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公开(公告)号：CN102024639A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010564718.5
申请日：2010-11-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种电子发射体的制备方法，其包括以下步骤：提供一线状支撑体；提供至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线，将所述至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线缠绕在所述线状支撑体表面形成一碳纳米管层；移除所述线状支撑体，得到一由碳纳米管层围成的管状碳纳米管预制体；以及将该管状的碳纳米管预制体熔断获得电子发射体。
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公开(公告)号：CN101471212B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710125661.7
申请日：2007-12-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/13
CPC classification number: H01J1/14 , H01J2201/19 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种热发射电子器件，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格，且行电极引线与列电极引线之间电绝缘；多个热电子发射单元，每个热电子发射单元对应一个网格设置，每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体，该第一电极与第二电极间隔设置于每个网格中，并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接，所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接，所述热电子发射体为至少一根碳纳米管长线。
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公开(公告)号：CN1905114B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200610104057.1
申请日：2006-07-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 一种电子发射材料，包括电子发射材料主体、设置在该电子发射材料主体上的基底金属层，以及设置在该基底金属层上的热电子发射层。
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公开(公告)号：CN1913075B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200610125792.0
申请日：2006-07-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供了一种电子发射源，包括在表面涂层中涂敷有金属碳化物的碳基材料，其中金属在1,500K或更低温度下形成金属碳化物时具有负的吉布斯自由能，本发明还提供了一种制备电子发射源的方法，以及一种包括该电子发射源的电子发射装置。电子发射源包括涂敷有金属碳化物的碳纳米管、或者包括顺序形成在其上的金属碳化物层和金属涂层的碳纳米管。该金属是选自Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、V、Cr、Mo和W的组中的至少一种。因此，电子发射源在电子发射特性没有退化的情况下具有长使用寿命。电子发射源可以用于制造可靠性得以提高的电子发射装置。
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公开(公告)号：CN100583349C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200510036029.6
申请日：2005-07-15
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J63/06 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J2201/30446 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极、一种采用该场发射阴极的平板型光源。该场发射阴极包括：一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射层，所述电子发射层含有碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒，所述碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒混合形成电子发射层。该平板型光源包括：所述场发射阴极；及一阳极，其包括一阳极导电层及一形成在所述阳极导电层上的荧光层，该荧光层和所述电子发射层相对。该平板型光源的使用寿命长及电子发射层的场发射特性强。本发明还提供一种场发射阴极的制造方法，该方法简单及成本低。
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公开(公告)号：CN100573783C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610060188.4
申请日：2006-04-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源的制造方法，其包括以下步骤：提供两个顶部相对的导电基体，使其相对的两顶部共同浸入同一含碳纳米管的溶液中；施加一交流电压于该两导电基体之间，以使至少一碳纳米管组装至该相对的两顶部之间；切断两导电基体之间的电流并移除上述两导电基体相对两顶部之间的溶液；分开上述两相对的导电基体，以使至少一碳纳米管附着于至少一导电基体的顶部，形成碳纳米管场发射电子源；修饰该碳纳米管用于发射电子一端的表面，以使该碳纳米管场发射电子源具有更大的场发射电流密度。
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公开(公告)号：CN100573778C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610061573.0
申请日：2006-07-07
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J9/025 , H01J29/04 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极，包括基底、设置在基底上且厚度为60纳米～200纳米的金属电极和形成在金属电极上的碳纳米管阵列，其中，金属电极与碳纳米管阵列之间设置一个铝过渡层，该铝过渡层的厚度为5纳米～40纳米。本发明还涉及一种上述场发射阴极的制造方法。
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公开(公告)号：CN100543907C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200410027042.0
申请日：2004-04-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射元件的制备方法，特别涉及一种碳纳米管场发射阴极的制备方法。该碳纳米管场发射阴极的制备方法包括下列步骤：提供适量碳纳米管并配成悬浮液；提供一基板，该基板上形成有电极；在该基板上印刷一层导电浆料；将碳纳米管悬浮液分布到该导电浆料层上，形成一碳纳米管层；刻划，在导电浆料层上划出多个格子，使部分碳纳米管至少一端翘起来；烧结，得到均匀的场发射体表面。该方法制备的碳纳米管场发射阴极可用于背光板或场发射平面显示器。
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公开(公告)号：CN101499390A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810066050.4
申请日：2008-02-01
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/3044 , H01J1/316 , H01J9/025 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3165 , H01J2329/0455 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一绝缘基底；多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设置于绝缘基底上，每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电极形成一个网格；多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内，每个电子发射单元中设有至少一个电子发射体，该电子发射体的两端分别与所述第一电极和第二电极电连接，所述电子发射体具有一间隙，并在该间隙处形成两个尖端，每个尖端具有多个电子发射尖端。
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公开(公告)号：CN100524577C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510108881.X
申请日：2001-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30426 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供能改善所发射的电子的聚焦性能的电子发射元件，其中在基片上依次叠层阴极电极和绝缘层和电子牵引电极、在从牵引电极侧到阴极电极的孔的底面上设有与阴极电极接触的电子发射层的电子发射元件。在此规定，电子发射层设置成使其表面位于相对于阴极电极与绝缘层界面偏向基片侧，电子发射层与阴极电极的接触区域限定于孔底面处的除中心部的周围区域。因此，由于电子发射层接收来自位于其侧面的阴极电极的电子，所以电子主要从电子发射层表面的边缘部发射，借此提高电子聚焦性能。本发明还提供带有上述电子发射元件的图象显示装置，其中，通过间隙件把具有射出电子束的多个电子发射部矩阵状地排列的电子发射元件的第1面板和第2面板对峙布置在基片上。
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