公开(公告)号：CN101483123A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200810065180.6

申请日：2008-01-11

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  刘亮 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种场发射电子器件的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底；在该绝缘基底上分别制备多个平行且等间隔设置的行电极引线与多个列电极引线，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线相互交叉形成一网格；在上述绝缘基底上制备多个阳极电极与多个阴极电极，在每个网格中间隔设置一阳极电极与一阴极电极；形成一碳纳米管薄膜结构覆盖于上述设置有电极和电极引线的绝缘基底上；切割碳纳米管薄膜结构，使阳极电极与阴极电极之间的碳纳米管薄膜结构断开，形成多个平行排列的碳纳米管长线固定于阴极电极上作为阴极发射体，从而得到一场发射电子器件。

公开(公告)号：CN101450798A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710196652.7

申请日：2007-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  付磊 ,  刘云圻 ,  李祥龙 ,  曹灵超 ,  魏大程 ,  王钰 ,  于贵

IPC: C01B31/02 ,  H01J1/30

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/28 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455

Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、由此得到的碳纳米管以及使用该碳纳米管制备的元件。该处理碳纳米管的方法使用含羟基自由基(HO.)的水溶液对碳纳米管进行处理。

公开(公告)号：CN101450797A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710196650.8

申请日：2007-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  张洪亮 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  李祥龙 ,  魏大程 ,  王钰 ,  石大川

IPC: C01B31/02 ,  C09C3/06 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847

Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件。在该处理碳纳米管的方法中，使用SO3气体在高温例如385～475℃的处理温度下对碳纳米管进行处理。

公开(公告)号：CN100487847C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200310116536.1

申请日：2003-11-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 柳美爱 ,  金薰英 ,  南仲佑

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/04 ,  H01J29/46 ,  H01J1/304

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明公开场发射显示器，其包括以预定间隔彼此相对设置的第一和第二衬底；设置在第一和第二衬底其中之一上的电子发射源；用于诱导从电子发射源发射电子的电子发射诱导装置；设置在没有形成电子发射源的衬底上的辐射装置，该辐射装置通过来自电子发射源的电子发射实现图像。电子发射源包括碳纳米管层和基极层，该基极层连接碳纳米管层到衬底并且施加电子发射所需的电压到碳纳米管层上。此外，设置在基极层的包括隆起和凹坑的外表面上的碳纳米管层处于与基极层基本不混合的状态。基极层包括：从PbO，SiO2，Ba2O3和它们的混合物构成的组中选取的玻璃熔块所实现的粘性材料；以及选自于由银、铜和铝构成的组的金属导电材料。

公开(公告)号：CN101410927A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200480025387.0

申请日：2004-07-09

Applicant: 海珀里昂催化国际有限公司

Inventor： M·塔凯 ,  A·B·菲希尔 ,  L·恩高 ,  C·牛

IPC: H01J9/02 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01B1/04 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种提供包括利用激光或等离子体处理过的碳纳米管垫的场发射装置。该垫由也被公知为碳微丝的碳纳米管形成，该碳微丝是具有小于大约1微米的直径的蠕虫状碳沉积物。然后对该碳纳米管垫进行激光或等离子体处理。经处理的碳纳米管垫无论作为场发射阴极还是场发射装置的一部分均具有改进的场发射性能。

公开(公告)号：CN101388319A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200710077111.2

申请日：2007-09-14

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 冯辰 ,  柳鹏 ,  范守善

IPC: H01J63/02 ,  H01J63/06 ,  F21V9/14

CPC classification number: H01J63/04 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种场发射偏振光源，其包括：一具有一平整表面的基板、一形成在该基板表面的阴极导电层、多个设置在该阴极导电层上的电子发射体、一与该阴极导电层相隔一定距离设置的一透明基板、一形成于该透明基板靠近电子发射体一侧的阳极层、一设置在该阳极层表面的荧光层，其中，该阳极层为碳纳米管薄膜结构且该碳纳米管薄膜结构中的碳纳米管择优取向排列。

公开(公告)号：CN101365649A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200780001831.9

申请日：2007-03-13

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 瀧优介 ,  筱原清晃 ,  菊池牧子

IPC: C01B31/02 ,  B01J21/18 ,  B01J23/85 ,  B01J35/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12

CPC classification number: B01J35/023 ,  B01J21/185 ,  B01J23/85 ,  B01J23/888 ,  B01J35/004 ,  B01J35/006 ,  B01J37/18 ,  B01J37/34 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/08 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管集合体的制造方法，对基板上的碳纳米管的生长密度加以控制，该方法包含下述步骤：准备催化剂粒子分散膜形成基板的步骤，所述催化剂粒子分散膜形成基板具备将具有既定粒径的金属催化剂粒子分散在障碍粒子中得到的催化剂粒子分散膜；热CVD步骤，以所述金属催化剂粒子作为基点，通过有机化合物蒸气的热分解来使碳纳米管生长。

公开(公告)号：CN101360681A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200680051158.5

申请日：2006-11-24

Applicant: 独立行政法人物质·材料研究机构 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 安藤寿浩 ,  中川清晴 ,  蒲生美香 ,  蒲生秀典

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B01J23/75 ,  B01J35/002 ,  B01J35/0033 ,  B01J37/14 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/256 ,  Y10T428/30

Abstract: 碳纳米管(64)在其拉曼光谱中在1580cm－1附近的拉曼散射强度最大。能够在由导电性基板(62)和形成于导电性基板的表面上的催化剂微粒(63)构成的基板的催化剂微粒(63)上使碳纳米管生长。催化剂微粒(63)由氧化钴催化剂超微粒构成。在对该碳纳米管(64)的顶端(64a)外加电压而发射电子的电子发射元件(60)中，能够降低驱动电压，并能够得到使市售的低速电子射线用荧光体发光的程度的电流值。由于电子发射元件(60)不需要栅极，因此能够简化采用其的面发光元件的结构，进而能够实现低成本化。由于碳材料即使在低真空区域也不被氧化，因此与采用以往的电子发射元件的发光元件相比，容易面板化，并且可谋求长寿命化。

公开(公告)号：CN101352353A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810215733.1

申请日：2003-01-09

Applicant: 北卡罗来纳-查佩尔山大学

Inventor： 周子刚 ,  卢健平 ,  邱齐

IPC: A61B6/03 ,  H05G1/00 ,  H01J35/00

CPC classification number: H01J35/14 ,  A61B6/032 ,  A61B6/4028 ,  B82Y10/00 ,  H01J35/065 ,  H01J35/22 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2235/064 ,  H01J2235/068 ,  H05G1/34

Abstract: 一种用于产生x射线的结构具有多个固定的且单个地电可寻址的场致发射电子源(402)，其具有包括场致发射材料的基片，诸如碳纳米管。以预定的频率电切换场致发射电子源以可编程的序列朝着靶上的入射点发射电子。产生的x射线频率上和位置上相应于场致发射电子源。大区域靶(404)和发射器(402)的阵列或者矩阵可以从不同的位置和/或角度来成像物体(416)，而不移动物体或者结构(400)，以及可以产生三维图像。该x射线系统适于各种应用，包括工业检查/质量控制、分析仪器、诸如机场安全检查系统之类的安全系统，以及诸如计算机断层之类的医学成像。

公开(公告)号：CN100453188C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200510100356.3

申请日：2005-10-14

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 林孟东

IPC: B05C5/02 ,  B05C13/00 ,  B05B15/00 ,  B05D3/10 ,  C23F17/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B05B1/202 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J2201/30469 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0048

Abstract: 本发明涉及一种沉积碳纳米管薄膜的设备，其包括一支撑装置，多个卡扣在支撑装置上的喷射装置及多个分别与喷射装置相连通的输送管。所述支撑装置包括一第一支撑件、一第二支撑件及一扣紧装置。所述沉积碳纳米管的装置具有可同时大面积成膜，成膜快速，成本低廉的优点。