公开(公告)号：US06473227B1

公开(公告)日：2002-10-29

申请号：US09721863

申请日：2000-11-24

Applicant: Shigeru Yamagata

Inventor： Shigeru Yamagata

IPC: G02B520

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/21 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23

Abstract: A silica glass optical material for projection lens to be used in vacuum ultraviolet radiation lithography using radiation from 155 to 195 nm in wavelength, wherein, said silica glass optical material is of ultrahigh purity, contains from 1 to 10 wtppm of OH groups, from 100 to 10,000 wtppm of F, and from 1×1017 to 1×1019 molecules/cm3 of H2, and has a distribution in concentration of F that is axially symmetrical to the central axis.

Abstract translation: 一种用于投影透镜的石英玻璃光学材料，用于使用波长为155至195nm的辐射的真空紫外线辐射光刻，其中所述石英玻璃光学材料具有超高纯度，含有1-10重量ppm的OH基，100 至10,000重量ppm的F和1×10 17至1×10 19分子/ cm 3的H 2，并且具有与中心轴轴对称的F的浓度分布。

公开(公告)号：US20020151425A1

公开(公告)日：2002-10-17

申请号：US10048309

申请日：2002-01-29

Inventor： Akira Fujinoki ,  Hiroyuki Nishimura ,  Toru Yokota ,  Yasuyuki Yaginuma ,  Akira Sato ,  Tetsuji Ueda

IPC: C03C003/06 ,  C03C003/112

CPC classification number: C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/21 ,  C03B2207/32 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/21 ,  C03C2203/54 ,  Y02P40/57

Abstract: An object of the present invention is to provide a synthetic quartz glass optical material having a high optical transmittance for a radiation 157 nm in wavelength emitted from F2 excimer laser and a high resistance against irradiation of a F2 excimer laser radiation, yet having a uniformity suitable for such a fine patterning using a F2 excimer laser, and to provide an optical member using the same. The problems above are solved by a synthetic quartz glass optical material for F2 excimer lasers having an OH group concentration of 0.5 ppm or lower, a fluorine concentration of 0.1 to 2 mol %, a hydrogen molecule concentration of 5null1016 molecules/cm3 or lower, a difference between the maximum and minimum fluorine concentrations within 20 mol ppm, and a difference between the maximum and minimum refraction indices of 2null10null5 or lower.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种合成石英玻璃光学材料，其对于从F2准分子激光器发射的波长为157nm的辐射具有高的透光率，并且具有高的对F2准分子激光辐射照射的抗性，但具有适合的均匀性 对于使用F2准分子激光器的精细图案化，并提供使用其的光学部件。 上述问题通过具有OH基浓度为0.5ppm以下，氟浓度为0.1〜2mol％，氢分子浓度为5×1016分/ cm 3以下的F2准分子激光的合成石英玻璃光学材料来解决，a 最大和最小氟浓度在20 mol ppm内的差异，以及最大和最小折射率之间的差异为2×10-5或更低。

公开(公告)号：US20020077244A1

公开(公告)日：2002-06-20

申请号：US09967841

申请日：2001-09-27

Inventor： Nicholas F. Borrelli ,  Charlene M. Smith ,  Johannes Moll

IPC: C03C003/06

CPC classification number: G03F7/70041 ,  C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/23 ,  C03B2207/36 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C23/002 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  G03F7/70058 ,  G03F7/70941 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70966

Abstract: Lithographic methods are disclosed. In one such method, a pulsed ultraviolet radiation source for producing ultraviolet lithography radiation having a wavelength shorter than about 300 nm at a fluence of less than 10 mJ/cm2/pulse and a high purity fused silica lithography glass having a concentration of molecular hydrogen of between about 0.02null1018 molecules/cm3 and about 0.18null1018 molecules/cm3 are provided. A lithography pattern is formed with the ultraviolet lithography radiation; the lithography pattern is reduced to produce a reduced lithography pattern; and the reduced lithography pattern is projected onto a ultraviolet radiation sensitive lithography medium to form a printed lithography pattern. At least one of the forming, reducing, and projecting steps includes transmitting the ultraviolet lithography radiation through the high purity fused silica lithography glass. Lithography systems and high purity fused silica lithography glass are also described.

Abstract translation: 公开了平版印刷方法。 在一种这样的方法中，用于产生波长短于约300nm的波长小于10mJ / cm 2 /脉冲的紫外光刻辐射的脉冲紫外辐射源和具有分子氢浓度的高纯度熔融石英光刻玻璃 提供约0.02×10 18分子/ cm 3和约0.18×10 18分子/ cm 3。 用紫外光刻法形成光刻图案; 光刻图案被减少以产生减小的光刻图案; 并且将还原的光刻图案投影到紫外线照射敏感光刻介质上以形成印刷光刻图案。 形成，还原和突出步骤中的至少一个步骤包括通过高纯度熔融石英光刻玻璃传输紫外光刻辐射。 还描述了平版印刷系统和高纯度熔融石英光刻玻璃。

公开(公告)号：US20020039477A1

公开(公告)日：2002-04-04

申请号：US09925678

申请日：2001-08-09

Applicant: Mitsubishi Cable Industries, Ltd.

Inventor： Hiroyuki Hayami ,  Terunobu Iio ,  Toshikazu Gozen ,  Hirokazu Kuzushita ,  Michitsugu Mori ,  Takashi Okamura ,  Shuichi Ohmori

IPC: G02B006/16

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B37/01413 ,  C03B37/01426 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/23 ,  C03B2207/30 ,  C03B2207/32 ,  C03C13/045 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/26 ,  G02B6/06

Abstract: A silica optical fiber is provided, which contains a pure-silica core and a cladding layer formed on the pure-silica core, wherein the pure-silica core contains a C element and has a content of elements belonging to the third period-the seventh period of the periodic table, except Si element that constitutes the quartz structure, of not more than 100 ppm. The present invention can provide a silica optical fiber superior in the resistance to high energy electromagnetic waves such as UV light and null-rays.

Abstract translation: 提供一种二氧化硅光纤，其包含形成在纯二氧化硅芯上的纯二氧化硅芯和包层，其中纯二氧化硅芯包含C元素，并且具有属于第三周期的元素含量 - 第七 周期表的周期，除了构成石英结构的Si元素之外，不大于100ppm。 本发明可以提供对诸如UV光和γ射线的高能电磁波的耐受性优异的二氧化硅光纤。

公开(公告)号：US20020004173A1

公开(公告)日：2002-01-10

申请号：US09935990

申请日：2001-08-23

Inventor： George Edward Berkey ,  Lisa Anne Moore ,  Michelle Diane Pierson

IPC: C03C004/08 ,  G02B009/00 ,  G02B003/00 ,  B32B017/06 ,  G02B013/14 ,  G02B001/00 ,  G03C005/00 ,  G03F009/00 ,  C03C015/00 ,  G03G016/00 ,  C03C003/112

CPC classification number: C03C4/0085 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1469 ,  C03B23/043 ,  C03B23/045 ,  C03B23/051 ,  C03B23/07 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/21 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/12 ,  C03C2203/50 ,  G03F1/60

Abstract: The present invention is a method of making a lithography photomask and photomask blank. The method of making the lithography photomask and photomask blank includes providing a silicon oxyfluoride glass tube having an OH content less than 50 ppm. The method further includes cutting the silicon oxyfluoride glass tube, flattening the silicon oxyfluoride glass tube, and forming the flattened cut silicon oxyfluoride glass tube into a photomask blank having a planar surface. The present invention includes a glass lithography mask preform. The glass lithography mask preform is a longitudinal silicon oxyfluoride glass tube that has an OH content null10 ppm, a F wt. % concentration null0.5 wt. %.

Abstract translation: 本发明是制造光刻光掩模和光掩模坯料的方法。 制造光刻光掩模和光掩模坯料的方法包括提供OH含量低于50ppm的氟氧化硅玻璃管。 该方法还包括切割氟氧化硅玻璃管，使氟氧化硅玻璃管扁平化，并将扁平切割的氟氧化硅玻璃管形成具有平坦表面的光掩模坯料。 本发明包括玻璃光刻掩模预制件。 玻璃光刻掩模预制件是具有OH含量<= 10ppm的纵向硅氧氟化物玻璃管，F wt。 ％浓度> = 0.5wt。 ％。

公开(公告)号：US06319634B1

公开(公告)日：2001-11-20

申请号：US09397572

申请日：1999-09-16

Applicant: George Edward Berkey ,  Lisa Anne Moore ,  Michelle Diane Pierson

Inventor： George Edward Berkey ,  Lisa Anne Moore ,  Michelle Diane Pierson

IPC: G03F900

CPC classification number: C03C4/0085 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1469 ,  C03B23/043 ,  C03B23/045 ,  C03B23/051 ,  C03B23/07 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/21 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/12 ,  C03C2203/50 ,  G03F1/60

Abstract: The present invention is a method of making a lithography photomask and photomask blank. The method of making the lithography photomask and photomask blank includes providing a silicon oxyfluoride glass tube having an OH content less than 50 ppm. The method further includes cutting the silicon oxyfluoride glass tube, flattening the silicon oxyfluoride glass tube, and forming the flattened cut silicon oxyfluoride glass tube into a photomask blank having a planar surface. The present invention includes a glass lithography mask preform. The glass lithography mask preform is a longitudinal silicon oxyfluoride glass tube that has an OH content ≦10 ppm, a F wt. % concentration ≧0.5 wt. %.

Abstract translation: 本发明是制造光刻光掩模和光掩模坯料的方法。 制造光刻光掩模和光掩模坯料的方法包括提供OH含量低于50ppm的氟氧化硅玻璃管。 该方法还包括切割氟氧化硅玻璃管，使氟氧化硅玻璃管扁平化，并将扁平切割的氟氧化硅玻璃管形成具有平坦表面的光掩模坯料。 本发明包括玻璃光刻掩模预制件。 玻璃光刻掩模预制件是具有OH含量<= 10ppm的纵向硅氧氟化物玻璃管，F wt。 ％浓度> = 0.5wt。 ％。

公开(公告)号：US5719698A

公开(公告)日：1998-02-17

申请号：US711471

申请日：1996-09-06

Applicant: Hiroyuki Hiraiwa ,  Issey Tanaka

Inventor： Hiroyuki Hiraiwa ,  Issey Tanaka

IPC: C03B8/04 ,  C03B19/14 ,  C03C3/06 ,  C03C4/00 ,  G02B1/00 ,  G02B13/14 ,  G03F7/20 ,  C03C3/04 ,  C03C8/04

CPC classification number: C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  G02B1/00 ,  G02B13/143 ,  G03F7/70241 ,  G03F7/70958 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/23 ,  C03B2203/22 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/12 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/36 ,  C03C2201/21 ,  C03C2203/44 ,  C03C2203/52 ,  Y10S359/90 ,  Y10S501/905

Abstract: Recent UV-lithography is required to provide a fine and sharp pattern with a line width of 0.5 .mu.m or less. The present invention provides a silica glass member adapted for use as an optical element for UV-lithography, by giving consideration to the RMS value of wave front aberration and the slant element of refractive index, which have not been considered in the art. Also, there is provided a silica glass member excellent in durability to the ultraviolet irradiation, by introduction of hydrogen molecules at the synthesis of the silica glass, instead of using a secondary treatment for hydrogen introduction.

Abstract translation: 需要最近的UV光刻来提供线宽为0.5μm或更小的精细且清晰的图案。 本发明提供一种二氧化硅玻璃构件，其通过考虑本领域中尚未考虑的波面像差的RMS值和折射率的倾斜元素，用作用于UV光刻的光学元件。 另外，在二氧化硅玻璃的合成中，通过引入氢分子，而不是使用二次氢气导入来提供对紫外线照射的耐久性优异的二氧化硅玻璃。

公开(公告)号：US5702495A

公开(公告)日：1997-12-30

申请号：US479130

申请日：1995-06-07

Applicant: Hiroyuki Hiraiwa ,  Kazuhiro Nakagawa ,  Hiroki Jinbo ,  Jun Takano ,  Seishi Fujiwara

Inventor： Hiroyuki Hiraiwa ,  Kazuhiro Nakagawa ,  Hiroki Jinbo ,  Jun Takano ,  Seishi Fujiwara

IPC: C03B8/04 ,  C03B19/14 ,  C03C3/06 ,  C03C4/00 ,  G02B1/00 ,  G02B13/14 ,  G03F7/20 ,  C03B20/00

CPC classification number: C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  G02B1/00 ,  G02B13/143 ,  G03F7/70241 ,  G03F7/70958 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/23 ,  C03B2203/22 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/12 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/36 ,  C03C2201/21 ,  C03C2203/44 ,  C03C2203/52 ,  Y10S359/90 ,  Y10S501/905

Abstract: Recent UV-lithography is required to provide a fine and sharp pattern with a line width of 0.5 .mu.m or less. A silica glass member adapted for use as an optical element for UV-lithography, by giving consideration to the RMS value of wave front aberration and the slant element of refractive index, which have not been considered in the art. Also there is provided a silica glass member excellent in durability to the ultraviolet irradiation, by introduction of hydrogen molecules at the synthesis of the silica glass, instead of using a secondary treatment for hydrogen introduction.

Abstract translation: 需要最近的UV光刻来提供线宽为0.5μm或更小的精细且清晰的图案。 通过考虑本领域中尚未考虑的波面像差的RMS值和折射率的倾斜元件，适于用作UV光刻的光学元件的二氧化硅玻璃构件。 另外，通过在合成二氧化硅玻璃时引入氢分子，可以提供在紫外线照射下的耐久性优异的二氧化硅玻璃构件，而不是二次处理导入氢。

公开(公告)号：US5699183A

公开(公告)日：1997-12-16

申请号：US484863

申请日：1995-06-07

Applicant: Hiroyuki Hiraiwa ,  Seishi Fujiwara ,  Hiroki Jinbo ,  Jun Takano ,  Norio Komine ,  Kazuhiro Nakagawa ,  Issey Tanaka

Inventor： Hiroyuki Hiraiwa ,  Seishi Fujiwara ,  Hiroki Jinbo ,  Jun Takano ,  Norio Komine ,  Kazuhiro Nakagawa ,  Issey Tanaka

IPC: C03B8/04 ,  C03B19/14 ,  C03C3/06 ,  C03C4/00 ,  G02B1/00 ,  G02B13/14 ,  G03F7/20 ,  G03B27/42

CPC classification number: C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  G02B1/00 ,  G02B13/143 ,  G03F7/70241 ,  G03F7/70958 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/23 ,  C03B2203/22 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/12 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/36 ,  C03C2201/21 ,  C03C2203/44 ,  C03C2203/52 ,  Y10S359/90 ,  Y10S501/905

Abstract: Recent UV-lithography is required to provide a fine and sharp pattern with a line width of 0.5 .mu.m or less. The present invention provides a silica glass member adapted for use as an optical element for UV-lithography, by giving consideration to the RMS value of wave front aberration and the slant element of refractive index, which have not been considered in the art. Also, there is provided a silica glass member excellent in durability to the ultraviolet irradiation, by introduction of hydrogen molecules at the synthesis of the silica glass, instead of using a secondary treatment for hydrogen introduction.

Abstract translation: 需要最近的UV光刻来提供线宽为0.5μm或更小的精细且清晰的图案。 本发明提供一种二氧化硅玻璃构件，其通过考虑本领域中尚未考虑的波面像差的RMS值和折射率的倾斜元素，用作用于UV光刻的光学元件。 另外，在二氧化硅玻璃的合成中，通过引入氢分子，而不是使用二次氢气导入来提供对紫外线照射的耐久性优异的二氧化硅玻璃。

公开(公告)号：US5410428A

公开(公告)日：1995-04-25

申请号：US779737

申请日：1991-10-23

Applicant: Shigeru Yamagata ,  Michiyou Kuriyama ,  Kyoichi Inaki ,  Ralf Takke

Inventor： Shigeru Yamagata ,  Michiyou Kuriyama ,  Kyoichi Inaki ,  Ralf Takke

IPC: C03B19/14 ,  C03B32/00 ,  C03C3/06 ,  C03C4/00 ,  G02B1/00 ,  G03F7/20 ,  H01S3/034 ,  C03C4/08

CPC classification number: G03F7/70958 ,  C03B19/1453 ,  C03B32/00 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0071 ,  G02B1/00 ,  G03F7/70241 ,  H01S3/034 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/23 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2203/10 ,  C03C2203/54 ,  Y10S359/90 ,  Y10S501/905

Abstract: This invention relates to an optical member made of highly transparent, high-purity synthetic silica glass, to a method for manufacturing a blank or an optical member of such glass, and to the optical members themselves. The optical members have an absolute refractive index, n.sub.d, of 1.460 or more and a hydrogen molecule concentration of at least 5.times.10.sup.16 molecules/cm.sup.3 uniformly distributed throughout the glass and are particularly well suited for use in apparatus in which they are exposed to a high-power laser beam such as that produced by an excimer laser.

Abstract translation: 本发明涉及由高透明，高纯度的合成石英玻璃制成的光学构件，制造这种玻璃的坯料或光学构件的方法以及光学构件本身。 光学构件的绝对折射率nd为1.460以上，氢分子浓度至少为5×10 16分/ cm 3，均匀分布在整个玻璃中，特别适用于将其暴露于高分子量的设备中， 功率激光束，例如由准分子激光器产生的激光束。