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公开(公告)号：KR101737981B1
公开(公告)日：2017-05-22
申请号：KR1020110046309
申请日：2011-05-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 배성범
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/42
Abstract: 본발명은마이크로어레이형태의질화물발광소자및 그제조방법에관한것으로서, 상세하게는투명전극층으로사용되는투명산화막물질의열처리에저항변화특성에따라 1차투명전극층을이용하여미세발광영역을분리하고, 그분리된발광영역을 2차투명전극층을이용하여연결함으로써균일한전류분포특성을갖는다.
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公开(公告)号：KR101729653B1
公开(公告)日：2017-04-25
申请号：KR1020130166513
申请日：2013-12-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/737 , H01L29/20 , H01L29/205
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/41758 , H01L29/4236 , H01L29/66431 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/7786
Abstract: 본발명은질화물반도체소자에관한것으로관통비아홀들을갖는기판, 상기기판상에차례로적층되는제 1 및제 2 질화물반도체층들, 상기제 2 질화물반도체층상에제공되는드레인전극들및 소스전극들및 상기제 2 질화물반도체층상에제공되고, 상기드레인전극들상에제공되는상부비아홀들을갖는절연패턴을포함하고, 상기관통비아홀들은상기제 1 및제 2 질화물반도체층들내로연장되어상기소스전극들의하면을노출하는질화물반도체소자가제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体器件，其包括具有通孔的衬底，顺序地堆叠在衬底上的第一和第二氮化物半导体层，设置在第二氮化物半导体层上的漏极和源极， 2氮化物半导体层并且具有设置在漏电极上的上通路孔，通路孔延伸到第一和第二氮化物半导体层中以暴露源电极的下表面 提供氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：KR1020160049433A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020150067558
申请日：2015-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: 본발명은질화물계발광다이오드의제조방법에관한것으로, 기판상에순차적으로적층되는제 1 질화물반도체층, 활성층및 제 2 질화물반도체층을포함하는발광구조체를형성하는것, 상기마스크막들은서로연결되지않는고립된아일랜드형태로배치되어상기제 2 질화물반도체층을부분적으로노출하고, 상기발광구조체상에마스크막들을형성하는것, 및열처리공정을수행하여상기마스크막들에의해노출된상기제 2 질화물반도체층을식각하는것을포함하고, 상기발광구조체를형성하는것, 상기마스크막들을형성하는것, 및상기열처리공정을수행하는것은동일한장비내에서인-시츄방식(in-situ manner)으로수행되는질화물계발광다이오드의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氮化物基发光二极管的方法。 该方法包括：形成包括依次层叠在基板上的第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层的发光结构; 通过以彼此不连接的岛状形式设置的掩模膜部分曝光第二氮化物半导体层，并在发光结构上形成掩模膜; 并且通过进行热处理工艺来蚀刻由掩模膜暴露的第二氮化物半导体层，其中形成发光结构，形成掩模膜和进行热处理工艺是在原位进行的 方式在同一设备。
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公开(公告)号：KR101616156B1
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020120018591
申请日：2012-02-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812 , H01L21/338
Abstract: 본발명은질화물전자소자및 그제조방법에관한것으로서, 상세하게는갈륨(Gallium: Ga), 알루미늄(Aluminum: Al), 인듐(Indium: In) 등의 3족원소및 질소를포함하는 3족질화물(III-Nitride) 반도체전자소자에서사용되는반절연성질화갈륨(GaN)층의재성장기술(Epitaxially Lateral Over-Growth: ELOG)을통해다양한형태의질화물집적구조를동일기판위에구현할수 있는질화물전자소자및그 제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150077735A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166513
申请日：2013-12-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/737 , H01L29/20 , H01L29/205
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/41758 , H01L29/4236 , H01L29/66431 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/205 , H01L29/41725 , H01L29/49
Abstract: 본발명은질화물반도체소자에관한것으로관통비아홀들을갖는기판, 상기기판상에차례로적층되는제 1 및제 2 질화물반도체층들, 상기제 2 질화물반도체층상에제공되는드레인전극들및 소스전극들및 상기제 2 질화물반도체층상에제공되고, 상기드레인전극들상에제공되는상부비아홀들을갖는절연패턴을포함하고, 상기관통비아홀들은상기제 1 및제 2 질화물반도체층들내로연장되어상기소스전극들의하면을노출하는질화물반도체소자가제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体器件。 它包括具有穿透通孔的基片，连续堆叠在基片上的第一和第二氮化物半导体层，设置在第二氮化物半导体层上的漏电极和源电极以及设置在第二氮化物半导体上的绝缘图案 并且具有设置在漏电极上的上通孔。 穿透通孔延伸到第一和第二氮化物半导体层的内部并暴露源电极的下表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110010539A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：KR1020090125467
申请日：2009-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0236
Abstract: PURPOSE: A CIGS solar battery and a manufacturing method thereof are provided to maximize energy conversion efficiency by minimizing sunlight which is reflected from the surface of a window electrode layer. CONSTITUTION: A lower electrode layer is formed on a substrate. An optical absorption layer(30) is formed on the lower electrode layer. A buffer layer(40) comprises a plurality of protrusions. A window electrode layer(50) is unevenly bent on the buffer layer along the plurality of protrusions.
Abstract translation: 目的：提供CIGS太阳能电池及其制造方法，以通过使从窗电极层的表面反射的太阳光最小化来最大化能量转换效率。 构成：在基板上形成下电极层。 在下电极层上形成有光吸收层（30）。 缓冲层（40）包括多个突起。 窗口电极层（50）沿着多个突起在缓冲层上不均匀地弯曲。
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公开(公告)号：KR100868530B1
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：KR1020070046618
申请日：2007-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/16
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자는 우르짜이트 격자구조를 갖는 Ga-face로 성장된 질화물 반도체로 구성된 발광 소자에 있어서, 기판 상에 완충층, 제 1 p-형 컨택층, 제 2 p-형 컨택층, 제 1 정공확산층, 제 2 정공확산층, 발광활성 영역, 제 2 전자확산층, 제 1 전자확산층, 제 2 n-형 컨택층 및 제 1 n-형 컨택층이 순차적으로 적층된 구조이다.
이와 같은 구조는 통상적으로 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자 구조에서 발생하는 자발 분극 및 삐에조 전기적 분극 현상으로 인해 이종접합 계면에 형성되는 준2차원 자유전자 및 자유정공 기체를 효과적으로 이용할 수 있어, 발광 소자의 발광면에서 발광의 균일도를 개선하고, 그 결과 소자의 전체 발광면에서 발광 효율을 높인다.
질화물 반도체, 발광 소자-
公开(公告)号：KR1020080052016A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020060123959
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 배성범
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: A method for fabricating a light emitting device including a current spreading layer is provided to improve current transfer on a two-dimensional plane as compared with a bulk structure of an n-GaN and p-GaN by using a 2-DEG(dimensional electron gas) and 2-DHG(dimensional hole gas) heterojunction structure as n-type and p-type current spreading layers. A buffer layer is formed on a substrate(11). An n-type electrode layer(14) of a multilayered structure is formed on the buffer layer, including an n-type current spreading layer(14b) using a heterojunction structure. An active layer(15) is formed on the n-type electrode layer. A p-type electrode layer(17) of a multilayered structure is formed on the active layer, including a p-type current spreading layer(17b) using a heterojunction structure. An etch process can be performed to expose the n-type current spreading layer formed in the n-type electrode layer. N-type and p-type trenches(18,19) can be respectively formed in the exposed n-type and p-type current spreading layers. Metal electrode layers(20,21) can be inserted into each trench to form n-type and p-type metal electrode layers. A transparent electrode layer(22) can be formed on the p-type metal electrode layer.
Abstract translation: 提供了一种制造包括电流扩散层的发光器件的方法，以便通过使用2-dimensional（二维电子气体）来改善与n-GaN和p-GaN的体结构相比在二维平面上的电流传递 ）和2-DHG（三维空穴气体）异质结结构作为n型和p型电流扩展层。 在基板（11）上形成缓冲层。 在缓冲层上形成多层结构的n型电极层（14），其中包括使用异质结结构的n型电流扩散层（14b）。 在n型电极层上形成有源层（15）。 在有源层上形成多层结构的p型电极层（17），包括使用异质结结构的p型电流扩散层（17b）。 可以进行蚀刻工艺以暴露形成在n型电极层中的n型电流扩散层。 可以在暴露的n型和p型电流扩展层中分别形成N型和p型沟槽（18,19）。 可以将金属电极层（20,21）插入每个沟槽中以形成n型和p型金属电极层。 透明电极层（22）可以形成在p型金属电极层上。
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公开(公告)号：KR1020160047387A
公开(公告)日：2016-05-02
申请号：KR1020150127775
申请日：2015-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체막의성장방법은제1 반도체막상에개구부들을포함하는제1 마스크패턴을형성하는단계; 상기개구부들을통해노출된상기제1 반도체막의표면으로부터제2 반도체막을성장시켜서, 오목부및 돌출부를포함하는상기제2 반도체막을형성하는단계; 상기돌출부의상면이노출되도록상기오목부내부를제2 마스크막으로채우는단계; 상기제2 마스크막및 상기돌출부의상면을덮는제3 마스크막을형성하는단계; 상기돌출부상면상에제3 마스크패턴이잔류될수 있도록상기제2 마스크막을제거하면서상기제2 마스크막상에중첩된상기제3 마스크막의일부를제거하는단계; 및상기제3 마스크패턴에의해상기돌출부의상면이차단된상태에서, 상기오목부를통해노출된상기제2 반도체막의표면으로부터제3 반도체막을성장시키는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明的一个实施方案提供一种能够减少裂纹和缺陷密度的半导体膜的生长方法。 根据本发明实施例的用于生长半导体膜的方法包括以下步骤：在第一半导体膜上形成具有开口部分的第一掩模图案; 通过从通过所述开口部暴露的所述第一半导体膜的表面生长所述第二半导体膜，形成具有凹部和突出部的第二半导体膜; 在露出突出部的上表面的同时用第二掩模膜填充凹部的内部; 形成覆盖所述第二掩模膜和所述突出部的上表面的第三掩模膜; 除去重叠在第二掩模膜上的第三掩模膜的一部分，同时移除第二掩模膜，以便允许第三掩模图案残留在突出部分的上表面上; 以及在突出部分的上表面被第三掩模图案阻挡的状态下，通过凹部暴露的第二半导体膜的表面生长第三半导体膜。
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公开(公告)号：KR1020150083310A
公开(公告)日：2015-07-17
申请号：KR1020140002913
申请日：2014-01-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/473 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/32051 , H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 이반도체소자는기판상에제공된활성영역, 상기기판의일측에매립된단일공동으로구성된유입채널, 상기기판의타측에매립된단일공동으로구성된유출채널, 상기기판에매립된다수의공동들로구성되며일단은상기유입채널의측면에연결되고타단은상기유출채널의측면에연결되는복수개의마이크로채널들을포함하는마이크로채널어레이, 및상기마이크로채널들을이격시켜구분하는마이크로히트싱크어레이를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：设置在基板上的激活区域; 流入通道在基体的一侧上积累有单个公共腔; 在具有单个公共空腔的衬底的另一侧上积累的流出通道; 通常在基板上堆积的微通道阵列，其一端连接到流入通道的一侧，另一侧连接到流出通道的一侧; 和微型散热器阵列，以分隔待分离的微通道。
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