公开(公告)号：KR1020210014191A

公开(公告)日：2021-02-08

申请号：KR1020210013935

申请日：2021-02-01

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 박주형 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  조아라 ,  유진수 ,  조준식 ,  안승규 ,  어영주 ,  김기환 ,  신동협 ,  정인영

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은 CIGS 태양전지의광흡수층을제조하는방법으로서, 단일공정법을이용하여 Cu, In, Ga 및 Se을동시에증발시켜박막층을기판에증착시키는단계를 n번(여기서 n은 2 이상의자연수) 반복하여 n개의층으로구성된박막층이형성된 CIGS 광흡수층의제조방법, 이에의해제조된 CIGS 박막형광흡수층을이용한박막태양전지제조방법및 이에의해제조된박막태양전지에관한것으로, 본발명에따르면상기제조방법을통해 CIGS 광흡수층을제조하는경우, 단일공정법을통해서도밴드갭기울기를갖는박막층을제조할수 있어공정이간단하면서도얇은두께에서도밴드갭기울기를갖는박막을제조할수 있다.

公开(公告)号：KR1020180097288A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：KR1020170024088

申请日：2017-02-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 박정재 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  안승규 ,  조준식 ,  박주형 ,  어영주 ,  김기환 ,  유진수 ,  안세진 ,  조아라

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은유연기판고정장치및 이를이용한 CIGS계박막태양전지제조방법에관한것으로, 유연기판의마주하는양측가장자리에체결되는적어도한 쌍의유연기판고정장치로서, 상기유연기판을향하는면에형성된복수의제1 돌출부가상기유연기판의상면에접촉되어상기상면을지지하는제1 지지부; 및상기유연기판의하면에접촉되어상기하면을지지하는제2 지지부를포함하며, 상기제1 지지부및 상기제2 지지부가상기유연기판의양측가장자리에지지력을제공하면, 상기유연기판의위치가고정되는것을특징으로한다. 본발명은, 유연기판의마주하는양측가장자리에적어도한 쌍의유연기판고정장치를체결함으로써, 유연기판상에균일한 CIGS 광흡수층을형성할수 있고, 유연기판의정확한온도측정이가능하며, 유연기판에전달된열 에너지가유연기판내에고르게분포될수 있다.

公开(公告)号：KR101628957B1

公开(公告)日：2016-06-13

申请号：KR1020130138965

申请日：2013-11-15

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  조준식 ,  박주형 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조아라 ,  신기식 ,  안승규 ,  유진수

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은박막태양전지에관한것으로, 더욱상세하게는삼각형또는사다리꼴형상으로패터닝된그리드전극과이를적용한박막태양전지의제조방법에관한것이다. 이에본 발명은박막태양전지에서의그리드전극제조방법에있어서, 투명전극층위에그리드전극층을형성하는단계, 상기그리드전극층의단면이삼각형또는사다리꼴형상을이루도록패터닝하는단계를포함하는것을특징으로하는패터닝된그리드전극의제조방법을제공한다. 본발명의삼각형또는사다리꼴형상으로패터닝된그리드전극의제조방법에따르면, 빛의반사와산란이발생하는그리드전극층의단면이삼각형또는사다리꼴형상을이룸으로써경사각이생기고, 이에투명전극층에도달할수 있는유효반사면적과유효산란면적이증대하게된다. 이로인하여투명전극층의광포획효과(light trapping)가향상되고이로인해광전변환율이높아지는효과가있다.

公开(公告)号：KR101594841B1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：KR1020140134625

申请日：2014-10-07

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  곽지혜 ,  조아라 ,  안세진 ,  안승규 ,  조준식 ,  박주형 ,  유진수 ,  윤재호 ,  김기환 ,  김경수 ,  윤경훈 ,  신기식

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0508 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0512 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/05

Abstract: 태양전지모듈, 태양전지모듈의제조방법, 태양광발전시스템및 인터커넥션리본이개시된다. 본발명에따른태양전지모듈은복수개의태양전지셀이인터커넥션리본을통해직렬또는병렬로연결된태양전지모듈에있어서, 상기인터커넥션리본은, 상기태양전지모듈이구부러짐에따라발생되는텐션(Tension)을저감시키도록지그재그(Zigzag)로형성된다.

Abstract translation: 公开了一种太阳能电池模块，太阳能电池模块的制造方法，太阳能发电系统和互连带。 根据本发明，多个太阳能电池单元通过太阳能电池模块中的互连带串联或并联连接。 互连带形成为锯齿状，以减少由于太阳能电池模块的弯曲而产生的张力。

公开(公告)号：KR101591719B1

公开(公告)日：2016-02-05

申请号：KR1020140117639

申请日：2014-09-04

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조아라 ,  곽지혜 ,  어영주 ,  안세진 ,  안승규 ,  조준식 ,  박주형 ,  유진수 ,  윤재호 ,  김기환

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/0445

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0749

Abstract: 본발명은태양전지의광흡수층을제조하기위한고압셀렌화공정을이용한비진공박막제조방법에관한것으로, 소정의부분압을유지하는셀레늄(Se) 가스분위기에서열처리하여 CI(G)S계박막을형성하는방법과이를적용한태양전지에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及使用高压硒化工艺制造太阳能电池的光吸收层的薄膜的非真空加工制造方法，以及形成CI（S）G基薄膜的方法 通过保持预定分压的硒（Se）气体气氛中的热处理和应用形成CI（S）G基薄膜的方法的太阳能电池。

公开(公告)号：KR1020160004571A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：KR1020140083029

申请日：2014-07-03

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 박주형 ,  조준식 ,  어영주 ,  윤재호 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  안승규 ,  유진수 ,  조아라 ,  김기환

IPC: H01L31/046 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/046 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

Abstract: 양극산화알루미늄나노패턴이형성된박막태양전지연성기판의응력완화층의제조방법과후면전극의전반사막제조방법및 이를포함하여구성되는박막태양전지에관한것으로, 나노사이즈패터닝이구조적으로연성기판의응력을완화하고, 광경로를더욱길게연장하여전체적인광전효율을크게향상시키는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及具有阳极氧化铝（AAO）纳米图案的柔性基板的应力松弛层的制造方法，背面电极的全反射层的制造方法以及薄膜太阳能电池， 相同。 通过柔性基板的结构松弛应力和通过纳米尺寸图案延伸光路，总光电效率显着增加。 具有AAO纳米图案的柔性基板的应力松弛层的制造方法包括以下步骤：制备柔性基板; 在柔性基板上沉积由单层或多层组成的应力松弛层; 在应力松弛层的表面上沉积薄膜铝; 用DI水电抛光和清洗以降低薄膜铝的表面粗糙度; 首先阳极氧化薄膜铝; 从薄膜铝蚀刻和去除第一阳极化氧化铝层; 第二次阳极氧化薄膜铝; 扩大第二阳极化氧化铝层的孔，形成AAO模板; 并使用图案化的AAO模板湿蚀刻或干蚀刻应力松弛层。

公开(公告)号：KR101554658B1

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：KR1020130074055

申请日：2013-06-26

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  조준식 ,  박주형 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조아라 ,  신기식 ,  안승규 ,  유진수 ,  박상현

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은후면전극이이중층으로구성된 CIGS 박막태양전지에관한것으로, 태양전지에서의투명전극의제조방법에있어서, 버퍼층(400)위에투명전극(500)을형성시키는단계(s1000); 상기투명전극(500) 위에전도성고분자무반사코팅층(510)을형성시키는단계(s2000); 를포함하는것을특징으로하여, 태양광의반사를억제하고, 태양광의광흡수층내에서의광경로를증가시킴으로써광-전기변환의효율을극대화시킨것이다.

公开(公告)号：KR101508132B1

公开(公告)日：2015-04-06

申请号：KR1020120151848

申请日：2012-12-24

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  조아라 ,  조준식 ,  박주형 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  안세진 ,  안승규 ,  유진수 ,  박상현

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 태양전지에사용되는광흡수층으로사용되는 CI(G)S박막제조공정에서 Chelating Agent가첨가하여, 광흡수층의원료로사용되는 CuI, InI및 NaSe의용해시 Cu 또는 In 과 complex를형성하여 Se 이온과결합을구조적으로방해함으로써, 크기가작은입자를만들수 있다. 따라서, 기공(Porosity)의크기를줄이고, 조성의균일도가향상된 CI(G)S박막을제조할수 있다. 또한, 크고각 공정별로셀렌화공정조건의변화시켜야하고, 또한, 공정조건의변화가적합하지않을경우, 제조된흡수층이나 CI(G)S박막의조성이균일도가떨어지는기존의흡수층이나 CI(G)S박막제조방법의문제점을해소할수 있다.

公开(公告)号：KR101503043B1

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：KR1020140044484

申请日：2014-04-14

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조아라 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  어영주 ,  안승규 ,  조준식 ,  유진수 ,  박주형 ,  김기환

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L31/032 ,  H01L31/04 ,  Y02E10/52

Abstract: The present invention relates to a thin film solar cell and, specifically, to a method for manufacturing a thin film having an optical absorption layer including group Ib elements, group VIa elements, and group Va elements; and a thin film solar cell using the same. The present invention provides a method for manufacturing a transparent electrode of the solar cell, and particularly a method for manufacturing the optical absorption layer of the thin film solar cell, including: a substrate (100); a back side electrode layer (200) formed on the substrate; the optical absorption layer (300) formed on the back side electrode layer (200); a buffer layer (400) formed on the optical absorption layer; and a transparent electrode layer (500) formed on the buffer layer (400). The method for manufacturing the optical absorption layer of the thin film solar cell comprises the steps of: manufacturing binary nanoparticles of the group Ib elements-the group VIa elements (s100); adding a solvent, a binder, and a solution precursor including the group Va elements to the binary nanoparticles of the group Ib elements-the group VIa elements to manufacture binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements (s200); dispersing and mixing the binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements (s300); coating the binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements on the back side electrode layer (200) (s400); and heat-treating the coated nanoparticles slurry while supplying the group VIa elements (s500).

Abstract translation: 薄膜太阳能电池技术领域本发明涉及薄膜太阳能电池，具体地说涉及一种具有含有Ib族元素，VIa族元素和Va族元素的光吸收层的薄膜的制造方法。 和使用其的薄膜太阳能电池。 本发明提供一种太阳能电池的透明电极的制造方法，特别是制造薄膜太阳能电池的光吸收层的方法，包括：基板（100）; 形成在所述基板上的背面电极层（200） 形成在背面电极层（200）上的光吸收层（300）; 形成在所述光吸收层上的缓冲层（400） 和形成在缓冲层（400）上的透明电极层（500）。 制造薄膜太阳能电池的光吸收层的方法包括以下步骤：制备Ib族元素的二元纳米颗粒 - 族VIa元素（s100）; 将包含Va族元素的溶剂，粘合剂和溶液前体加入到组Ib元素的二元纳米颗粒 - 组VIa元素中，以制备Ib族元素 - 组VIa元素（s200）的二元纳米颗粒浆料; 分散和混合组Ib元素的二元纳米颗粒浆料 - 组VIa元素（s300）; 涂覆Ib族元素的二元纳米颗粒浆料 - 背面电极层（200）上的VIa族元素（s400）; 并在提供VIa族元素的同时对涂覆的纳米颗粒浆料进行热处理（s500）。

公开(公告)号：KR1020150006926A

公开(公告)日：2015-01-20

申请号：KR1020130080222

申请日：2013-07-09

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 박주형 ,  조준식 ,  어영주 ,  윤재호 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  곽지혜 ,  박상현 ,  안세진 ,  안승규 ,  유진수 ,  조아라

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02168 ,  G02B6/1226 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

Abstract: 본 발명은 광산란용 금속 나노구조층이 형성된 투명전극을 갖는 CIGS 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 태양전지에서의 투명전극의 제조방법에 있어서, 버퍼층(400)위에 투명전극층(500)을 형성시키는 단계(s1000); 상기 투명전극층(500) 위에 광산란용 금속 나노구조층(510)을 형성시키는 단계(s2000)를 포함하는 것을 특징으로 하여, 태양광의 광경로를 증가시켜 광포획 성능을 개선시킴으로써 광-전기 변환의 효율을 극대화시키는 효과가 있는 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及具有用于散射光的金属纳米结构层的透明电极及其制造方法的CIGS薄膜太阳能电池。 根据本发明，太阳能电池中的透明电极的制造方法包括：在缓冲层（400）上形成透明电极层（500）的工序（s1000）。 以及形成用于在透明电极层（500）上散射光的金属纳米结构层（510）的步骤（s2000）。 太阳光的光路可以增加以提高光捕获性能，从而最大化光电转换效率。