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    SYSTEME DE CONVERSION D'ENERGIE THERMIQUE EN ENERGIE ELECTRIQUE.
    131.
    发明专利
    SYSTEME DE CONVERSION D'ENERGIE THERMIQUE EN ENERGIE ELECTRIQUE. 未知

    公开(公告)号：FR3042925A1

    公开(公告)日：2017-04-28

    申请号：FR1560185

    申请日：2015-10-26

    Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： ARNAUD ARTHUR ,  BOUGHALEB JIHANE ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS

    IPC: H02N2/18 ,  G12B1/02

    Abstract: Le système de conversion d'énergie thermique en énergie électrique (SYS), comprend un châssis (1), au moins un élément sensible à la température (3) maintenu dans le châssis (1) par deux de ses extrémités (31, 32) entre une source chaude (TC) et une source froide (TF), au moins un élément piézoélectrique (5) disposé entre au moins une partie du châssis (1) et au moins une première desdites deux extrémités (31, 32) dudit au moins un élément sensible à la température (3), ledit au moins un élément sensible à la température (3) étant configuré pour se déformer cycliquement entre deux états sous l'action du gradient thermique entre la source chaude (TC) et la source froide (TF) tout en exerçant une contrainte lors de sa déformation cyclique sur ledit au moins un élément piézoélectrique (5) par l'intermédiaire de ladite au moins une première extrémité.

    PROCEDE DE REALISATION D'UN CONTACT SUR UNE ZONE ACTIVE D'UN CIRCUIT INTEGRE, PAR EXEMPLE REALISE SUR UN SUBSTRAT DU TYPE SOI, EN PARTICULIER FDSOI, ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT
    134.
    发明专利
    PROCEDE DE REALISATION D'UN CONTACT SUR UNE ZONE ACTIVE D'UN CIRCUIT INTEGRE, PAR EXEMPLE REALISE SUR UN SUBSTRAT DU TYPE SOI, EN PARTICULIER FDSOI, ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT 未知

    公开(公告)号：FR3037714A1

    公开(公告)日：2016-12-23

    申请号：FR1555588

    申请日：2015-06-18

    Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： PETITPREZ EMMANUEL

    IPC: H01L21/334 ,  H01L21/328

    Abstract: Circuit intégré, comprenant au moins une zone active (ZA) s'étendant au-dessus d'un substrat semiconducteur (3), une cavité (CVO) située en bordure de la zone active et s'étendant dans une zone isolante (2, 4) jusqu'au voisinage d'une région semiconductrice, un empilement isolant et un contact électriquement conducteur (CTC) au sein de l'empilement isolant débouchant sur la zone active et dans la cavité. L'empilement isolant comporte une première couche isolante (6) recouvrant la zone active à l'extérieur dudit contact et tapissant les parois de la cavité, une couche isolante supplémentaire (12) recouvrant la partie de la première couche isolante (6) tapissant les parois de ladite cavité, le contact (CTC) atteignant cette couche isolante supplémentaire dans ladite cavité, et une région isolante (7, 9) au-dessus de la première couche isolante (6) et de la couche isolante supplémentaire (12) comportant au moins un matériau isolant (7, 9) autour dudit contact.

    DISPOSITIF ELECTRONIQUE A PLAQUE ARRIERE EVIDEE.
    138.
    发明专利
    DISPOSITIF ELECTRONIQUE A PLAQUE ARRIERE EVIDEE. 未知

    公开(公告)号：FR3037439A1

    公开(公告)日：2016-12-16

    申请号：FR1555362

    申请日：2015-06-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： HOTELLIER NICOLAS ,  FOURNEL RICHARD ,  GIANESELLO FREDERIC ,  GUYADER FRANCOIS ,  FIORI VINCENT

    IPC: H01L23/18 ,  H01L23/13 ,  H01L23/58

    Abstract: Dispositif électronique et procédé de traitement, dans lesquels une plaque arrière (3) comprend une couche arrière de substrat (4), une couche avant de substrat (5) et une couche intermédiaire diélectrique (6), située entre la couche arrière et la couche avant, et comprenant une structure électronique (7) aménagée sur ladite couche avant de substrat (5), incluant des composants électroniques et des moyens de connexion électrique, et dans lesquels ladite couche arrière de substrat (4) présente au moins une région locale pleine (17) et au moins une région locale évidée (18), cette région locale évidée étant aménagée sur toute l'épaisseur de ladite couche arrière, de sorte que ladite couche arrière de substrat ne recouvre pas au moins une zone locale (19) de la face arrière de ladite couche intermédiaire diélectrique (6), correspondant à ladite région locale évidée (18).

    PROCEDE D'ISOLATION LOCALE ENTRE DES TRANSISTORS REALISES SUR UN SUBSTRAT SOI, EN PARTICULIER FDSOI, ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT
    140.
    发明专利
    PROCEDE D'ISOLATION LOCALE ENTRE DES TRANSISTORS REALISES SUR UN SUBSTRAT SOI, EN PARTICULIER FDSOI, ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT 未知

    公开(公告)号：FR3036846A1

    公开(公告)日：2016-12-02

    申请号：FR1554853

    申请日：2015-05-29

    Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： PERRIN EMMANUEL

    IPC: H01L21/762

    Abstract: Circuit intégré, comprenant un substrat (1) du type SOI comportant un film semi-conducteur (12) situé au-dessus d'une couche isolante enterrée (11), elle-même située au-dessus d'un substrat porteur (10), le film semi-conducteur (12) comprenant une première zone (Z1), des premiers motifs (21) au dessus de la première zone (Z1) du film semi-conducteur (12) formant des régions de grille de premiers transistors MOS et des premières régions de grille fictives, la première zone (Z1) du film semi-conducteur comportant deux domaines (d1, d2) mutuellement espacés, ledit espace (7) étant comblé par au moins un matériau isolant (9) et situé entre deux régions de grille fictives (240, 241) au dessus d'une région du substrat porteur (11) exempte de tranchée isolante.

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