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    이종접합소자의 n형 오믹접촉 형성방법
    122.
    发明公开
    이종접합소자의 n형 오믹접촉 형성방법 失效

    公开(公告)号：KR1019950021229A

    公开(公告)日：1995-07-26

    申请号：KR1019930027029

    申请日：1993-12-09

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 박성호 ,  박철순

    IPC: H01L21/328

    Abstract: 본 발명은 이종접합 소자의 n형 오믹접촉 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명은 이종접합 소자의 중요한 전극인 에미터 오믹금속(9)으로서 새로운 합금계를 사용하였고, 또한 이 금속표면상에 전자 사이클로트론(ECR)이중 절연막을 도포하여 열처리함으로써 전반적인 에미터 접촉특성을 개선시킴으로써 에미터 접촉저항을 낮춰 이종접합소자의 고속특성을 더욱 향상히킬 뿐만 아니라, 전기적 균일성을 좋게 하여 소자의 신뢰성을 제고시키는 것이 가능하다.

    알루미늄 비소(AlAs) 보호막을 이용한 화합물 반도체 소자의 제조방법
    127.
    发明公开
    알루미늄 비소(AlAs) 보호막을 이용한 화합물 반도체 소자의 제조방법 失效
    用于制造使用砷化铝（AlAs）保护膜的化合物半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1019940016454A

    公开(公告)日：1994-07-23

    申请号：KR1019920023357

    申请日：1992-12-04

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 이정희 ,  박성호 ,  강진영

    IPC: H01L21/335

    Abstract: 본 발명은 갈륨비소 화합물 반도체의 이온주입(Ion Implantation)공정, 분자선 에피성장(Molecular Beam Epitaxy : MBE) 및 플라즈마 화학증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition : PECVD)을 기초로 하여 이온주입된 갈륨비소층을 활성화시키는 화합물 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 이온주입되어 이온주입층(20)이 형성된 갈륨비소 기판(10)을 활성화 하여 전기적 채널을 형성하는 화합물 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 상기 이온주입층(20)이 형성된 갈륨비소 기판(10)상에 알루미늄 비소층(30)과 갈륨비소층(40)을 에피택셜 공정에 의해 성장하는 공정과, 상기 갈륨비소층(40)상에 PECVD을 이용하여 SiO
    2 층(50)을 형성하는 공정과, 상기 기판(10)을 고온 열처리 하는 공정과, 상기 SiO
    2 층(50)과 갈륨비소층(40) 및 알루미늄 비소층(30)을 식각하는 공정을 포함한다.

    화합물 반도체 표면의 표면보호막 형성방법
    128.
    发明授权
    화합물 반도체 표면의 표면보호막 형성방법 失效
    用于化合物半导体器件的表面钝化膜的形成方法

    公开(公告)号：KR1019940000155B1

    公开(公告)日：1994-01-07

    申请号：KR1019900021811

    申请日：1990-12-26

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 이종람 ,  이정희 ,  박성호 ,  김진섭 ,  박형무

    IPC: H01L21/31

    Abstract: The method is characterized by forming a sulfur insulating film on the surface of a compound semiconductor by using a mixed solution of a conventional etching solution and a sulfur treatment solution. In the above method, etching and sulfur treatment can be performed simultaneously by dipping a compound semiconductor into the mixed solution of etching solution of NH4OH + H2O2 + H2O (20:7:973) and sulfur treatment solution of (NH4)2Sx(x=0.2-2.0) at the ratio of 1/0.1-1/10 for 1-10 mins at the initial stage of treating process and a mixed solution of NH4OH + H2O2 + H2O (4:1:4000) and (NH4)2Sx(x=0.2-2.0) at the ratio of 1/0.1-1/10 can be used at the gate recess process.

    Abstract translation: 该方法的特征在于通过使用常规蚀刻溶液和硫处理溶液的混合溶液在化合物半导体的表面上形成硫绝缘膜。 在上述方法中，可以通过将化合物半导体浸入NH 4 OH + H 2 O 2 + H 2 O（20:7:973）的蚀刻溶液和（NH 4）2 S x的硫处理溶液（x = 0.2-2.0）在处理初始阶段为1 / 0.1-1 / 10的比例为1-10分钟，NH 4 OH + H 2 O 2 + H 2 O（4:1:4000）和（NH4）2Sx（ x = 0.2-2.0）可以在栅极凹陷处理中使用1 / 0.1-1 / 10的比例。

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