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公开(公告)号：KR100864833B1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：KR1020070041618
申请日：2007-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L49/003 , H01L29/94 , H03B17/00
Abstract: 본 발명은 MIT 소자를 이용하여 간단하면서도 매우 높은 발진 주파수를 발생시킬 수 있는 MIT 소자 기반의 발진 회로 및 그 발진 회로 구동방법을 제공한다. 그 발진 회로는 금속-절연체 전이(metal-insulator transition: MIT) 박막 및 상기 MIT 박막에 접속되는 전극 박막을 구비하고, MIT 발생 전압에서 불연속 MIT가 일어나는 MIT 소자; 상기 MIT 소자에 직렬로 연결되는 저항 소자; 상기 MIT 소자에 최대 통전 전류를 제한하면서 직류 정전압을 인가하는 전원; 및 상기 MIT 소자에 전자파를 조사하는 광원;을 포함하여, 상기 광원을 통한 전자파 조사에 의해 상기 MIT 소자에서 발진 특성을 발생시킬 수 있다. 또한, 상기 발진 회로는 금속-절연체 전이(metal-insulator transition: MIT) 박막 및 상기 MIT 박막에 접속되는 전극 박막을 구비하고, MIT 발생 전압에서 불연속 MIT가 일어나는 MIT 소자; 상기 MIT 소자에 직렬로 연결되는 저항 소자; 및 상기 MIT 소자에 단 펄스(short pulse) 전압을 인가하는 전원;을 포함하고, 상기 단 펄스 전압 인가에 의해 상기 MIT 소자에서 발진 특성을 발생시킬 수도 있다.
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公开(公告)号：KR100864827B1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：KR1020070011121
申请日：2007-02-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H03K19/20
Abstract: 본 발명은 종래의 실리콘 반도체 기반의 논리소자들의 문제점들 극복하기 위하여, 전계 또는 전압의 변화에 따라 절연체에서 금속으로 불연속 전이를 일으키는 MIT 소자를 이용하여 논리 연산을 수행할 수 있는 MIT 소자를 이용한 논리회로를 제공한다. 그 논리회로는 MIT(metal-insulator transition) 박막 및 MIT 박막에 컨택하는 전극 박막을 구비하고 전이 전압(V
T )에서 불연속 MIT가 일어나는 MIT 소자를 적어도 1개 구비한 MIT 소자부; MIT 소자에 전원을 인가하는 전원을 적어도 1개 포함하는 전원부; 및 MIT 소자에 연결된 적어도 1개의 저항;을 포함하고, 전원을 통해 인가된 신호에 대하여 논리 연산된 신호를 출력한다.-
公开(公告)号：KR1020080086335A
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：KR1020070109611
申请日：2007-10-30
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02579 , H01L21/22 , H01L21/324
Abstract: A method of forming a p-type zinc oxide layer and a method of fabricating a semiconductor device including the same are provided to realize large area mass production by forming a dopant layer doped with a p-dopant on an n-type zinc oxide layer and diffusing the p-dopant into the zinc oxide layer. A method of forming a p-type zinc oxide layer includes the steps of: forming a dopant layer(114) doped with a p-dopant on a substrate(112); forming a first zinc oxide layer(116) on the dopant layer doped with the p-dopant; and subjecting the dopant layer and the first zinc oxide layer to a thermal treatment. The first zinc oxide layer is in contact with the dopant layer directly.
Abstract translation: 提供了形成p型氧化锌层的方法以及制造其的半导体器件的制造方法，以在n型氧化锌层上形成掺杂有p掺杂剂的掺杂剂层来实现大面积批量生产， 将p-掺杂剂扩散到氧化锌层中。 形成p型氧化锌层的方法包括以下步骤：在衬底（112）上形成掺杂有p掺杂剂的掺杂剂层（114）; 在掺杂有p掺杂剂的掺杂剂层上形成第一氧化锌层（116）; 并对掺杂剂层和第一氧化锌层进行热处理。 第一氧化锌层直接与掺杂剂层接触。
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公开(公告)号：KR1020080047238A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：KR1020070041618
申请日：2007-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L49/003 , H01L29/94 , H03B17/00
Abstract: An oscillation circuit based upon an MIT(metal insulator transition) device is provided to form an oscillation circuit capable of generating a very high oscillation frequency by adding only one resistance element connected in series with an MIT device. An MIT device(800) includes an MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film wherein discontinuous MIT occurs at an MIT generation voltage in the MIT device. A resistance element(700) is connected in series with the MIT device. A power source(600) applies a DC constant voltage to the MIT device, limiting maximum conduction current. A light source(900) irradiates electromagnetic wave to the MIT device. An oscillation characteristic occurs in the MIT device by the irradiation of the electromagnetic wave of the light source. The light source can be an infrared light source, and the MIT generation voltage of the MIT device decreases as the intensity of the infrared of the light source increases.
Abstract translation: 提供了一种基于MIT（金属绝缘体转换）器件的振荡电路，以形成能够通过仅添加与MIT器件串联连接的一个电阻元件而产生非常高的振荡频率的振荡电路。 MIT装置（800）包括MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，其中在MIT装置中以MIT产生电压发生不连续MIT。 电阻元件（700）与MIT器件串联连接。 电源（600）向MIT装置施加直流恒定电压，限制最大传导电流。 光源（900）向MIT设备照射电磁波。 通过照射光源的电磁波，在MIT装置中产生振荡特性。 光源可以是红外光源，并且MIT装置的MIT产生电压随着光源的红外线强度的增加而减小。
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公开(公告)号：KR100825738B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060098638
申请日：2006-10-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/0676 , H01L28/40 , H01L49/003
Abstract: 다양한 제너 전압을 조절할 수 있고, 제조공정이 간단한 급격한 금속-절연체 전이를 이용한 전압조정 시스템을 제공한다. 그 시스템은 입력전원과 직렬로 연결된 직렬저항 R
c 과 직렬로 연결되며, 직렬저항 R
c 의 저항값에 따라 출력전압을 일정하게 유지하는 전압조정 구간의 폭이 달라지는 급격한 금속-절연체 전이를 하는 MIT 절연체를 포함한다.
급격한 금속-절연체 전이, 직렬저항, 전압조정-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100799591B1
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020060124117
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05B33/22
Abstract: An electro-luminescent device including a metal-insulator transition layer is provided to remarkably decrease a VTH value of a thin-film ELD(Electro-Luminescent Device) and remarkably increase a luminance and an increased speed of the luminance. An electro-luminescent device(100) includes a transparent substrate(102), a second electrode(104), a second insulating layer(106), a fluorescent layer(108), an MIT(Metal-Insulator Transition) layer(110), a first insulating layer(112), and a first electrode(114). The fluorescent layer is positioned on a substrate and includes a light emitting center ion which can emit light. The metal insulator transition layer is disposed at one side of the fluorescent layer and rapidly transits an insulator to a metal by a voltage change. The first insulating layer is attached to the MIT layer and distributes a voltage applied from the outside. The second insulating layer is disposed at the other side of the fluorescent layer. An external voltage is applied to the first electrode attached to the first insulating layer. The external voltage is applied to the second electrode attached to the second insulating layer.
Abstract translation: 提供了包括金属 - 绝缘体过渡层的电致发光器件，以显着降低薄膜ELD（电致发光器件）的VTH值，并显着提高亮度和提高亮度的速度。 电致发光器件（100）包括透明基板（102），第二电极（104），第二绝缘层（106），荧光层（108），MIT（金属 - 绝缘体转移） ，第一绝缘层（112）和第一电极（114）。 荧光层位于基板上，并且包括可发光的发光中心离子。 金属绝缘体过渡层设置在荧光层的一侧，并通过电压变化快速地将绝缘体转移到金属。 第一绝缘层附接到MIT层并且分配从外部施加的电压。 第二绝缘层设置在荧光层的另一侧。 向附着在第一绝缘层上的第一电极施加外部电压。 将外部电压施加到附接到第二绝缘层的第二电极。
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公开(公告)号：KR100723872B1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：KR1020060015634
申请日：2006-02-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/10 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C13/0014 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/148
Abstract: 구조변화를 겪지 않고 균일한 박막을 유지하며, 고속 스위칭 동작이 가능한 메모리소자 및 그 동작방법을 제공한다. 그 소자 및 방법은 전자의 에너지 변화에 의해 급격하게 금속-절연체 전이를 하는 금속-절연체 전이 물질층에 콘택되고, 열에 의해 용융되어 전이 물질층에 도전성 경로를 형성하는 적어도 2개의 전극들을 포함한다.
금속-절연체 전이, 구조변화, 도전성 경로. 메모리-
公开(公告)号：KR1020070014935A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020060015635
申请日：2006-02-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/3245 , H01L21/67103 , H01L21/68728
Abstract: A wafer having an abrupt metal-insulator transition is provided to mass-produce wafers with a large diameter by applying heat while using a heater fixed by a plurality of fixing units to a wafer having an abrupt metal-insulator transition wherein the wafer is covered with a thermally opaque layer. An abrupt metal-insulator transition can be performed in a substrate. A metal layer is coated or deposited on the substrate by using paste with good electrical conductivity and thermal conductivity. The metal layer includes elements like Li, Be, C, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Ti, Pb, Bi, Po, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Th, U, Np, Pu and O or a multilayered thin film, alloy or a compound composed of the abovementioned elements.
Abstract translation: 提供了具有突变的金属 - 绝缘体转变的晶片，以通过在将由多个固定单元固定的加热器用于具有突然的金属 - 绝缘体转变的晶片的同时施加热量大量生产晶片，其中晶片被覆盖有 不透热层。 可以在衬底中进行突然的金属 - 绝缘体转变。 通过使用具有良好导电性和导热性的糊料将金属层涂覆或沉积在基底上。 金属层包括诸如Li，Be，C，Na，Mg，Al，K，Ca，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ga，Rb，Sr，Y， Zr，Nb，Mo，Tc，Ru，Rh，Pd，Ag，Cd，In，Sn，Sb，Cs，Ba，La，Hf，Ta，W，Re，Os，Ir，Pt，Au， Pb，Bi，Po，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，Th，U，Np，Pu和O或多层薄膜，合金或 由上述元素组成的化合物。
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公开(公告)号：KR100639990B1
公开(公告)日：2006-10-31
申请号：KR1020050039098
申请日：2005-05-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L49/003 , H01L29/452
Abstract: 급격한 금속-절연체 전이 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 급격한 금속-절연체 전이 소자의 전극을 Ni(또는 Cr)/In/Mo(또는 W)/Au의 적층막으로 구성한다. Ni(또는 Cr)/In은 저저항 콘택을 위한 것으로, 열처리 과정시 계면 반응에 의해 형성되는 화합물을 이용하여 급격한 금속-절연체 전이 물질막과 전극 사이의 포텐셜 배리어(potential barrier)를 낮추어 전류 유입 효율을 증가시킨다. 그리고, 고출력 소자 동작시 고온 동작시에도 열적으로 안정되게 하는 역할을 수행한다. Mo(또는 W)는 In과 Au 사이에 도입되어 소자 고온 동작 과정에서 Au의 열 확산에 의한 오믹 특성 저항을 방지한다. 본 발명에 따르면 전극 파탄이 없고 신뢰성이 우수한 급격한 금속-절연체 전이 소자를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060101208A
公开(公告)日：2006-09-22
申请号：KR1020060001677
申请日：2006-01-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L49/003
Abstract: 본 발명은 정격신호전압보다 낮은 잡음신호를 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로 및 그 회로를 포함한 전기전자시스템을 제공한다. 그 잡음 방지 회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 직렬 연결된 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 포함한다. 본 발명은 소정 전압에서 급격한 금속-절연체 전이 특성을 갖는 급격한 MIT 소자를 전기전자시스템에 직렬로 연결함으로써, 저전압 잡음을 효과적으로 제거할 수 있다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로, 노이즈 필터
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