-
公开(公告)号:KR1020210014191A
公开(公告)日:2021-02-08
申请号:KR1020210013935
申请日:2021-02-01
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 본발명은 CIGS 태양전지의광흡수층을제조하는방법으로서, 단일공정법을이용하여 Cu, In, Ga 및 Se을동시에증발시켜박막층을기판에증착시키는단계를 n번(여기서 n은 2 이상의자연수) 반복하여 n개의층으로구성된박막층이형성된 CIGS 광흡수층의제조방법, 이에의해제조된 CIGS 박막형광흡수층을이용한박막태양전지제조방법및 이에의해제조된박막태양전지에관한것으로, 본발명에따르면상기제조방법을통해 CIGS 광흡수층을제조하는경우, 단일공정법을통해서도밴드갭기울기를갖는박막층을제조할수 있어공정이간단하면서도얇은두께에서도밴드갭기울기를갖는박막을제조할수 있다.
-
-
公开(公告)号:KR102025091B1
公开(公告)日:2019-09-25
申请号:KR1020180060601
申请日:2018-05-28
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/0392
-
公开(公告)号:KR102025077B1
公开(公告)日:2019-09-25
申请号:KR1020180024304
申请日:2018-02-28
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H02S20/26
-
公开(公告)号:KR102009308B1
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:KR1020180024297
申请日:2018-02-28
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0384
-
-
-
-
-