公开(公告)号：CN101236273A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810034120.8

申请日：2008-02-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 王廷云 ,  庞拂飞 ,  陈振宜 ,  向文超 ,  梁文斌

IPC: G02B6/036 ,  C03B37/018

CPC classification number: C03B37/01413 ,  C03B37/01807 ,  C03B2201/10 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/23

Abstract: 本发明涉及一种单模和多模包层模干涉特种光纤及其制备方法。本光纤由纤芯、干涉内包层和外包层组成，干涉内包层夹于在纤芯和外包层之间，且具有比纤芯和外包层低的折射率。本光纤的制备方法是采用改进的化学气相沉积MCVD、管外气相沉积法OVD，在制棒机上直接制成光纤预制棒，然后进行拉制光纤。本发明的单模和多模包层模干涉特种光纤具有性能稳定、制备简单、使用灵活、便于批量生产等特点，可应用于光纤通信器件和光纤传感器等领域的光纤光谱滤波器、色散补偿器、光纤压力传感器、光纤温度传感器，等等。

公开(公告)号：CN100379694C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200310120601.8

申请日：2003-12-15

Applicant: 菲特尔美国公司

Inventor： 戴维·J·迪格奥万尼 ,  罗伯特·S·温德勒

IPC: C03B37/012 ,  C03B37/018 ,  C03B37/02 ,  C03C13/04 ,  C03C3/06

CPC classification number: C03C13/00 ,  C03B37/01807 ,  C03B37/01853 ,  C03B2201/10 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31

Abstract: 将用MCVD制作的氧化硅碳黑层，在高压下曝露在含氟气体中来提高MCVD预制件中槽层的氟掺杂。此高压曝露工艺被合并入MCVD工艺中。

公开(公告)号：CN101007702A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710008295.7

申请日：2007-01-29

Applicant: 德雷卡通信技术公司

Inventor： C·戈内 ,  E·雷尼耶 ,  F·戈奥伊热尔 ,  P·努希

IPC: C03B37/012 ,  C03C13/00

CPC classification number: C03B37/01291 ,  C03B37/01892 ,  C03B2201/02 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/22 ,  C03B2203/23 ,  C03B2203/24 ,  C03C13/045 ,  C03C13/046 ,  C03C17/3417 ,  G02B6/03627 ,  G02B6/0365

Abstract: 本发明的主题是一种通过对具有一定横截面面积的初级预制棒进行外包而制造最终光纤预制棒的方法，所述方法至少包括一个通过在掺氟石英管内部淀积内包层和中央芯而制造初级预制棒的步骤，这样选择所述管，其横截面面积最多比所述初级预制棒的横截面面积小15％。通过本发明的方法，可以低成本的制造大容量的预制棒，允许拉丝具有降低的传输损耗的光纤。

公开(公告)号：CN1310045C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN03143459.2

申请日：2003-09-30

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 速水修平 ,  川崎光广 ,  小寺诚悟 ,  内田阳平

IPC: G02B6/02 ,  C03B23/047 ,  H04B10/12

CPC classification number: G02B6/03688 ,  C03B37/01413 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/22 ,  C03B2203/23 ,  C03B2203/36 ,  G02B6/02019 ,  G02B6/02242 ,  G02B6/02266 ,  G02B6/03605 ,  G02B6/03666

Abstract: 本发明的光纤的特征在于零色散波长在1250nm以上1350nm以下，波长1550nm的传送损失为0.185dB/km以下，波长1550nm的波长色散为19±1ps/nm·km，波长1550nm的波长色散斜率为0.06ps/nm2·km以下，波长1550nm的实效芯截面积为105μm2以上，光缆截止波长λcc为1530nm以下，波长1550nm的偏波模式色散为0.1ps/km1/2以下，以心轴外径为20mm进行弯曲时的波长1550nm的弯曲损失为10dB/m以下。

公开(公告)号：CN1923738A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610109808.9

申请日：2004-11-09

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 市井健太郎 ,  后藤孝和 ,  山田成敏 ,  原田光一

IPC: C03B37/014 ,  C03B37/018

CPC classification number: C03B37/01413 ,  C03B37/0142 ,  C03B2201/12 ,  C03B2207/50 ,  Y02P40/57

Abstract: 一种制造多孔二氧化硅预制件的方法，包括以下步骤：向玻璃合成燃烧器供应燃料气来生成氧氢焰；向燃烧器供应含硅的气体A和含氟的气体B；合成玻璃粒子；以及围绕芯棒沉积玻璃粒子，其中当玻璃粒子直接沉积到芯棒时，调节供应到燃烧器的气体A和气体B的供应量以使供应到燃烧器的气体中的氟原子数与硅原子数的比例满足下述公式(1)：{(氟原子数)/(硅原子数)}≤0.1…(1)。

公开(公告)号：CN1295169C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN99815119.X

申请日：1999-04-09

Applicant: 纤维管有限公司

Inventor： M·I·古斯科夫 ,  E·B·达尼洛夫 ,  M·A·阿斯拉米 ,  D·吴 ,  J·E·马蒂森

IPC: C03B23/047 ,  C03B37/027

CPC classification number: C03B37/01861 ,  C03B37/01413 ,  C03B37/01426 ,  C03B37/01466 ,  C03B37/01823 ,  C03B2201/02 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/42 ,  C03B2203/22

Abstract: 本发明提供制作光纤预型件的方法，包括：(a)提供由第一材料制成的靶子棒，第一材料是二氧化硅或掺杂有掺杂物的二氧化硅；(b)借助等离子体焊炬，同时在靶子棒上面淀积和烧结按第一浓度掺杂有第一掺杂物的第一二氧化硅层，将第一二氧化硅层淀积和烧结到预定的第一厚度；(c)将淀积有第一二氧化硅层的靶子棒下拉到预定的第一直径，以形成掺杂的二氧化硅棒；(d)重复步骤(b)和(c)达到预定次数，或者直至第一材料包含了预定比例的所述掺杂的二氧化硅棒；(e)在掺杂的二氧化硅棒上淀积按第二浓度掺杂有第二掺杂物的由二氧化硅构成的第二层，将第二二氧化硅层淀积到预定的第二厚度以形成中间结构；(f)在中间结构上淀积第三层，将第三层淀积到预定的第三厚度以形成预型件构造，第三层的材料是纯二氧化硅或掺杂有掺杂物的二氧化硅。

公开(公告)号：CN1856442A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200480027437.9

申请日：2004-09-24

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 冈正和

IPC: C01B33/107 ,  B01D53/22 ,  H01L31/20 ,  H01L21/205 ,  C03B37/00 ,  G01N30/14

CPC classification number: C03B37/01446 ,  B01D53/02 ,  C01B33/107 ,  C01B33/10705 ,  C01B33/10784 ,  C03B37/01453 ,  C03B2201/12 ,  C03C25/607

Abstract: 本发明涉及一种通过用硫酸分解六氟硅酸生产四氟硅烷的方法，其包括：于第一反应器中在浓硫酸中分解六氟硅酸以生成SiF4和HF、并且将由此形成的SiF4取出的步骤1；将部分步骤1的包含HF的浓硫酸溶液转移至第二反应器以使HF与加入第二反应器SiO2反应、从而生产包含(SiF3)2O的SiF4的步骤2；和将步骤2包含(SiF3)2O和SiF4的产物加入第一反应器以使该反应产物中的(SiF3)2O与HF反应将其转化为SiF4、并且将所获得的SiF4与在步骤1形成的SiF4一起取出的步骤3。根据本发明，能够获得高纯SiF4，其中(SiF3)2O减少，且不含传统方法中作为难以解决的副产物产生的HF。

公开(公告)号：CN1826427A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480021146.9

申请日：2004-05-27

Applicant: 内诺格雷姆公司

Inventor： 毕向欣 ,  赫尔曼·A·洛佩兹 ,  普拉萨德·纳拉西马 ,  埃里克·尤夫拉尔德 ,  罗纳德·J·莫索

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/452 ,  C23C16/453 ,  B05D3/02 ,  C03B37/018 ,  G02B6/10

CPC classification number: G02B1/12 ,  B05D1/12 ,  B05D3/06 ,  C03B19/01 ,  C03B19/1415 ,  C03B37/0128 ,  C03B37/01294 ,  C03B37/01406 ,  C03B37/01413 ,  C03B37/0142 ,  C03B2201/10 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2207/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/482 ,  C23C16/483 ,  C23C16/56 ,  C23C24/00 ,  C23C24/04 ,  G02B6/036 ,  G02B6/132 ,  Y02P40/57

Abstract: 高速沉积方法包括从产物流沉积粉末涂层。产物流产生自所述流中的化学反应。某些粉末涂层在适当条件下固结为光学涂层。该基底可以具有其上设置光学涂层的第一光学涂层。在固结后所得到的光学涂层可以具有与在下的第一光学涂层较大的折射系数差异、在整个基底上具有高的厚度和折射系数均匀性和在等同条件下于不同基底上形成的涂层之间具有高的厚度和折射系数均匀性。在某些实施例中，可以在不超过约30分钟内沉积厚至少约100nm的粉末涂层，并且基底具有至少约25平方厘米的表面积。

公开(公告)号：CN1771205A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200480009555.7

申请日：2004-04-06

Applicant: 赫罗伊斯.坦尼沃有限责任公司

Inventor： G·舍茨 ,  K·布劳尔 ,  M·许纳曼 ,  R·施密德特 ,  H·法比安 ,  N·特雷伯

IPC: C03B37/014 ,  C03B37/012

CPC classification number: C03B37/01291 ,  C03B37/01211 ,  C03B37/01426 ,  C03B37/01466 ,  C03B2201/12 ,  Y02P40/57

Abstract: 在一种已知的用于生产光纤用坯模的方法中，在一纤芯玻璃圆柱体上产生一种包络玻璃的掺氟SiO2，上述纤芯玻璃圆柱体绕其纵向轴旋转，其中将一种起始物质进给到一个等离子体燃烧器，上述起始物质然后在用于等离子体燃烧器的等离子体火焰中氧化，以便得到SiO2微粒，SiO2微粒在氟存在下于纤芯玻璃圆柱体的圆柱体包络面上沉积若干层，并烧结成包络的玻璃。本发明旨在提供一种根据上述方法建立的一种经济的方法，以便生产一种坯模，从所述的坯模可以得到多模光纤(52)。与按标准方法生产的光纤(51)相比，上述多模光纤(52)其特征在于在UV波长范围内高起始传输和良好的耐暂时UV辐射，更具体地说，在210－300nm波长范围内的UV辐射。按照本发明，利用一种辐射紫外光的等离子体火焰来在纤芯玻璃上形成和沉积SiO2微粒，上述紫外光具有波长为214nm，强度为至少0.9μW－根据等离子体火焰强度测量确定。

公开(公告)号：CN1708461A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN02826394.4

申请日：2002-12-03

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： M·T·安德森 ,  C·R·查特 ,  J·R·昂斯托特 ,  K·D·布德

IPC: C03C13/04 ,  G02B6/16 ,  H01S3/067

CPC classification number: H01S3/067 ,  C03B19/102 ,  C03B19/1065 ,  C03B37/01807 ,  C03B37/01838 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/36 ,  C03C3/06 ,  C03C13/046 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/28 ,  C03C2201/3417 ,  C03C2201/3458 ,  C03C2201/3476 ,  C03C2201/3482 ,  C03C2201/36 ,  H01S3/0672 ,  H01S3/0677 ,  H01S3/06775 ,  H01S3/1608 ,  H01S3/1616 ,  Y02P40/57

Abstract: 制备光纤的方法和所得制品。所述方法包括如下步骤：提供底管；在管内沉积高纯氧化硅包层；沉积包含氧化硅和Al、La、Er和Tm氧化物但不含锗的玻璃芯体；去掉底管形成预制品；将预制品拉成光纤。本发明不含锗的共掺杂硅酸盐光学波导包括含氧化硅及铝、镧、铒和铥的氧化物的芯体，其中Er浓度为15－3000ppm；Al浓度为0.5－15mol％；La浓度小于或等于0.5－2mol％；Tm浓度为150－10000ppm。在一个具体实施方式中，Al浓度为4－10mol％；Tm浓度为150－3000ppm。芯体还可包含F。在一个示例性实施方式中，F浓度小于或等于6mol％(阴离子)。波导可以是光纤、成形光纤或导光波导。本发明的放大器可包括所述光纤。