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公开(公告)号：KR1019970008342B1
公开(公告)日：1997-05-23
申请号：KR1019930027620
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/265
Abstract: A method of fabricating a high-speed optical switch according to ion implantation includes the steps of sequentially growing an n- InGaAsP optical waveguide layer 2 and n- InP layer 3' on an n+ InP substrate 1 using epitaxy, depositing SiNx 7' on the substrate, etching a portion of the SiNx layer, corresponding to the intersection of waveguide, ion-implanting an n-type dopant 8 into the n- InGaAsP optical waveguide layer 2 and carrying out heat treatment, to activate the implanted dopant, removing the SiNx layer 7' and n- InP layer 3' ion-implanted, sequentially growing an n- InP clad layer 3, p- InP layer 4, n- InGaAs layer 5 and current blocking layer of p- InGaAs layer 6, selectively etching the n- InGaAs layer 5 in the form of groove, diffusing Zn into the overall surface of the substrate and etching a predetermined portion of the aforementioned layers formed on the waveguide layer, other than the waveguide, depositing a SiNx insulating layer 7 on the overall surface of the substrate, forming a p-type electrode 10 through lift-off process and forming an n-type electrode 11.
Abstract translation: 根据离子注入制造高速光开关的方法包括以下步骤：使用外延在n + InP衬底1上顺序地生长n-InGaAsP光波导层2和nInP层3'，将SiNx 7'沉积在 衬底，蚀刻SiNx层的一部分，对应于波导的交点，将n型掺杂剂8离子注入n-InGaAsP光波导层2中并进行热处理，以激活注入的掺杂剂，去除SiNx 层7'和n- InP层3'，依次生长n-InP包层3，p-InP层4，n-InGaAs层5和pInGaAs层6的电流阻挡层，选择性地蚀刻n - 以沟槽形式的InGaAs层5，将Zn扩散到基板的整个表面中，并且蚀刻形成在除了波导之外的波导层上的上述层的预定部分，将SiN x绝缘层7沉积在 基数 te，通过剥离工艺形成p型电极10并形成n型电极11。
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公开(公告)号：KR1019960009245A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019940019495
申请日：1994-08-08
IPC: H01L31/14
Abstract: 본 발명은 광의 생성, 검출, 변조 및 분배기능을 수행하는 각종의 광소자의 플립-칩(flip-chip bonding) 방법과 이 방법에 의해 플립-칩 본딩된 광소자와 광섬유를 패키징하는 방법에 관한 것으로서, 특히 실리콘 V-홈(groove)을 이용하여 기판과 칩 사이의 간격을 최소화시킬 수 있는 플립-칩 본딩방법 및 그를 사용한 패키징방법에 관한 것이다.
본 발명은 실리콘기판내에 소정의 V-홈(groove)을 형성하는 단계와, 상기 기판의 V-홈 내부에 솔더범프용 금속패드를 형성하는 단계와, 상기 금속 패드상부에 솔더 범프를 형성하는 단계와, 절연막, 금속패드 및 광소자 등을 구비한 소정 칩을 뒤집어서 상기 기판과 정렬시킨 후, 상기 솔더범프를 용융점 이상의 온도로 가열하여 리플로우(reflow)시킨 상태에서 칩에 압력을 가하여 상기 기판과 칩을 밀착, 고정시키는 단계와, 상기 기판위에 광섬유가 고정될 별도의 V-홈을 형성한 후, 광섬유를 상기 별도의 V-홈에 정렬시키고, 에폭시를 이용하여 고정시키는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1019950021811A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027342
申请日：1993-12-11
Abstract: 본 발명은 내부 전반사형 광스위치에 관한 것으로, 특히 SiNx를 자기정합 마스크를 이용하여 선택식각하여 트랜치틀 형성한후 재성장방법에 의해 제조되는 내부 전반사형 광스위치에 관한 것이다.
또한 본 발명에서 제안된 광스위치는 에피의 성장, SiNx 마스크를 이용하여 식각을 통한 Trenchfmf 형성한후 SiNx마스크를 이용하여 신택적 재성장 방법을 이용하여 전반사면을 위한 전류주입층을 형성한뒤, 도파로층을 식각하고 오믹층의 형성, 전극중착등에 의해 제작되어진다.
그리고 자기정렬 방법에 의해 반사면을 이루는 부분을 식각에 이온 재성장업을 사용함으로써 종래의 Zn확산법에 의해 형성되는 전반사 영역보다 도핑분포를 조절함이 용이하여 전류 주입층과 도파로층간의 도핑이 계단형분포를 이룸으로 전류 주입에 의한 스위칭 효율을 증가시킬 수 있으며, 전류주입층 이외의 영역은 이미 SiNx로 덮여있으므로 오믹금속층을 증착하는 공정을 용이하게 하며 또한 상층 클래딩 영역에 반절연 InP를 삽입하여 광도파로의 전파손실을 주지않으면서 전류 주입시 전류의 확산을 막는 구조이다.-
公开(公告)号：KR1019950021810A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027341
申请日：1993-12-11
Abstract: 본 발명은 전류주입에 의한 내부 전반사형 광스위치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 광스위치의 반사영역부분의 코아층의 도핑을 높게하여 도파로의 손실을 줄이고 광스위치의 동작속도를 증가시키는 내부 전반사형 광스위치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 n
+ -lnP기판(1)상에 n
- -InGaAsP광도파로층(2), n
- -lnP층(3)을 1차 결정성장하고, 도파로의 교차로 부분이 형성되는 n
- -lnP층(3), n
- -InGaAsP층(2)을 선택식각하여 제거하고, 도핑레벨을 높인 전류차단층(4~7)과 P
- -InGaAs캡층(8)을 2차 결정성장하고, 도파로 교차부분에서 전류주입시켜 광의 반사를 일으킬 부분을 홈모양으로 선택식각하고, SiNx마스크로 상기 홈모양의 선택식각된 부분만을 Zn확산하거나 웨이퍼 전면은 Zn 확산시키고, 도파로를 제외한 부분의 충돌(8~5)을 선택식각하여 제거하고, SiNx절연막(9)을 전면에 중착하고 P형전극(11)부분의 SiNx절연막(9)을 식각하고 P형전극(11)을 중착한후 n형전극(12)을 중착하여 제조한다.
또한 상기 제방법에 대한 본 발명은 전류주입에 의한 내부 전반사형 광스위치의 속도를 고속화하여 광교환용량을 증가시킨다.-
公开(公告)号：KR1020170105999A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160029518
申请日：2016-03-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 오광룡
IPC: H01S3/08 , H01S3/067 , H01S3/0941 , H01S3/094
CPC classification number: H01S5/0657 , H01S3/08031 , H01S3/083 , H01S5/026 , H01S5/142 , H01S5/323 , H01S5/34306
Abstract: 본발명의실시예에따른자체모드잠김레이저시스템은반도체기판과, 상기반도체기판상에마련된제1 반도체부를구비하며광 신호를생성하는레이저다이오드와, 상기반도체기판상에마련된제2 반도체부를구비하고단일방향의방사각을갖는 WGM(Whispery Gallery Mode) 공진기, 및상기반도체기판상에서상기레이저다이오드와상기공진기가광학적으로결합되어상기레이저다이오드의광 신호에의한모드잠김(Mode-Lock)된광 신호를방사하는구조체를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的自锁模激光系统包括半导体衬底，具有设置在半导体衬底上的第一半导体部分并产生光信号的激光二极管以及设置在半导体衬底上的第二半导体部分， 具有单向发射角的WGM（Whispery Gallery Mode），以及激光二极管和谐振器光耦合在半导体衬底上，以通过激光二极管的光信号发射模式锁定光信号。 可被包括的结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170098518A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020160020536
申请日：2016-02-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 오광룡
CPC classification number: H01S5/141 , G01J3/18 , G01J3/45 , G01J2003/1842 , H01S5/0028 , H01S5/028 , H01S5/4062 , H01S5/4068
Abstract: 본발명은센싱광 및기준광을각각출력하는외부공진레이저및 상기외부공진레이저에서출력된상기센싱광과상기기준광의간섭에의한비팅신호를검출하는광 검출기를포함하고, 상기외부공진레이저는센싱대상물이부착될수 있는센싱격자및 상기센싱격자와동일평면상에배치되는기준격자를구비한반사필터를포함하여상기센싱격자에서반사된센싱광 및상기기준격자에서반사된기준광을각각출력하는것을특징으로하는광센서를구현하여고분해능의분광기가필요없고분해능및 감도가향상된다.
Abstract translation: 本发明包括用于通过外部谐振器的激光检测差拍信号的光学检测器，并且所述感测的光，并从所述外部谐振器的激光输出，用于分别输出的感测光和参考光，所述参考光的干涉，和外部谐振器的激光感测对象 其特征在于，所述感测的光的每一个输出与参考光反射从参考光栅由所述传感栅格，包括带有参考网格被布置在被感测电网连接的反射滤光器和感测光栅与同一平面上的反射 无需使用高分辨率分光镜即可提高分辨率和灵敏度。
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公开(公告)号：KR1020140147321A
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：KR1020130070374
申请日：2013-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: G02F1/3532 , G02F1/365 , G02F1/383 , G02F2001/354 , G02F2203/56
Abstract: Provided are a wavelength swept source apparatus and a method for operating thereof. By using the provided apparatus and method, single mode light is generated; a basic optical comb including a plurality of light rays having identical frequency differences with adjacent light rays is generated by modulating the generated single mode light; and a plurality of optical combs, which includes the same number of light rays as the plurality of light rays included in the basic optical comb by modulating the light rays included in the basic optical comb, where the light rays in the optical combs have a different frequency band from that of the basic optical comb, and are distributed in a wider frequency band than that in which the basic optical comb is distributed, are generated by modulating the plurality of light rays. The plurality of light rays included in the basic optical comb and the light rays included in the optical combs are sequentially emitted according to frequencies of each of the plurality of light rays included in the basic optical comb and the light rays included in the plurality of optical combs. According to the present invention, a plurality of light rays having different frequencies may be sequentially emitted at a stable and rapid speed.
Abstract translation: 提供了一种波长扫描源装置及其操作方法。 通过使用所提供的装置和方法，产生单模光; 通过调制所生成的单模光来产生包括与相邻光线具有相同频率差的多个光线的基本光梳; 以及多个光梳，其包括与基本光梳中包括的多个光线相同数量的光梳，其通过调制包括在基本光梳中的光线，其中光梳中的光线具有不同的光 与基本光梳的频带相比，通过调制多个光线而产生分布在比分配基本光梳的更宽的频带。 包括在基本光梳中的多个光线和包括在光梳中的光线根据包括在基本光梳中的多个光线中的每一个的频率以及多个光学组件中包括的光线被顺序地发射 梳子。 根据本发明，可以以稳定且快速的顺序顺序地发射具有不同频率的多个光线。
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公开(公告)号：KR1020100008577A
公开(公告)日：2010-01-26
申请号：KR1020080069129
申请日：2008-07-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/1014 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02B19/0028 , G02B19/0052 , G02B27/0977 , G02B27/0988 , G02B27/0994 , H01S5/0655 , H01S5/10 , H01S5/1025 , H01S5/12
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser including a waveguide lens is provide to input a single mode beam generated in a narrow waveguide to a wide waveguide in parallel by forming a waveguide lens with a parabola or elliptical shape. CONSTITUTION: At least one first waveguide(20) has a first width. At least one second waveguide(30) has a second width wider than the first width. At least one waveguide lens(50) has the width which is widened from the first waveguide to the second waveguide. The waveguide lens connects the first and second waveguides. At least side wall of the waveguide lens connecting the first and second waveguides has a curved shape. At least one side wall of the waveguide lens has the radius of curvature increasing from the first waveguide to the second waveguide consecutively.
Abstract translation: 目的：提供一种包括波导透镜的半导体激光器，通过形成具有抛物线或椭圆形状的波导透镜，将窄波导中产生的单模光束平行地输入到宽波导管中。 构成：至少一个第一波导（20）具有第一宽度。 至少一个第二波导（30）具有比第一宽度宽的第二宽度。 至少一个波导透镜（50）具有从第一波导加宽到第二波导的宽度。 波导透镜连接第一和第二波导。 连接第一和第二波导的波导透镜的至少侧壁具有弯曲的形状。 波导透镜的至少一个侧壁的曲率半径连续地从第一波导增加到第二波导。
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公开(公告)号：KR100916311B1
公开(公告)日：2009-09-10
申请号：KR1020070132764
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/1071 , G02B6/12007 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/50
Abstract: 본 발명은 이중 결합 링 공진기를 이용한 파장 가변 레이저 다이오드에 관한 것으로, 서로 다른 반경을 갖는 두 개의 링 공진기를 서로 연결하여 새로운 이중 결합 링 공진기 구조를 형성함으로써, 두 개의 링 공진기가 동시에 공진하는 공진 파장에서만 안정적인 레이저 발진이 이루어지며, 두 개의 링 공진기의 유효 굴절률을 적절히 상대적으로 다르게 조절하여 레이저의 발진 파장이 가변하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따르면, 다중 모드 결합기에 의해 수동도파로와 링 공진기의 광결합 특성의 재현성을 확보할 수 있으므로, 파장 가변 레이저 다이오드의 제조 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 출력단에 집적된 광증폭기에 의해 발진 파장의 특성에 영향을 미치지 않으면서 출력광의 세기를 증폭시켜 출력할 수 있다.
레이저 다이오드, 광대역 파장 가변 레이저, 광 도파로, 반사기, 링 공진기, 공진기, 광 집적회로-
公开(公告)号：KR1020090054361A
公开(公告)日：2009-05-29
申请号：KR1020080047433
申请日：2008-05-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명에 따른 주파수 가변 테라헤르츠파 광원 소자는, 2개의 격자 주기를 갖는 이중 회절격자를 이용하여 임의의 파장에서 리트로(Littrow) 회절 조건을 만족시키는 동시에 다른 파장에서 리트만(Littman-Metcalf) 회절 조건을 만족시킴으로써, 서로 다른 두 파장에서 동시에 발진이 이루어지도록 하여 두 발진 파장의 비팅(beating)에 의해 안정적으로 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 주파수 가변 테라헤르츠파 광원 소자는 수 THz 까지 주파수 가변이 용이하고 소형으로 제작이 가능하다.
테라헤르츠파, 파장 가변 광원, 외부 공진기, Littman-Metcalf, Littrow, 회절격자, 가변 편향기
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