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    Actionneur électrostatique d'une structure mobile à relaxation améliorée des charges piégées
    111.
    发明公开
    Actionneur électrostatique d'une structure mobile à relaxation améliorée des charges piégées 审中-公开
    移动结构的静电致动器具有改进的俘获电荷松弛

    公开(公告)号：EP2495866A1

    公开(公告)日：2012-09-05

    申请号：EP12354011.4

    申请日：2012-02-23

    Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    Inventor： Nowodzinski, Antoine

    IPC: H02N1/00 ,  B81B3/00

    CPC classification number: H02N1/006 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/038

    Abstract: Le dispositif comporte un premier plot d'actionnement (5) en matériau électriquement conducteur avec une première surface de contact. Un second plot d'actionnement (6) en matériau électriquement conducteur fait face au premier plot d'actionnement (5). Un circuit d'actionnement (7) électrostatique déplacent les plots d'actionnement (5, 6) l'un par rapport à l'autre entre une première position et une autre position. Le circuit d'actionnement (7) comporte un dispositif d'application d'un potentiel plus important sur le second plot d'actionnement (6) que sur le premier plot d'actionnement (5). Un film (8) en matériau électriquement isolant réalise l'isolation électrique entre les premier (5) et second (6) plots. Le film (8) en matériau électriquement isolant comporte une interface avec une source (11) en ions positifs et est perméable auxdits ions positifs. La source en ions positifs (11) est dépourvue de vapeur d'eau.

    Abstract translation: 该致动器具有第一和第二致动凸块（5,6）由电传导材料，例如 掺杂的半导体材料，并设置有respectivement接触表面。 静电促动回路（7）相对于彼此移动所述凸块。 正离子源不包含水蒸气。 电绝缘电影（8）确保了凸块，并且包括之间的电绝缘用正离子源的接口。 该膜是可渗透的正离子。 第二凸块是通过在附加的电绝缘电影覆盖。 正离子选自氢，锂，钠，钾和钙离子。 正离子源是由填充有液体或气体的材料释放的正离子的多孔材料形成。

    A method of manufacturing an electronic device and electronic device
    113.
    发明公开
    A method of manufacturing an electronic device and electronic device 审中-公开
    一种用于生产电子器件和电子器件的工艺

    公开(公告)号：EP2444368A2

    公开(公告)日：2012-04-25

    申请号：EP12151592.8

    申请日：2004-10-26

    Applicant: Epcos AG

    Inventor： Van Beek, Jozef T. M. ,  Ulenaers, Mathieu J. E.

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

    CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/038 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/053 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01H2239/01

    Abstract: A method of manufacturing a micro-electromechanical systems (MEMS) device, comprising providing a base layer (10) and a mechanical layer (12) on a substrate (14), providing a sacrificial layer (16) between the base layer (10) and the mechanical layer (12), providing an etch stop layer (18) between the sacrificial layer (16) and the substrate (14), and removing the sacrificial layer (16) by means of dry chemical etching, wherein the dry chemical etching is performed using a fluorine-containing plasma, and the etch stop layer (18) comprises a substantially non-conducting, fluorine chemistry inert material, such as Hf02, ZrO2, Al203 or TiO2

    Abstract translation: 一种制造微机电系统（MEMS）设备，包括：提供在衬底的基座层（10）和一个机械层（12）（14），提供所述基底层之间的牺牲层（16）的方法（10） 与机械层（12）提供在所述牺牲层（16）和基板（14），并去除由干式化学蚀刻的方式在牺牲层（16）之间的蚀刻停止层（18），所述worin干式化学蚀刻 使用含氟等离子体被执行，并且蚀刻停止层（18）包括基本上不导电，氟化学惰性材料，颜色：如的HfO 2，氧化锆，AL203或TiO

    DOUBLE-ELECTRET MEMS ACTUATOR
    117.
    发明公开
    DOUBLE-ELECTRET MEMS ACTUATOR 审中-公开
    DOPPEL-ELEKTRET-MEMS-BETÄTIGUNGSGLIED

    公开(公告)号：EP1490721A4

    公开(公告)日：2008-02-20

    申请号：EP03721359

    申请日：2003-03-11

    Applicant: UNI PIXEL DISPLAYS INC

    Inventor： SELBREDE MARTIN G

    IPC: G02B26/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00 ,  H02N1/00

    CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/038 ,  H01H59/0009 ,  H01H2059/009 ,  H02N1/006 ,  H04R19/01

    Abstract: An actuator (100) taking advantage of ponderomotive forces to enhance its electromechanical performance as a function of input energy. An actuator (100) may include a first conductive layer (102) residing on a first electret layer (101). The actuator (100) may further include a moveable second electret layer (103) which is spaced apart in relation to the first conductive layer (102) when the second electret layer (103) is in a quiescent state. The actuator (100) may further include a second conductive layer (104) in a spaced apart relation to the second electret layer (103) when the second electret layer (103) is in the quiescent state. The actuator (100) may further include a voltage source (105) configured to selectively apply a voltage between the first (102) and second (104) conductive layers thereby propelling the second electret layer (103) to either the first (102) or second (104) conductive layer.

    Abstract translation: 致动器（100）利用有质动力来增强其机电性能作为输入能量的函数。 致动器（100）可以包括驻留在第一驻极体层（101）上的第一导电层（102）。 致动器（100）还可以包括当第二驻极体层（103）处于静止状态时相对于第一导电层（102）间隔开的可移动第二驻极体层（103）。 当第二驻极体层（103）处于静止状态时，致动器（100）还可以包括与第二驻极体层（103）间隔开的第二导电层（104）。 致动器（100）可进一步包括电压源（105），该电压源配置成选择性地在第一（102）和第二（104）导电层之间施加电压，从而将第二驻极体层（103）推向第一（102）或第 第二（104）导电层。

    Electrostatic bimorph actuator
    118.
    发明公开
    Electrostatic bimorph actuator 有权
    静电双晶片致动

    公开(公告)号：EP1350758A3

    公开(公告)日：2004-12-15

    申请号：EP03002122.4

    申请日：2003-01-30

    Applicant: MICROSOFT CORPORATION

    Inventor： Sinclair, Michael J.

    IPC: B81B3/00 ,  G02B26/08

    CPC classification number: B81B3/0054 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/038 ,  B81B2201/045 ,  B81B2201/047

    Abstract: An electrostatic bimorph actuator includes a cantilevered flexible bimorph arm that is secured and insulated at one end to a planar substrate. In an electrostatically activated state the bimorph arm is generally parallel to the planar substrate. In a relaxed state, residual stress in the bimorph arm causes its free end to extend out-of-plane from the planar substrate. The actuator includes a substrate electrode that is secured to and insulated from the substrate and positioned under and in alignment with the bimorph arm. An electrical potential difference applied between the bimorph arm and the substrate electrode imparts electrostatic attraction between the bimorph arm and the substrate electrode to activate the actuator. As an exemplary application in which such actuators could be used, a microelectrical mechanical optical display system is described.

    Systems with high density packing of micromachines
    119.
    发明公开
    Systems with high density packing of micromachines 审中-公开
    Systeme mit Packung hoher Dichte von Mikrobauteilen

    公开(公告)号：EP1281665A2

    公开(公告)日：2003-02-05

    申请号：EP02255271.5

    申请日：2002-07-29

    Applicant: Hewlett-Packard Company

    Inventor： Hartwell, Peter G. ,  Walmsley, Robert G.

    IPC: B81B7/00

    CPC classification number: B81B7/04 ,  B81B2201/038

    Abstract: Micromachine systems (100) are provided. An embodiment of such a micromachine system includes a substrate (111, 504) that defines a trench (116, 512). A first microelectromechanical device (110, 502) and a second microelectromechanical device (110, 502) are arranged at least partially within the trench. Each of the microelectromechanical devices incorporates a first portion that is configured to move relative to the substrate. Methods also are provided.

    Abstract translation: 提供微机械系统（100）。 这种微机械系统的实施例包括限定沟槽（116,512）的衬底（111,504）。 第一微电子机械装置（110,502）和第二微机电装置（110,502）至少部分地布置在沟槽内。 每个微电子机械装置包括被构造成相对于基板移动的第一部分。 还提供了方法。

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