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公开(公告)号：WO2022186439A1
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：PCT/KR2021/015384
申请日：2021-10-29
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 본 발명은 전도성기판, 이를 이용한 페로브스카이트 기판 및 이를 이용한 태양전지를 개시한다. 본 발명에 따르는 전도성기판, 이를 이용한 페로브스카이트 기판 및 이를 이용한 태양전지는 화학식 1, 2 또는 3으로 표시되는 전도성 화합물을 적층된 전도성기판을 포함하는데, 이에 의하면 특정한 전도성 화합물을 통하여 하나 이상의 전자 산화-환원이 가능하고, p형 유기 분자특성을 지니며, 페로브스카이트의 원자가띠와 일치하는 산화전위 또는 HOMO를 가져 페로브스카이트 재료의 응용 어플리케이션을 위하여 광흡수층에서 생성된 정공을 선택적으로 분리시켜 광전변환 효율이 향상되고 정방향 변환효율과 역방향 변환효율의 차이(hysteresis index)를 크게 개선한 효과를 발휘한다.
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公开(公告)号：KR1020210014191A
公开(公告)日：2021-02-08
申请号：KR1020210013935
申请日：2021-02-01
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 본발명은 CIGS 태양전지의광흡수층을제조하는방법으로서, 단일공정법을이용하여 Cu, In, Ga 및 Se을동시에증발시켜박막층을기판에증착시키는단계를 n번(여기서 n은 2 이상의자연수) 반복하여 n개의층으로구성된박막층이형성된 CIGS 광흡수층의제조방법, 이에의해제조된 CIGS 박막형광흡수층을이용한박막태양전지제조방법및 이에의해제조된박막태양전지에관한것으로, 본발명에따르면상기제조방법을통해 CIGS 광흡수층을제조하는경우, 단일공정법을통해서도밴드갭기울기를갖는박막층을제조할수 있어공정이간단하면서도얇은두께에서도밴드갭기울기를갖는박막을제조할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102025091B1
公开(公告)日：2019-09-25
申请号：KR1020180060601
申请日：2018-05-28
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/0392
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公开(公告)号：KR102025077B1
公开(公告)日：2019-09-25
申请号：KR1020180024304
申请日：2018-02-28
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H02S20/26
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公开(公告)号：KR102009308B1
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：KR1020180024297
申请日：2018-02-28
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0384
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