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公开(公告)号：KR100875988B1
公开(公告)日：2008-12-26
申请号：KR1020070063283
申请日：2007-06-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: The method for structuring of the p-type semiconductor layer of the light emitting diode is provided to improve production of the light emitting diode with high efficiency by forming the two-dimensional photonic crystal pattern on the p type GaN layer. The method for patterning the p-type semiconductor layer of the nitride system light emitting diode by using the nanosphere lithography includes as follows. The first step is for arranging nanospheres(250) on the p-type semiconductor layer(240). The second step is for etching the nanosphere. The third step is for forming the metal layer on the p-type semiconductor layer using the nanosphere as the deposition mask. The fourth step is for removing the nanosphere. The fifth step is for etching the p-type semiconductor layer using the metal layer as the etching mask.
Abstract translation: 提供了用于构造发光二极管的p型半导体层的方法，以通过在p型GaN层上形成二维光子晶体图案来高效率地生产发光二极管。 通过使用纳米球平版印刷图案化氮化物系发光二极管的p型半导体层的方法包括如下。 第一步是在p型半导体层（240）上布置纳米球（250）。 第二步是蚀刻纳米球。 第三步是使用纳米球作为沉积掩模在p型半导体层上形成金属层。 第四步是去除纳米球。 第五步是使用金属层作为蚀刻掩模蚀刻p型半导体层。
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132.发明授权
公开(公告)号：KR100647062B1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050021084
申请日：2005-03-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 금속 덴드라이트를 이용하여 상변화 재료층과의 접촉면적을 감소시킨 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법이 개시된다.
본 발명에 의한 상변화 메모리 소자는 제 1 전극; 상기 제 1 전극의 상부에 형성된 상변화 재료층; 상기 상변화 재료층의 상부에 형성된 고속 이온 도체층; 상기 고속 이온 도체층의 상부에 형성된 제 2 전극; 및 상기 제 2 전극에 음의 전압이 걸리도록 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극에 일정 전압을 일정 시간 인가함으로써 상기 고속이온도체층을 관통하여 상기 제 2 전극과 상기 상변화재료층을 연결하는 금속 덴드라이트를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상변화 메모리 소자, 금속 덴드라이트Abstract translation: 一种相变存储器件及其制造方法，所述相变存储器件具有与使用金属枝晶的相变材料层的减小的接触面积。
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公开(公告)号：KR102248471B1
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：KR1020190091722
申请日：2019-07-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 개시된본 발명에의한복사냉각성능측정장치는, 복사냉각가능한시료를향해광을모사하는제1모사부, 시료를사이에두고제1모사부와마주하여실외환경을모사하는제2모사부및, 제2모사부를향해복사냉각되는시료의온도를측정하는측정부를포함하며, 제2모사부는, 시료가내부에마련되며격리된진공의챔버부및, 챔버부의일측에시료를사이에두고제1모사부와마주하여시료로부터방사되는복사열에너지를흡수하되, 냉각재에의해냉각된환경을제공하는냉각부를포함한다. 이러한구성에의하면, 외부환경에영향을받지않음으로써, 정확하고균일한복사냉각성능측정이가능해진다.
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公开(公告)号：KR102231471B1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：KR1020160101507
申请日：2016-08-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 한국전자통신연구원
Abstract: 메타물질구조체는제1 나노입자(nano particle), 및제1 나노입자와다른물질을포함하는제2 나노입자를포함하되, 제1 및제2 나노입자들은서로인접하여, 서로전자기적으로커플링된다.
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公开(公告)号：KR102225800B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190151729
申请日：2019-11-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: F25B23/00 , F28F13/18 , G02B5/08 , G02B5/22 , G02B1/10 , C03C17/36 , C03C17/38 , C07C17/42 , C09D1/02 , C09D183/04 , C09D133/14 , C09D7/61 , C09D7/65 , C08K3/22 , C08K3/34 , C08K3/36
Abstract: 본발명은복사냉각소자및 이의제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른복사냉각소자는기판상에자외선, 가시광선및 근적외선영역의파장을갖는태양광을반사시키는반사층; 및상기반사층상에형성되고, 중적외선영역의파장을갖는태양광을흡수하여열로방사하는복사냉각층을포함하며, 상기복사냉각층은, 요철패턴을포함하는제1 복사층; 및상기제1 복사층상에형성되고상기제1 복사층과상이한굴절률을가지는제2 복사층을포함하는것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101867156B1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：KR1020160068328
申请日：2016-06-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 유연기판구조물은유연기판및 상기유연기판상에형성되고, 서로교차하는전극패턴들로이루어져메쉬형상을가지며, 상기전극패턴들각각내부에나노크기의평균직경을갖는홀들이형성된전극구조물을포함한다.
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