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    HIGH INDEX-CONTRAST PHOTONIC DEVICES AND APPLICATIONS THEREOF
    121.
    发明申请
    HIGH INDEX-CONTRAST PHOTONIC DEVICES AND APPLICATIONS THEREOF 审中-公开
    高指数对比度光电器件及其应用

    公开(公告)号：WO2016149749A1

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：PCT/AU2016/050201

    申请日：2016-03-22

    Applicant: RMIT UNIVERSITY

    Inventor： MITCHELL, Arnan ,  NGUYEN, Thach G. ,  YEGO, Kiplimo ,  HOPE, Anthony

    IPC: G02B6/293 ,  G02F1/01 ,  G02B5/30

    CPC classification number: G01N21/45 ,  G02B1/005 ,  G02B5/30 ,  G02B6/293 ,  G02F1/01 ,  G02F1/025 ,  G02F1/3138 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/30 ,  G02F2202/105 ,  G02F2203/05

    Abstract: A photonic processing module (100) comprises a high index-contrast waveguide device comprising a substrate (102), a first layer (104) disposed on the substrate having a first refractive index, and a relatively thin second layer (106) disposed on the first layer. The second layer has a second refractive index providing a high index-contrast with the first layer, and the device includes at least one thin-ridge waveguide element (108) formed in the second layer which supports a guided mode in a longitudinal direction. An optical input port (110) is configured to direct an input beam into a slab mode of the second layer, the beam being directed to propagate at a predetermined angle θ to the longitudinal direction of the thin-ridge waveguide element. The angle θ is associated with a resonant coupling between the slab mode of the second layer and the guided mode of the thin-ridge waveguide element. An output beam is thus generated when the input beam includes one or more optical components corresponding with the resonant coupling. An optical output port (112) is configured to receive the output beam.

    Abstract translation: 光子处理模块（100）包括高折射率对比度波导器件，其包括衬底（102），设置在具有第一折射率的衬底上的第一层（104）和设置在第一层上的相对薄的第二层（106） 第一层 第二层具有提供与第一层的高折射率对比度的第二折射率，并且该装置包括形成在第二层中的至少一个薄脊波导元件（108），其沿纵向方向支撑导向模式。 光输入端口（110）被配置为将输入光束引导到第二层的平板模式，光束被引导以与薄脊波导元件的纵向方向成预定角度θ传播。 角度θ与第二层的板状模式和薄脊波导元件的引导模式之间的谐振耦合相关联。 因此，当输入光束包括与谐振耦合对应的一个或多个光学部件时，产生输出光束。 光输出端口（112）被配置为接收输出光束。

    INJEKTIONSMODULATOR
    122.
    发明申请
    INJEKTIONSMODULATOR 审中-公开
    注射调制器

    公开(公告)号：WO2016045675A1

    公开(公告)日：2016-03-31

    申请号：PCT/DE2015/200460

    申请日：2015-09-21

    Applicant: TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN ,  IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK

    Inventor： MEISTER, Stefan ,  AL-SAADI, Aws ,  KUPIJAI, Sebastian ,  THEISS, Christoph ,  RHEE, Hanjo ,  ZIMMERMANN, Lars ,  STOLAREK, David

    IPC: H04B10/54 ,  G02F1/017 ,  G02F1/225 ,  H01S5/026 ,  H04B10/548

    CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0152 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/124 ,  G02F2202/105 ,  H04B10/54 ,  H04B10/548

    Abstract: Die Erfindung bezieht sich u. a. auf einen Injektionsmodulator (10) zur Modulation optischer Strahlung (P) mit einem optischen Wellenleiter (20) und einer Diodenstruktur (30), die zumindest zwei p-dotierte Halbleiterabschnitte (110), zumindest zwei n-dotierte Halbleiterabschnitte (210) und mindestens einen schwach oder undotierten Zwischenabschnitt (300) zwischen den p-dotierten und n-dotierten Halbleiterabschnitten (110, 210) aufweist, wobei die p-dotierten Halbleiterabschnitte (110) - in Längsrichtung (L) des Wellenleiters (20) gesehen - gegenüber den n-dotierten Halbleiterabschnitten (210) versetzt angeordnet sind und die Diodenstruktur (30) in einem resonanzfreien Abschnitt des Wellenleiters (20) angeordnet ist, in dem - von Wellenleiterdämpfung abgesehen - die Strahlungsintensität der im Wellenleiter (20) geführten Strahlung (P) konstant ist. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die p-dotierten Halbleiterabschnitte (110) auf einer Seite des Wellenleiters (20) - in Längsrichtung (L) des Wellenleiters (20) gesehen und bezogen auf die Wellenleitermitte - liegen, die n-dotierten Halbleiterabschnitte (210) auf der anderen Seite des Wellenleiters (20) liegen und der Zwischenabschnitt (300) im Bereich der Wellenleitermitte liegt, sich die Halbleiterabschnitte (110, 210) jeweils quer zur Wellenleiterlängsrichtung (L) in Richtung der Wellenleitermitte des Wellenleiters (20) erstrecken und die p-dotierten Halbleiterabschnitte (110) - in Längsrichtung (L) des Wellenleiters (20) betrachtet - jeweils mit den n-dotierten Halbleiterabschnitten (210) überlappungsfrei sind.

    Abstract translation: 本发明涉及Ú。 一。 注射调制器（10），用于调制具有光波导（20）和一个二极管结构（30），至少一个，至少两个p型半导体部（110），至少两个n型半导体部分（210）和光辐射（P） 如图在波导的纵向方向（L）（20） - - 相对于正的p型和n型半导体部分（110，210），其中，所述p型半导体部（110）之间的弱或无掺杂的中间部分（300） 掺杂的半导体部分（210）偏移和所述二极管结构（30）被布置在所述波导（20）的自由共振部分，在其中 - 除了波导衰减 - 波导（20）引导的辐射（P）的辐射强度是恒定的。 根据本发明，提供的是在p型半导体部（110）在所述波导（20）的一侧上 - 中所看到的和基于所述波导中心的波导（20）的纵向方向（L） - 谎言，在n型半导体部分（210） 波导（20）位于与所述中间部分（300）的另一侧是在波导中心的范围内，在半导体部（110，210），每个横向延伸到在波导（20）的波导中心的方向上的波导长度方向（L）和p 掺杂半导体部分（110） - 在波导（20）的纵向方向（L），观察 - 分别连接到n型半导体部分（210）重叠。

    锗硅电吸收调制器
    123.
    发明申请
    锗硅电吸收调制器 审中-公开

    公开(公告)号：WO2016015303A1

    公开(公告)日：2016-02-04

    申请号：PCT/CN2014/083472

    申请日：2014-07-31

    Applicant: 华为技术有限公司

    Inventor： 李亚明 ,  成步文

    IPC: G02F1/025 ,  H01L27/15

    CPC classification number: G02F1/025 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2201/063 ,  H01L27/15

    Abstract: 提供一种电吸收调制器（100），包括：衬底层（110），包括硅衬底（112）及设置于所述硅衬底上的氧化层（114）；顶层硅（120），形成于所述氧化层（114）上，且所述顶层硅（120）上形成一波导层（122）；掺杂层，包括第一掺杂平板（132）及第二掺杂平板（133），所述第一掺杂平板（132）上形成一第一类型轻掺杂区（134），所述第二掺杂平板（133）上形成一第二类型轻掺杂区（135），且所述第一类型轻掺杂区（134）、波导层（122）及第二类型轻掺杂区（135）形成一 PIN结；调制层（140），设置于所述波导层（122）上并与所述PIN结并联；对于一特定波长的入射光束，当所述PIN结上加载反向的调制电信号时，所述调制层（140）对所述光束的光吸收系数随所述调制电信号的变化而变化，所述光束通过调制区域后的光功率也相应变化，从而实现了对光束的电光调制。

    REDUCING OPTICAL LOSS IN AN OPTICAL MODULATOR USING DEPLETION REGION
    125.
    发明申请
    REDUCING OPTICAL LOSS IN AN OPTICAL MODULATOR USING DEPLETION REGION 审中-公开
    减少光学调制器中的光学损失，使用剔除区域

    公开(公告)号：WO2011102883A1

    公开(公告)日：2011-08-25

    申请号：PCT/US2011/000073

    申请日：2011-01-13

    Applicant: KOTURA,INC. ,  FENG, Dazeng ,  DONG, Po ,  LIAO, Shirong ,  ASGHARI, Mehdi

    Inventor： FENG, Dazeng ,  DONG, Po ,  LIAO, Shirong ,  ASGHARI, Mehdi

    IPC: G02F1/035

    CPC classification number: G02F1/025 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/12

    Abstract: An optical device includes a light-transmitting medium positioned on a base The light-transmitting medium includes a slab region and a ndge extending upward from the slab region The πdge defines a portion of an optical waveguide on the device A modulator is also positioned on the base The modulator includes a first doped region of the light-transmitting medium and a second doped region of the light-transmitting medium The first doped region and the second doped region are configured such that a depletion region forms in the waveguide when an electrical bias is not applied to the modulator At least a portion of the first doped region is positioned in the ridge and at least a portion of the second doped region is positioned in the slab region The light-transmitting medium includes a first electrical pathway extending from a first location to the first doped region.

    Abstract translation: 光学装置包括位于基座上的透光介质。透光介质包括板坯区域和从板坯区域向上延伸的套管。衬套限定器件上的光波导的一部分A调制器也位于 基极调制器包括透光介质的第一掺杂区域和透光介质的第二掺杂区域。第一掺杂区域和第二掺杂区域被构造成使得当电偏压是在波导中形成耗尽区域 不施加到调制器第一掺杂区域的至少一部分位于脊中，并且第二掺杂区域的至少一部分位于平板区域中。光传输介质包括从第一位置延伸的第一电路径 到第一掺杂区域。

    NON-LINEAR OPTICAL DEVICE
    126.
    发明申请
    NON-LINEAR OPTICAL DEVICE 审中-公开
    非线性光学器件

    公开(公告)号：WO2010067045A1

    公开(公告)日：2010-06-17

    申请号：PCT/GB2009/002745

    申请日：2009-11-25

    Applicant: QINETIQ LIMITED ,  BENTON, David, Mark ,  GORMAN, Philip, Michael ,  TAPSTER, Paul, Richard ,  TAYLOR, David, Maurice ,  FINLAYSON, Ewan, David

    Inventor： BENTON, David, Mark ,  GORMAN, Philip, Michael ,  TAPSTER, Paul, Richard ,  TAYLOR, David, Maurice ,  FINLAYSON, Ewan, David

    IPC: G02F1/35 ,  G02F1/39 ,  G02F1/377 ,  H04L9/08

    CPC classification number: G02F1/3544 ,  G02F1/377 ,  G02F1/395 ,  G02F2001/3548 ,  G02F2201/063 ,  G02F2202/101

    Abstract: A non-linear optical device (100) comprises a frequency-conversion waveguide and first (102) and second (104) input waveguides. The longitudinal axes of the input waveguides are inclined to that of the frequency-conversion waveguide such a first transverse mode is excited in the latter at the input frequency in operation of the device. The frequency-conversion waveguide supports a second transverse mode at an output frequency of the device, such that the phase velocity of the second transverse mode at the output frequency is substantially equal to that of the first transverse mode at the input frequency, thus providing phase-matching by balancing the effects of chromatic and modal dispersion. The invention provides phase-matching for frequency-conversion within a waveguide where birefringent phase-matching is not possible, for example where the waveguide is a semiconductor waveguide.

    Abstract translation: 非线性光学器件（100）包括频率转换波导和第一（102）和第二（104）输入波导。 输入波导的纵向轴线与频率转换波导的纵向轴线倾斜，使得第一横向模式在装置的操作中在输入频率下被激励。 频率转换波导在器件的输出频率处支持第二横向模式，使得输出频率处的第二横向模式的相位速度基本上等于在输入频率处的第一横向模式的相位速度，从而提供相位 通过平衡色彩和模态色散的效果来匹配。 本发明提供了在不能进行双折射相位匹配的波导内的频率转换的相位匹配，例如波导是半导体波导的情况。

    マッハツェンダー導波路型光変調器
    127.
    发明申请
    マッハツェンダー導波路型光変調器 审中-公开
    MACH-ZEHNDER波导型光学调制器

    公开(公告)号：WO2009122852A1

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：PCT/JP2009/054256

    申请日：2009-03-06

    Applicant: 住友大阪セメント株式会社 ,  及川 哲 ,  近藤 勝利 ,  市岡 雅之

    Inventor： 及川 哲 ,  近藤 勝利 ,  市岡 雅之

    IPC: G02F1/035

    CPC classification number: G02F1/225 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063

    Abstract: 　フォトリフラクティブ現象の影響や迷光の信号光への結合を抑制することを目的とする。 電気光学効果を有する材料で形成された厚みが２０μｍ以下の薄板１と、該薄板の表面又は裏面に形成された光導波路２と、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極とを含むマッハツェンダー導波路型光変調器において、該光導波路が入力光導波路２１と分岐光導波路２３～２８と出力光導波路３０からなり、該分岐光導波路は該入力光導波路から複数の光導波路に分岐する入力側分岐部（領域Ｂ）と、出力光導波路に接続される複数の光導波路を合波する出力側合波部（領域Ｄ）と、入力側分岐部と出力側合波部との間に形成された平行部（領域Ｃ）とを有し、入力側分岐部又は出力側合波部のうち少なくとも一方は、分岐光導波路の対称軸に沿う長さｌと、該平行部における光導波路間隔ｄとの比率ｌ／ｄが、３３～１００であることを特徴とする。

    Abstract translation: 这旨在抑制光折射现象和杂散光与信号光的耦合的影响。 本发明提供一种马赫 - 泽德波导型光调制器，其包括由具有电光效应并且具有20μm或更小的厚度的材料制成的薄板（1），形成在薄的表面或背面的光波导（2） 板和用于调制光以通过光波导的调制电极。 马赫 - 泽恩波导型光调制器的特征在于，光波导包括输入光波导（21），分支光波导（23-28）和输出光波导（30），其中分支光波导具有输入 从输入光波导分支成多个光波导的侧分支部（区域（B）），与输出光波导连接的光波导合并的输出侧合流部（区域（D）） 形成在输入侧分支部分和输出侧合并部分之间的部分（或区域（C）），并且输入侧分支部分和输出侧合并部分中的至少一个具有比例（1 / d） 沿着分支光波导的对称轴的长度（l）和平行部分中的光波导距离（d）之间的距离为33至100。

    光導波路型デバイス
    128.
    发明申请
    光導波路型デバイス 审中-公开
    光波导型设备

    公开(公告)号：WO2009041468A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/JP2008/067246

    申请日：2008-09-25

    Applicant: 住友大阪セメント株式会社 ,  金原 勇貴 ,  菅又 徹

    Inventor： 金原 勇貴 ,  菅又 徹

    IPC: G02F1/035 ,  G02B6/12

    CPC classification number: G02F1/0356 ,  G02F1/2255 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063

    Abstract: 　電気光学効果を有するＸカット基板を用いた光導波路型デバイスにおいて、制御電極が形成する電界による変調効率を向上させた光導波路型デバイスを提供することを目的とする。 　電気光学効果を有し、Ｘカット基板１と、該基板上に形成された光導波路２と、該光導波路内を導波する光波を制御する、信号電極３と接地電極４からなる制御電極とを有する光導波路型デバイスにおいて、該光導波路を挟むように配置された該信号電極と該接地電極の少なくとも一方の底面は、該光導波路が形成された上面に対して低い位置（高低差ｄ）にあることを特徴とする。

    Abstract translation: 一种使用具有电光效应的X切割基板的光波导型器件。 该装置由于控制电极产生的电场而具有改善的调制效率。 该装置具有电光效应，并且设置有X切割基板（1），形成在基板上的光波导（2）和控制电极，其控制在光波导内引导的光波并由信号 电极（3）和接地电极（4）。 该装置的特征在于，布置成夹在其间的光波导的信号电极或接地电极中的至少一个的底表面位于比基板的上表面低的位置（高度差（d）），其中光波导 形成了。

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