公开(公告)号：KR1020090124504A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020080050765

申请日：2008-05-30

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 정석원 ,  신규식 ,  이국녕 ,  김원효 ,  이민호 ,  성우경

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0669

Abstract: PURPOSE: A method for transferring a nanowire is provided to prevent the nanowire of the undesired part from being transferred and to allow a nanowire to be transferred to the intended position of a substrate accurately, thereby increasing the degree of integration of clear nanowire. CONSTITUTION: A method for transferring a nanowire comprises the steps of preparing a first substrate(400) where a nanowire is manufactured; forming the level difference so as to form a projected part(450) on a second substrate; forming a thermal oxide film on the second substrate(440) in which the level difference is formed; coating an adhesive(430) on the second substrate in which the thermal oxide film is formed; and transferring a nanowire(420) to the second substrate. The step for transferring the nanowire to the second substrate comprises the steps of adhering the nanowire to the adhesive; and separating the adhered nanowire and the first substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种转移纳米线的方法，以防止不想要的部分的纳米线被转移，并允许纳米线被精确地转移到基板的预定位置，从而增加透明纳米线的整合度。 构成：用于转移纳米线的方法包括制备其中制造纳米线的第一衬底（400）的步骤; 形成所述水平差以便在第二基板上形成突出部分（450）; 在形成有电平差的第二基板（440）上形成热氧化膜; 在其上形成有热氧化膜的第二基板上涂覆粘合剂（430）; 以及将纳米线（420）转移到所述第二衬底。 将纳米线转移到第二衬底的步骤包括将纳米线粘合到粘合剂上的步骤; 并分离粘附的纳米线和第一基底。

公开(公告)号：KR1020090101576A

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：KR1020080026790

申请日：2008-03-24

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이국녕 ,  성우경 ,  이민호 ,  정석원 ,  김원효 ,  신규식

IPC: G01N27/27 ,  G01N33/15 ,  G01N33/50

Abstract: PURPOSE: A disease inspection apparatus using a nano sensor is provided to exclude noises caused by environmental factors by using a sensor which specifically reacts to a detected object and a reference sensor. CONSTITUTION: A disease inspection apparatus comprises the first sensor(310) which specifically reacts to a detected object, the second sensor(320) which operates as a reference sensor for the first sensor, a fluid channel(330) which makes the fluid flow in the first and second sensors to make a test sample flow, and a Wheatstone bridge circuit which senses the relative resistance characteristic change of the first and second sensors.

Abstract translation: 目的：提供使用纳米传感器的疾病检查装置，以通过使用特异性地对检测对象和参考传感器作出反应的传感器来排除由环境因素引起的噪声。 构成：疾病检查装置包括与检测对象特异性反应的第一传感器（310），作为第一传感器的参考传感器工作的第二传感器（320），使流体流入的流体通道（330） 用于测试样品流动的第一和第二传感器，以及感测第一和第二传感器的相对电阻特性变化的惠斯通电桥电路。

公开(公告)号：KR1020090068724A

公开(公告)日：2009-06-29

申请号：KR1020070136454

申请日：2007-12-24

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이국녕 ,  성우경 ,  이민호 ,  정석원 ,  김원효 ,  신규식

IPC: B82B1/00 ,  B82Y15/00

Abstract: A biosensor and a manufacture method thereof are provided to respectively form a nanoscaled structure and a target molecule on different substrates, thereby continuously using a nanowire/carbon nanotube FET biosensor device. A biosensor using a nanoscaled structure comprises: a micro channel(220) which stores or flows a test solution containing target molecules(160); a receptor(150) which is connected to a chemical functioning unit(140) immobilized to a flexible thin film located on an upper part of the micro channel and which captures the target molecules; and a nanowire structure(130) which is located in a lower part of the micro channel in order to sense a field effect by an electric charge of the target molecules. The flexible thin film consists of a first upper thin film(240), a second upper thin film(250) and a pressure device(230).

Abstract translation: 提供生物传感器及其制造方法，以在不同的基板上分别形成纳米级结构和靶分子，从而连续使用纳米线/碳纳米管FET生物传感器装置。 使用纳米尺度结构的生物传感器包括：存储或流动含有目标分子（160）的测试溶液的微通道（220）; 连接到固定在位于微通道上部并且捕获靶分子的柔性薄膜上的化学功能单元（140）的受体（150）; 以及纳米线结构（130），其位于微通道的下部，以便通过靶分子的电荷感测场效应。 柔性薄膜由第一上薄膜（240），第二上薄膜（250）和压力装置（230）组成。

公开(公告)号：KR1020080114023A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：KR1020070063168

申请日：2007-06-26

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이국녕 ,  성우경 ,  정석원 ,  김원효 ,  조남규

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324

Abstract: The method for manufacturing nanowires is provided to use the silicon nano wire that does not completely float as the sacrificial layer and to manufacture the nanowire which has the stress-proof in the material deposition. The nanowire manufacturing method comprises as follows. A step is for making the silicon nano wire. A step is for evaporating the material for making the nanowire in the silicon nano wire. A step is for removing the silicon nano wire. The silicon nano wire is connected to the silicon substrate(200) by the silicon or the oxide film.

Abstract translation: 提供了制造纳米线的方法，以使用不完全浮动的硅纳米线作为牺牲层，并制造在材料沉积中具有抗应力的纳米线。 纳米线的制造方法如下。 制造硅纳米线的一个步骤。 一个步骤是蒸发硅纳米线中的纳米线材料。 一步是去除硅纳米线。 硅纳米线通过硅或氧化物膜连接到硅衬底（200）。

公开(公告)号：KR100848263B1

公开(公告)日：2008-07-25

申请号：KR1020060100246

申请日：2006-10-16

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김원효 ,  성우경 ,  정석원 ,  이국녕 ,  신규식

IPC: H01L21/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명의 나노와이어 자동 전사시스템은 나노와이어가 전사될 기판상에 점착제를 코팅하기 위한 점착제 코팅부, 기판상에 나노와이어를 전사하기 위한 나노와이어 전사부, 점착제 코팅부와 나노와이어 전사부 사이에 위치하여 공정 기판을 이송하기 위한 기판 이송부 및 점착제 코팅부, 나노와이어 전사부 및 기판 이송부를 제어하기 위한 시스템 제어부를 포함한다.
본 발명은 나노와이어 자동 전사시스템을 제공하여 제조된 나노와이어를 점착제가 코팅된 타 기판으로 전사시, 동일한 압력을 가하여 전사공정을 수행할 수 있어 나노와이어의 소실을 방지한다. 또한, 정렬의 오차를 최소화하여 공정의 재연성 및 공정 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
나노와이어, 자동 전사시스템, 이송 암

公开(公告)号：KR100792706B1

公开(公告)日：2008-01-08

申请号：KR1020060051745

申请日：2006-06-09

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이국녕 ,  성우경 ,  정석원 ,  김원효

IPC: H01L29/786 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명에 따른 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 박막트랜지스터는 절연성 기판상에 박막트랜지스터가 형성되고, 상기 박막트랜지스터의 채널 및 소스/드레인은 단결정 실리콘 나노와이어에 형성된다.
따라서, 본 발명의 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 박막트랜지스터는 구동 특성이 우수하며, 시스템 대규모 집적화(LSI)를 실현할 수 있으며, 그 형성공정이 저온에서 수행됨으로써, 저온공정이 필수적으로 요구되는 플렉시블 디스플레이에 적용이 용이한 이점이 있다.
단결정 실리콘 나노와이어, 박막트랜지스터, 트랜스퍼, 디스플레이

公开(公告)号：KR100702531B1

公开(公告)日：2007-04-02

申请号：KR1020060025126

申请日：2006-03-20

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이국녕 ,  성우경 ,  정석원 ,  김원효 ,  신규식

IPC: H01L29/775 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명의 나노와이어 소자는 제1실리콘 기판에서 트랜스퍼를 위해 릴리즈된 나노와이어, 제2기판의 상부에 트랜스퍼된 상기 나노와이어, 상기 나노와이어와 전기적으로 연결된 전극 및 나노와이어소자, 상기 전극의 상부에 형성되어 분석 대상물에 노출되는 것을 방지하는 절연층, 상기 나노와이어의 표면에 형성된 산화막, 상기 산화막의 표면에 유기 실란기로 이루어진 유기 실란층 및 상기 유기 실란층 상부에 형성되어 분석 대상물에 감응하는 수용기를 포함한다.
따라서, 본 발명은 나노와이어 릴리즈 과정에서 발생되는 스트레스 영향을 최소화하여 나노와이어 트랜스퍼 시 나노와이어의 소실 및 위치변화를 방지할 수 있어 나노와이어 소자의 양산성을 향상시킬 수 있으며, 나노와이어 소자 제조에서 필수적인 나노와이어 배열 및 정렬을 용이하게 하는 이점이 있다. 이로 인하여 본 발명은 향후, 나노와이어 바이오센서뿐 아니라, 나노와이어 FET, 플렉시블 디스플레이 등의 분야에 용이하게 적용 가능한 이점이 있다.
나노와이어 소자, 점착제 패턴, 나노와이어 릴리즈, 나노와이어 트랜스퍼.

Abstract translation: 在纳米线的顶部上的本发明的纳米线器件中，纳米线，电极和纳米线器件的第二上部，连接到所述纳米线和释放，用于从第一硅衬底转移衬底电传输电极 形成的形成有绝缘层，所述氧化物膜，所述有机硅烷层上和所述由形成所述纳米线，以防止暴露于分析物的表面上的氧化有机硅烷基团的表面的至受体分析物敏感的有机硅烷层上方 它包括。