公开(公告)号：FR3037439A1

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：FR1555362

申请日：2015-06-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： HOTELLIER NICOLAS ,  FOURNEL RICHARD ,  GIANESELLO FREDERIC ,  GUYADER FRANCOIS ,  FIORI VINCENT

IPC: H01L23/18 ,  H01L23/13 ,  H01L23/58

Abstract: Dispositif électronique et procédé de traitement, dans lesquels une plaque arrière (3) comprend une couche arrière de substrat (4), une couche avant de substrat (5) et une couche intermédiaire diélectrique (6), située entre la couche arrière et la couche avant, et comprenant une structure électronique (7) aménagée sur ladite couche avant de substrat (5), incluant des composants électroniques et des moyens de connexion électrique, et dans lesquels ladite couche arrière de substrat (4) présente au moins une région locale pleine (17) et au moins une région locale évidée (18), cette région locale évidée étant aménagée sur toute l'épaisseur de ladite couche arrière, de sorte que ladite couche arrière de substrat ne recouvre pas au moins une zone locale (19) de la face arrière de ladite couche intermédiaire diélectrique (6), correspondant à ladite région locale évidée (18).

公开(公告)号：FR3037720A1

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：FR1555654

申请日：2015-06-19

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： HOTELLIER NICOLAS

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/74 ,  H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un composant électronique comprenant une couche semiconductrice (1) dont une première face (F2) est revêtue d'une première couche isolante (7) et dont une deuxième face (F1) est revêtue d'une structure d'interconnexion, dans lequel un pion conducteur (37) isolé latéralement s'étend à travers la couche semiconductrice à partir d'une portion de couche conductrice (11) de la structure d'interconnexion jusqu'à un plot de contact (43) disposé au niveau de la première couche isolante.

公开(公告)号：FR2902236B1

公开(公告)日：2008-12-05

申请号：FR0652068

申请日：2006-06-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HOTELLIER NICOLAS ,  FELLOUS CYRIL ,  COWACHE CHRISTOPHE ,  SANCHEZ YANNICK

IPC: H01L27/146

Abstract: A microelectronic device includes a color filter equipped with a plurality of filtering elements, including several filtering elements. The device includes at least one first zone located inside a cavity and includes a first group of filtering elements having a first critical dimension, and at least one second zone at the periphery of the cavity, including a second group of filtering elements having a second critical dimension that is different from the first critical dimension.

公开(公告)号：FR2983638A1

公开(公告)日：2013-06-07

申请号：FR1161066

申请日：2011-12-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  JOBLOT SYLVAIN ,  HOTELLIER NICOLAS

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un circuit intégré comprenant les étapes suivantes : a) former des ouvertures dans une face avant d'une première plaquette (W1) et les remplir d'un matériau conducteur (5) ; b) former des zones dopées de composants dans des zones actives (9) de la face avant, former des niveaux d'interconnexion (11) sur ladite face et aplanir ladite face ; c) recouvrir d'une couche d'isolant (17) une face avant d'une deuxième plaquette (W2), et aplanir ladite face revêtue d'isolant ; d) appliquer la face avant de la deuxième plaquette (W2) sur la face avant de la première plaquette (W1), de façon à obtenir un collage entre les deux plaquettes ; e) former des vias (33) à partir de la face arrière de la deuxième plaquette, jusqu'à atteindre les niveaux d'interconnexion (11) ; et f) amincir la première plaquette, jusqu'à atteindre les ouvertures remplies de matériau conducteur.

公开(公告)号：FR2897472A1

公开(公告)日：2007-08-17

申请号：FR0650536

申请日：2006-02-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FELLOUS CYRIL ,  HOTELLIER NICOLAS ,  AUMONT CHRISTOPHE ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un photodétecteur comprenant une photodiode (D) formée dans un substrat semiconducteur (1) et un élément de guide d'onde (G) constitué d'un bloc d'un matériau à haut indice (7) s'étendant verticalement à l'aplomb de la photodiode dans une couche épaisse d'un diélectrique (5) superposée au substrat, la couche épaisse étant au moins majoritairement constituée d'oxyde de silicium et le bloc étant constitué d'un polymère siloxane.

公开(公告)号：FR2959866A1

公开(公告)日：2011-11-11

申请号：FR1053527

申请日：2010-05-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GUYADER FRANCOIS ,  SANCHEZ YANNICK ,  HOTELLIER NICOLAS ,  BERGER THIERRY

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: Lors de la gravure de l'oxyde de champ (RIS) de façon à prolonger l'orifice (OR) de la future liaison traversante (TSV) jusqu'au niveau de métal (M1), on protège au moins une partie de cet oxyde de champ avec une résine (MP) qui peut être sacrificielle ou non.

公开(公告)号：FR2956244A1

公开(公告)日：2011-08-12

申请号：FR1050822

申请日：2010-02-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FIORI VINCENT ,  HOTELLIER NICOLAS ,  PRUVOST JULIEN ,  DELOFFRE EMILIE

IPC: H01L21/78

Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant un substrat semiconducteur (30) en surface duquel sont formés des composants électroniques (32) répartis en puces, comprenant en outre au moins une plaquette (36) fixée au-dessus des composants électroniques avec interposition d'une couche intermédiaire (38), caractérisé en ce que, en regard de zones de découpe définies entre les puces, la couche intermédiaire comprend une alternance de premières régions (38A) et d'au moins de secondes régions (38B) en des matériaux présentant des valeurs distinctes d'une caractéristique mécanique.

公开(公告)号：FR2910715B1

公开(公告)日：2009-06-26

申请号：FR0655813

申请日：2006-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： SANCHEZ YANNICK ,  HOTELLIER NICOLAS ,  INARD ALAIN

IPC: H01L31/18 ,  G02B3/00 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232

公开(公告)号：FR2897472B1

公开(公告)日：2008-09-05

申请号：FR0650536

申请日：2006-02-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FELLOUS CYRIL ,  HOTELLIER NICOLAS ,  AUMONT CHRISTOPHE ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: A photodetector including a photodiode formed in a semiconductor substrate and a waveguide element formed of a block of a high-index material extending above the photodiode in a thick layer of a dielectric superposed to the substrate, the thick layer being at least as a majority formed of silicon oxide and the block being formed of a polymer of the general formula R1R2R3SiOSiR1R2R3 where R1, R2, and R3 are any carbonaceous or metal substituents and where one of R1, R2, or R3 is a carbonaceous substituent having at least four carbon atoms and/or at least one oxygen atom.

公开(公告)号：FR2910715A1

公开(公告)日：2008-06-27

申请号：FR0655813

申请日：2006-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： SANCHEZ YANNICK ,  HOTELLIER NICOLAS ,  INARD ALAIN

IPC: H01L31/18 ,  G02B3/00 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232

Abstract: Procédé et appareillage pour réaliser des micro-lentilles optiques (5) sur une couche antérieure (3) d'un dispositif semi-conducteur, dans lequel on dépose une ultime couche en un matériau adapté ; on réalise des rainures croisées dans ladite couche ultime, jusqu'à ladite couche antérieure, de façon à constituer des plots espacés ; et on effectue un traitement de façon à provoquer un ramollissement desdits plots générant un fluage de ces derniers leur conférant une forme bombée et on provoque leur durcissement, dans lesquels, pour effectuer ledit traitement, on place le dispositif semi-conducteur dans la chambre d'une enceinte, à une température basse ; et on fait fonctionner des moyens de chauffage de ladite chambre, des moyens pour générer un rayonnement ultra-violet vers lesdits plots et des moyens pour générer dans ladite chambre un plasma de façon que, lors dudit fluage et dudit durcissement, les bords voisins desdits plots ne fusionnent pas.Dispositif semi-conducteur à micro-lentilles optiques comprenant des moyens anti-fusion (7) de ces micro-lentilles.