公开(公告)号：KR100547834B1

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：KR1020040000663

申请日：2004-01-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  강인권 ,  황성택 ,  박성범

IPC: H04B14/02

Abstract: 본 발명은 파장추적장치를 구비한 파장분할다중방식 수동형 광가입자망 및 이의 파장추적방법에 관한 것이다.
본 발명의 파장추적방법은 다수의 광신호를 다중화하여 하향 전송하는 다중화기를 구비하는 중앙기지국과, 상기 중앙기지국으로 전송되는 다중화된 하향 광신호를 역다중화하여 각 채널별로 출력하는 역다중화기를 구비하는 지역기지국을 포함하는 파장분할 다중방식 수동형 광 가입자망에 있어서, 상기 하향 전송 광신호의 파장과 정수배의 FSR(free spectral range) 만큼 떨어진 파장을 갖는 파장추적용 광을 상기 하향 전송 광신호와 함께 다중화하여 상기 지역기지국으로 전송하는 과정과; 상기 다중화된 광신호를 역다중화하여, 하향 전송 광신호는 각 채널별로 수신하고 파장추적용 광은 반사시켜 상기 중앙기지국으로 되돌려 보내는 과정과; 상기 중앙기지국으로 되돌아오는 파장추적용 광을 수신하여 수신파워가 최대가 되도록 상기 다중화기의 온도를 조절하는 과정을 포함함을 특징으로 한다.
도파로열 격자, 파장추적, FSR, 특정대역 반사체

Abstract translation: 波分复用无源光网络技术领域本发明涉及包括波长追踪装置及其波长追踪方法的波分复用无源光网络。

公开(公告)号：KR100544460B1

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：KR1020030082851

申请日：2003-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈

IPC: G11B20/10

CPC classification number: H04R5/02 ,  H04R5/04

Abstract: 리모콘장치의 음량조절키에 의한 외부 오디오재생장치의 음량조절 기능을 갖는 ＡＶ장치가 개시된다. 본 ＡＶ장치는, 스피커, 오디오신호를 외부로 출력하기 위한 오디오출력단자, 오디오신호를 재생 및 증폭하여 스피커 및 오디오출력단자 중 어느 하나로 인가하는 오디오신호처리부, 오디오출력단자와 스피커에 각각 대응되는 음량조절값을 구비하는 메모리, 오디오출력단자와 외부 오디오재생장치의 접속여부에 따라, 메모리에 저장된 음량조절값들 중 어느 하나를 오디오신호처리부에 적용하는 제어부를 구비하며, 제어부는 오디오출력단자에 외부 오디오재생장치가 접속시, 오디오출력단자의 음량조절값을 리모콘장치에 구비되는 음량조절키에 의해 증감되도록 오디오신호처리부를 제어한다. 이러한 ＡＶ장치에 의하면, 헤드폰, 이어폰, 및 외부스피커와 같은 외부 오디오재생장치가 AV장치에 접속시, 접속된 외부 오디오재생장치를 위한 별도의 음량조절을 하지 않아도 되며, 외부 오디오재생장치가 AV장치에 접속시, 외부 오디오재생장치의 음량을 조절하기 위한 메뉴를 화면에 띄우고, 이를 리모콘장치에 구비되는 음량조절키로 간편하게 제어할 수 있다.
리모콘장치, OSD(On Screen Display), 외부 오디오재생장치, 오디오출력단자

公开(公告)号：KR100520623B1

公开(公告)日：2005-10-10

申请号：KR1020030067894

申请日：2003-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  황성택 ,  박성범 ,  정지채

IPC: G02F1/33

CPC classification number: H04B10/505 ,  H04B10/5055 ,  H04B10/508

Abstract: 본 발명은 제로복귀 광 전송장치에 관한 것으로, 반송파를 출력하는 광원과, 입력되는 NRZ(Non Return to Zero) 전기신호를 부호화하는 프리코더와, 상기 부호화된 신호를 시간지연시키는 지연기와, 2개의 전극을 갖고, 일측 전극으로 인가되는 상기 프리코더의 출력신호와 타측전극으로 인가되는 상기 지연기의 출력신호에 따라 상기 반송파의 위상 및 강도를 변조시켜 RZ(Return to Zero) 광 신호를 출력하는 마하-젠더 간섭계형 변조기를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020050048906A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020030082650

申请日：2003-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재구 ,  이재훈 ,  강원식

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G09G5/006 ,  G09G3/3611 ,  G09G5/18

Abstract: 시스템 클럭에 동기 되는 전압 기준 클럭을 발생하는 전압 기준 클럭 발생 회로 및 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 전압 기준 클럭 발생 회로는 카운터, 분주 결정부, 제어부 및 전압 기준 클럭 발생부를 구비한다. 카운터는 수평 동기 신호와 다음 수평 동기 신호 사이의 구간동안 시스템 클럭이 몇 개 존재하는 지를 계수 한다. 분주 결정부는 상기 수평 동기 신호와 다음 수평 동기 신호 사이의 구간동안 존재하는 상기 시스템 클럭의 클럭 수를 저장하고 상기 클럭 수를 n(n은 자연수) 등분하여 제 1 내지 제 n 포인트 값을 결정한다. 제어부는 상기 제 1 내지 제 n 포인트 값에 응답하여 상기 시스템 클럭의 클럭 수가 상기 제 1 내지 제 n 포인트 값에 도달할 때마다 제어 펄스를 발생한다. 전압 기준 클럭 발생부는 리셋 신호에 응답하여 리셋 되고 상기 제어 펄스가 발생될 때마다 논리 레벨이 반전되는 전압 기준 클럭을 출력한다. 본 발명에 따른 전압 기준 클럭 발생 회로 및 전압 기준 클럭 발생 방법은 구동 전압의 기준이 되는 전압 기준 클럭을 오실레이터를 이용하지 아니하고 시스템 클럭을 이용하여 발생시켜 전압 기준 클럭과 시스템 클럭을 서로 동기 시킴으로써 패널에 디스플레이 되는 영상에 잡음이 발생하는 것을 방지하는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020050045523A

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：KR1020030079614

申请日：2003-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최병구 ,  이재훈 ,  강병창 ,  이동헌

IPC: H04L12/28

CPC classification number: H04L47/6215 ,  H04L12/42 ,  H04L47/10 ,  H04L47/12 ,  H04L47/25 ,  H04L47/29 ,  H04L47/50 ,  H04L47/6225 ,  H04L47/626

Abstract: 본 발명에서는 RPR(Resilient Packet Ring)망에 접속되어진 노드에서 RPR 공평 메카니즘을 이용하여 대역폭을 할당할 때, 혼잡이 발생하면 자신이 하나의 에이징 간격 동안 링으로 전송한 트래픽의 양을 공평 전송률로 하여 자신의 식별자와 함께 공평 메시지에 기록하여 자신의 업스트림 노드들에게 광고하고, 그 공평 전송률을 저장한다. 그리고, 에이징 간격 동안 업스트림 노드로부터 전송된 트래픽 양을 측정하여 저장한다. 혼잡이 해결되는 경우, 자신이 최근에 광고한 공평 전송률과 업스트림 노드들로부터 전송된 트래픽 양을 참조하여 활용가능한 대역폭을 산출하고, 그 활용가능한 대역폭을 업스트림 노드들에게 효과적으로 공평하게 할당할 수 있도록 공평 전송률을 산출하여 업스트림 노드들에게 전송한다. 업 스트림 노드들은 이 공평 전송률에 따라 트래픽을 전송한다. 이렇게 함으로써 임의의 노드에서 혼잡이 발생했다가 그 혼잡이 해결된 경우, 시간이 지체없이 즉각적으로 활용가능한 대역폭을 효과적으로 사용할 수 있다.

公开(公告)号：KR100480595B1

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：KR1020020011344

申请日：2002-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈

IPC: H04N3/23

CPC classification number: H04N3/26 ,  G09G1/04

Abstract: 다이나믹 포커스 신호의 지연 제어 회로 및 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 지연 제어 회로는 펄스 센터 검출 회로, 제 1 지연 제어 신호 발생 회로 및 선택 회로를 구비하는 것을 특징으로 한다.
펄스 센터 검출 회로는 소정의 제 1 펄스 신호에 응답하여 상기 제 1 펄스 신호의 펄스 중심을 검출하는 센터 검출 신호를 발생한다. 제 1 지연 제어 신호 발생 회로는 상기 제 1 펄스 신호에 응답하여 1차 함수의 형태로 발생되는 제 1 비교 신호의 레벨과 소정의 제 2 비교 신호의 레벨을 비교하고 그 비교 결과에 응답하여 제 1 또는 제 2 논리 레벨을 가지는 제 1 지연 제어 신호를 발생한다. 선택 회로는 소정의 선택 신호에 응답하여 상기 센터 검출 신호 및 상기 제 1 지연 제어 신호 중 하나를 선택하여 다이나믹 포커스 신호의 지연량을 조절하는 제 2 지연 제어 신호로서 발생한다. 상기 지연 제어 회로는 상기 제 2 비교 신호를 발생하는 디지털 아날로그 컨버터를 더 구비할 수 있으며, 상기 제 1 지연 제어 신호는 상기 제 2 비교 신호의 레벨 변화에 응답하여 발생 시점이 제어된다.
본 발명에 따른 다이나믹 포커스 신호의 지연 제어 회로 및 방법은 CRT 모니터의 다이나믹 포커스 신호가 증폭되는 과정에서 발생되는 시간 지연을 외부에서 제어할 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020050023664A

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020030061004

申请日：2003-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈

IPC: H02H7/04

Abstract: PURPOSE: A voltage supply apparatus with a voltage display unit is provided to prevent erroneous operations by alarming when the voltage displayed is higher than a predetermined reference voltage. CONSTITUTION: A DC voltage supply(10) outputs a DC voltage. A voltage detector(12) detects voltage levels of plural DC voltages outputted from the DC voltage supply. An A/D converter(14) converts the detected voltages into digital values and displays the digital values. A controller(16) controls the A/D converter and generates an alarm signal when the outputted DC voltages are higher than a predetermined reference voltage. A voltage display unit(18) displays the voltage levels under the control of the controller.

Abstract translation: 目的：提供具有电压显示单元的电压供应装置，用于当所显示的电压高于预定参考电压时，通过报警来防止错误操作。 构成：直流电源（10）输出直流电压。 电压检测器（12）检测从直流电压源输出的多个直流电压的电压电平。 A / D转换器（14）将检测到的电压转换成数字值并显示数字值。 当输出的直流电压高于预定参考电压时，控制器（16）控制A / D转换器并产生报警信号。 电压显示单元（18）在控制器的控制下显示电压电平。

公开(公告)号：KR1020040074436A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：KR1020030010192

申请日：2003-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박은영 ,  강병창 ,  최병구 ,  이재훈

IPC: H04L29/06

CPC classification number: H04L61/1511 ,  H04L29/12066 ,  H04L29/12301 ,  H04L29/12915 ,  H04L61/2076 ,  H04L61/6059 ,  H04L61/6086 ,  H04L69/167

Abstract: PURPOSE: An IPv4-IPv6 conversion apparatus using a dual stack and its method are provided to support the conversion even when initializing a connection from an IPv4 node to an IPv6 node. CONSTITUTION: An IPv6 DNS server(110) maps a domain name and an IPv6 address, and provides address information of a DSTM host(120) when it receives the domain name and the IPv6 address of the DSTM host and a DNS inquiry message asking an IP address of the DSTM host as having IPv4 address information. The DSTM host has a dual stack, and performs IPv4-over-IPv6 tunneling of an IPv4 packet to a DSTM TEP(140). A DSTM server(130) allocates the IPv4 address dynamically, and manages binding information as updating DNS information as to the DSTM host to the IPv6 DNS server. The DSTM TEP tunnels a packet between the DSTM host and an IPv4 host(160). And an IPv5 DNS server(150) and the IPv4 host map the domain name as to the host in an IPv4 network and the IPv4 address.

Abstract translation: 目的：提供使用双栈的IPv4-IPv6转换装置及其方法，以便即使在初始化从IPv4节点到IPv6节点的连接时也支持转换。 构成：IPv6 DNS服务器（110）映射域名和IPv6地址，并在接收到DSTM主机的域名和IPv6地址以及DNS询问消息时，提供DSTM主机（120）的地址信息 DSTM主机的IP地址具有IPv4地址信息。 DSTM主机具有双栈，并且将IPv4分组的IPv4 over IPv6隧道传输到DSTM TEP（140）。 DSTM服务器（130）动态分配IPv4地址，并管理绑定信息，将DNS服务器的DSTM主机更新为DNS信息。 DSTM TEP在DSTM主机和IPv4主机之间隧道分组（160）。 而IPv45 DNS服务器（150）和IPv4主机映射IPv4网络中的主机和IPv4地址的域名。

公开(公告)号：KR100338782B1

公开(公告)日：2002-06-01

申请号：KR1020000060703

申请日：2000-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈

IPC: H04N3/24

Abstract: 원칩화된 영상 처리 장치에 적용하기 위한 플라이백 펄스 폭 조정 회로 및 조정 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 플라이백 펄스 폭 조정 회로는, 비디오 증폭기와, 온 스크린 디스플레이 장치 및 수평/수직 동기 신호 처리 장치가 하나의 칩으로 구현되는 영상 처리 장치 내부에 구비되며, 외부의 플라이백 펄스의 폭을 조정하여 수평 블랭크 신호를 생성하는 플라이백 펄스 폭 조정 회로에 있어서, 입력 단자를 통하여 외부로부터 플라이백 펄스를 입력하여 정형화하고, 정형화된 플라이백 펄스를 수평/수직 동기 신호 처리 장치로 인가하는 펄스 정형부 및 소정 제어 신호에 응답하여 정형화된 플라이백 펄스의 폭을 조정하고, 선택 신호에 응답하여 조정된 결과를, 발생 시점이 다른 수평 블랭크 신호로서 생성하며, 생성된 수평 블랭크 신호를 비디오 증폭기와, 온 스크린 디스플레이 장치로 각각 인가하는 펄스 폭 조정부를 구비하고, 제어 신호는 마� ��크로컨트롤러로부터 인가되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 칩 외부에 구비되었던 플라이백 펄스 폭 조정 회로를 간단한 구성의 회로로 설계함으로써, 원칩화된 영상 처리 장치에 내장시킬 수 있고, 마이크로컨트롤러 또는 마이크로컴퓨터 등의 제어에 의해 플라이백 펄스의 폭을 보다 용이하게 조절할 수 있다는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020020031002A

公开(公告)日：2002-04-26

申请号：KR1020000061983

申请日：2000-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정관 ,  이재훈

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/18388 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18394

Abstract: PURPOSE: A vertical cavity surface emitting laser is provided to reduce fabricating costs of an optical system by simplifying a structure of optical axis alignment. CONSTITUTION: A substrate(100) is formed with a semiconductor material such as GaAs, AlGaAs, InAs, InP, GaP, InGaP, InGaAs, or GaP of n type. A lower reflection base layer(110) and an upper reflection base layer(140) are formed by laminating semiconductor compounds having different refractive indexes. The lower reflection base layer(110) has the refractive index higher than the refractive index of the upper reflection base layer(140). An active layer(120) has a structure of super lattice. The active layer(120) is formed with GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaP, or AlGaAsP. A lens layer(150) is formed on the upper reflection base layer(140). A micro lens(155) is formed on a window region(180) of the lens layer(150). An upper electrode(160) is formed on the remaining region except for the window region(180) of the upper reflection base layer(140). A lower electrode(170) is formed on a lower face of the substrate(100).

Abstract translation: 目的：提供垂直腔表面发射激光器，以通过简化光轴对准的结构来降低光学系统的制造成本。 构成：衬底（100）由诸如GaAs，AlGaAs，InAs，InP，GaP，InGaP，InGaAs或n型的GaP的半导体材料形成。 通过层叠具有不同折射率的半导体化合物形成下部反射基底层（110）和上部反射基底层（140）。 下反射基底层（110）的折射率高于上反射基底层（140）的折射率。 有源层（120）具有超晶格结构。 有源层（120）由GaAs，AlGaAs，InGaAs，InGaP或AlGaAsP形成。 在上反射基底层（140）上形成透镜层（150）。 微透镜（155）形成在透镜层（150）的窗口区域（180）上。 除了上部反射基底层（140）的窗口区域（180）之外的剩余区域上形成有上部电极（160）。 在基板（100）的下表面上形成下电极（170）。