Abstract:
은닉 마르코프 모델(Hidden Markov Model, HMM)을 이용한 인지 무선 통신 장치가 제공된다. 은닉 마르코프 모델을 이용한 인지 무선 통신 장치는 프라이머리 사용자의 신호들에 대한 과거의 에너지 측정 결과들 및 상기 프라이머리 사용자의 신호가 존재하는지 여부에 대한 과거의 판단 결과들을 저장하는 저장부 및 상기 프라이머리 사용자의 신호에 대한 현재의 에너지 측정 결과를 기초로 은닉 마르코프 모델을 이용하여 현재 상기 프라이머리 사용자의 신호가 존재하는지 여부에 대한 확률 분포를 계산하는 계산부를 포함한다. 은닉 마르코프 모델, 인지 무선, cognitive radio, HMM, 센싱, 확률
Abstract:
송신기의 송신 파워에 따라 적응적으로 센싱 기준 레벨을 제어하는 인지 무선 통신 장치 및 그 방법이 개시된다. 인지 무선 통신 장치는 세컨더리 네트워크에 속하는 세컨더리 송신기의 송신 파워에 따라 적응적으로 (adaptably) 센싱 기준 레벨을 제어하는 센싱 기준 레벨 제어부 및 상기 제어된 센싱 기준 레벨을 이용하여 미리 설정된 시간 구간 동안 수신된 신호가 존재하는 지 여부를 판단하는 고속(fast) 센싱부를 포함한다. 센싱, cognitive radio, 인지 무선, fast sensing, 송신 파워, 전송 파워, 센싱 기준 레벨, 프라이머리
Abstract:
The present invention relates to a compound for an organic optoelectric device, an organic light emitting diode including the same, and a display device including the organic light emitting diode, wherein the compound for the organic optoelectric device is represented by chemical formula 1, thereby producing an organic light emitting diode which has improved life span due to superior electrochemical properties and thermal stability and has improved light emitting efficiency even in a low driving voltage.
Abstract:
The present invention relates to a polarizing film containing polyolefin resin and dichroic dyes, wherein a solubility parameter difference from the that of the polyolefin resin is less than 7.4, and a display device including the polarizing film. Polarization properties can be improved by increasing compatibility and dispersibility with the combination of the polyolefin resin and the dichroic dyes.
Abstract:
본 발명은 플렉서블 프로그램 동작을 수행하는 가변 저항 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 가변 저항 메모리 장치는 복수의 메모리 셀을 갖는 메모리 셀 어레이; 백그라운드 정보를 저장하는 저장 장치; 및 상기 백그라운드 정보에 따라 상기 복수의 메모리 셀을 백그라운드 데이터로 소거하고, 프로그램 동작 시에 상기 복수의 메모리 셀 중에서 선택된 메모리 셀을 프로그램 데이터로 프로그램하기 위한 제어 회로를 포함한다. 본 발명에 따른 가변 저항 메모리 장치는 소거 동작 시에 메모리 셀을 백그라운드 데이터로 소거하고, 프로그램 동작 시에 특정 데이터만을 프로그램한다. 본 발명에 의하면, 프로그램 동작 시에 프로그램 속도가 현저하게 빨라진다. 또한, 본 발명은 플래시 메모리와 호환할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A resistive memory device performing a writing operation by using a multi-mode switching current, a memory system including the same, and a data writing method of the resistive memory device are provided to reduce power consumption of the resistive memory device. CONSTITUTION: A control circuit (120) generates a row control signal (CONX) and a column control signal (CONY) by controlling timing and a voltage level of an address signal (ADD). A row decoder (140) generates a word line driving signal by decoding the row control signal. A column decoder (150) generates a column selection signal by decoding the column control signal. A current supplying circuit (160) generates a first current and a second current whose level is greater than that of the first current based on weak cell information and provides the current to a memory cell array.