal sulfide doped with a lanthanide ion and a group 2 metal sulfide not doped with a lanthanide ion alternatively. Plasma is operated when or after H2S is injected as a reaction gas. Preferably plasma is operated only in the cycle depositing the group 2 metal sulfide or the lanthanide sulfide. Preferably the group 2 metal sulfide is selected from CaS, BaS, MgS and SrS; and the lanthanide ion is selected from Ce, Pr, Gd, Eu and Sm.
Abstract translation: 目的：提供一种制备掺杂有镧系元素离子的2族金属硫化物荧光层的方法，以控制镧系元素的浓度分布，以控制荧光物质的亮度和色度，并提高镧系元素离子的迁移率和结晶度 的薄膜。 构成：该方法包括通过原子层沉积以N:M的循环比重复沉积第2族金属硫化物和镧系元素硫化物以形成掺杂有镧系元素离子的第2族金属硫化物荧光层的步骤。 此外，该方法包括沉积掺杂有镧系元素离子的2族金属硫化物和不掺杂镧系元素离子的第2族金属硫化物的步骤。 H2S作为反应气体时，等离子体运行。 优选地，等离子体仅在沉积第2族金属硫化物或镧系元素硫化物的循环中操作。 优选地，第2族金属硫化物选自CaS，BaS，MgS和SrS; 镧离子选自Ce，Pr，Gd，Eu和Sm。
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公开(公告)号：KR100409435B1
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1020020024990
申请日：2002-05-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an active layer of a semiconductor device is provided to prevent a problem arising from germanium segregation by forming a high density germanium segregation layer on an interface between silicon germanium and an oxide so that the germanium segregation layer is used as a channel of a metal oxide semiconductor(MOS) transistor after a heat treatment process. CONSTITUTION: A silicon germanium layer(22) and a silicon layer are sequentially formed on a semiconductor substrate(21). The silicon layer is oxidized to form the germanium segregation layer(22a) on the silicon germanium layer. A heat treatment process is performed to uniformly distribute germanium of the germanium segregation layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的有源层的方法，以通过在硅锗和氧化物之间的界面上形成高密度锗偏析层来防止由锗偏析引起的问题，从而锗偏析层被用作 在热处理工艺之后，金属氧化物半导体（MOS）晶体管的沟道。 构成：在半导体衬底（21）上依次形成硅锗层（22）和硅层。 硅层被氧化以在硅锗层上形成锗偏析层（22a）。 执行热处理工艺以均匀分布锗偏析层的锗。
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公开(公告)号：KR1020030086804A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：KR1020020024990
申请日：2002-05-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an active layer of a semiconductor device is provided to prevent a problem arising from germanium segregation by forming a high density germanium segregation layer on an interface between silicon germanium and an oxide so that the germanium segregation layer is used as a channel of a metal oxide semiconductor(MOS) transistor after a heat treatment process. CONSTITUTION: A silicon germanium layer(22) and a silicon layer are sequentially formed on a semiconductor substrate(21). The silicon layer is oxidized to form the germanium segregation layer(22a) on the silicon germanium layer. A heat treatment process is performed to uniformly distribute germanium of the germanium segregation layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的有源层的方法，以通过在硅锗和氧化物之间的界面上形成高密度锗分离层来防止由锗分离引起的问题，从而将锗分离层用作 通过热处理后的金属氧化物半导体（MOS）晶体管。 构成：在半导体衬底（21）上依次形成硅锗层（22）和硅层。 硅层被氧化以在硅锗层上形成锗偏析层（22a）。 进行热处理工艺以均匀分布锗分离层的锗。
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