회선 교환망의 보호 절체 모드를 지원하는 통합 스위칭장치 및 그 방법
    131.
    发明公开
    회선 교환망의 보호 절체 모드를 지원하는 통합 스위칭장치 및 그 방법 失效
    SONET / SDH保护开关的装置及其方法

    公开(公告)号:KR1020060063572A

    公开(公告)日:2006-06-12

    申请号:KR1020050037755

    申请日:2005-05-04

    Inventor: 손종무 이정희

    Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
    본 발명은, 회선 교환망의 보호 절체 모드를 지원하는 통합 스위칭 장치 및 그 방법에 관한 것임.
    2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
    본 발명은, 일반적인 패킷(IP/이더넷) 망의 고정길이 패킷 스위치를 이용하여, 회선 교환망(SONET/SDH)의 보호 절체 모드를 지원하는 통합 스위칭 장치 및 그 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
    3. 발명의 해결 방법의 요지
    본 발명은, 통합 스위칭 장치에 있어서, 외부로부터 입력받은 회선 데이터를 고정길이 패킷으로 변환한 후, 보호 절체 모드에 따라 출력시키기 위하여 쌍을 이루는 다수의 입력 회선 데이터 처리 수단; 외부로부터 입력받은 패킷 데이터를 고정길이 패킷으로 변환한 후, 보호 절체 모드에 따라 출력시키기 위한 다수의 입력 패킷 데이터 처리 수단; 상기 입력 회선 데이터 처리 수단 및 상기 입력 패킷 데이터 처리 수단으로부터 전달받은 고정길이 패킷을 목적지 출력 포트로 스위칭하기 위한 고정길이 패킷 스위칭 수단; 상기 고정길이 패킷 스위칭 수단으로부터 전달받은 고정길이 패킷을 회선 데이터로 재구성한 후, 보호 절체 모드에 따라 출력시키기 위하여 쌍을 이루는 다수의 출력 회선 데이터 처리 수단; 상기 고정길이 패킷 스위칭 수단으로부터 전달받은 고정길이 패킷을 보호 절체 모드에 따라 출력시키기 위한 다수의 출력 패킷 데이터 처리 수단; 및 상기 각 구성 요소로부터 상태 정보를 수집한 후 상기 각 구성 요소로 분배하여, 외부로부터의 회선 데이터 및 패킷 데이터가 보호 절체 모드에 따라 스위칭되도록 제어하기 위한 제어/타이밍 구동 수단을 포함함.
    4. 발명의 중요한 용도
    본 발명은 통합 스위칭 시스템 등에 이용됨.
    회선 교환망, 패킷망, 보호 절체 모드, 패킷 스위치, 통합 스위칭

    다수의 공유 저장장소를 이용한 효율적인 스위칭 장치 및그 방법
    132.
    发明公开
    다수의 공유 저장장소를 이용한 효율적인 스위칭 장치 및그 방법 失效
    有效的切换设备及其使用多个共享存储器的方法

    公开(公告)号:KR1020060061746A

    公开(公告)日:2006-06-08

    申请号:KR1020050021413

    申请日:2005-03-15

    Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
    본 발명은 다수의 공유 저장장소를 이용한 효율적인 스위칭 장치 및 그 방법에 관한 것임.
    2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
    본 발명은 다수의 저장장소를 공유함으로써 확장이 용이하고, 저장장소에 한번 저장되어 출력되므로 전력소모가 적을 뿐만 아니라 균일분포 및 비균일분포 트래픽에 대하여 출력큐 스위치 구조와 같은 성능을 제공할 수 있는 스위칭 장치 및 그 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
    3. 발명의 해결방법의 요지
    본 발명은, 다수의 입력포트로 입력되는 자료를 다수의 출력포트로 전달하기 위한 스위칭 장치에 있어서, 외부 기기로부터 입력되는 자료의 출력포트를 읽어 출력포트로의 출력시간을 결정하기 위한 출력시간 결정 수단; 상기 출력시간 결정 수단에 연결되어 자료의 출력포트별로 가능한 자료 출력시간을 관리하기 위한 출력시간 관리 수단; 상기 출력시간 결정 수단으로부터의 자료 출력시간을 이용하여 자료 출력시간 위치가 비어있는 저장장소(memory bank)를 선택하기 위한 저장장소 선택 수단; 상기 저장장소 선택 수단에 연결되어 저장장소의 출력시간별 이용정보를 관리하기 위한 저장장소 이용정보 관리 수단; 상기 출력시간 결정 수단과 상기 저장장소 선택 수단의 결과를 이용하여 선택 및 결정된 상기 저장장소(memory bank)의 출력시간 위치로 전송자료를 전달하기 위한 연결 수단; 상기 연결 수단에 연결되어 상기 출력시간 결정 수단과 상기 저장장소 선택 수단의 결과를 이용하여 선택 및 결정된 상기 저장장소(memory bank)의 출력시간 위치에 자료를 저장하고, 다수의 분산 공유 저장장소를 출력될 시간( )에 따라 구분하여 관리하며, 현재 출력시간( )에 해당하는 저장장소들의 전송자료들을 읽어 출력하기 위한 공유 저장 수단; 및 상기 공유 저장 수단의 현재 출력시간( )에 해당하는 출력자료들을 입력받아 자료의 출력포트 정보를 읽어 해당하는 출력포트로 전달하기 위한 출력포트 연결 수단을 포함함.
    4. 발명의 중요한 용도
    본 발명은 스위칭 시스템 또는 네트워크 시스템 등에 이용됨.
    다수의 분산된 저장장소, 공유 저장장소, 스위칭 장치, 출력시간 결정, 저장장소 선택, 균일분포 트래픽, 비균일분포 트래픽, 출력큐 스위치 구조 성능

    반도체 소자의 제조 방법
    133.
    发明公开
    반도체 소자의 제조 방법 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR1020040046479A

    公开(公告)日:2004-06-05

    申请号:KR1020020074420

    申请日:2002-11-27

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to be capable of embodying a SAW filter using an Sl(Semi Insulating)-GaN layer of an HEMT(High Electron Mobility Transistor) for integrating the devices on a unit wafer. CONSTITUTION: An HEMT device is manufactured by depositing an SI GaN layer(12) and an AlxGa1-xN layer(13) on a semiconductor substrate(11). The first predetermined region of the AlxGa1-xN layer is etched. An FET(Field Effect Transistor) device is manufactured by forming FET electrodes(14a,14b) on the predetermined region of the AlxGa1-xN layer. The second predetermined region of the AlxGa1-xN layer is etched for exposing the SI GaN layer. Then, a SAW filter is manufactured by forming SAW filter electrodes(15) on the exposed SI-GaN layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造半导体器件的方法,其能够使用用于将器件集成在单元晶片上的HEMT(高电子迁移率晶体管)的S1(半绝缘)-GaN层来体现SAW滤波器。 构成:通过在半导体衬底(11)上沉积SI GaN层(12)和Al x Ga 1-x N层(13)来制造HEMT器件。 蚀刻Al x Ga 1-x N层的第一预定区域。 通过在Al x Ga 1-x N层的预定区域上形成FET电极(14a,14b)来制造FET(场效应晶体管)器件。 蚀刻Al x Ga 1-x N层的第二预定区域以暴露SI GaN层。 然后,通过在暴露的SI-GaN层上形成SAW滤波器电极(15)来制造SAW滤波器。

    스위칭시스템의 셀/패킷 스케쥴링 장치
    134.
    发明授权
    스위칭시스템의 셀/패킷 스케쥴링 장치 失效
    스위칭시스템의셀/패킷스케쥴링장치

    公开(公告)号:KR100419609B1

    公开(公告)日:2004-02-25

    申请号:KR1020010066715

    申请日:2001-10-29

    Abstract: PURPOSE: A cell and packet scheduling device of a switching system is provided to convert non-uniform traffic into uniform traffic for applying to a scheduler, so as to furnish scheduling throughput similar to the throughput of an output buffer in the non-uniform traffic as well as in the uniform traffic. CONSTITUTION: A transfer request re-alignment part(110) re-aligns transfer request signals of a switch uniformly by ports. A cell and packet scheduler(120) receives the aligned transfer requests from the transfer request re-alignment part(110), to decide an output port not to generate input and output collision and output transfer accept signals. A transfer accept re-alignment part(130) re-aligns the transfer accept signals outputted from the cell and packet scheduler to original states(120). And a re-alignment state management part(140) decides the re-alignment state of the transfer request re-alignment part(110) and the transfer accept re-alignment part(130), according to ratio of scheduler services by ports of a switching system.

    Abstract translation: 目的:提供一种交换系统的信元和分组调度设备,用于将非均匀业务量转换为统一业务量以便应用于调度器,从而提供类似于非均匀业务量中的输出缓冲器的吞吐量的调度吞吐量,作为 以及统一的交通。 组成:传输请求重新对齐部分(110)通过端口一致地重新对齐交换机的传输请求信号。 单元和分组调度器(120)从传输请求重新对齐部分(110)接收对齐的传输请求,以确定输出端口不产生输入和输出冲突并输出传输接受信号。 传送接受重新对齐部分(130)将从单元和分组调度器输出的传送接受信号重新对准到原始状态(120)。 并且,重新对齐状态管理部分(140)根据基于端口的调度器服务的比率来决定传送请求重新对齐部分(110)和传送接受重新对齐部分(130)的重新对齐状态 交换系统。

    QoS 및 CoS를 지원하는 교환시스템의 역다중화 장치및 그 방법
    135.
    发明公开
    QoS 및 CoS를 지원하는 교환시스템의 역다중화 장치및 그 방법 失效
    用于支持开关系统中的QOS和COS的解复用器件及其方法

    公开(公告)号:KR1020040001007A

    公开(公告)日:2004-01-07

    申请号:KR1020020036062

    申请日:2002-06-26

    Abstract: PURPOSE: A demultiplexing device for supporting QoS(Quality of Service) and COS(Class of Service) in a switch system and a method therefor are provided to improve embodying complexity by using a switch, which supports the QoS and the CoS, as a detailed transmission path. CONSTITUTION: A transmission data distribution unit(210) receives transmission data, classifies the received transmission data according to the flow of transmission data with the order relation of transmission, and distributes the classified transmission data. A transmission data transmitting unit(230) having a plurality of detailed paths transmits the transmission data distributed in the transmission data distribution unit(210). A transmission data assembling unit(220) reassembles frames according to the order relation of the transmission data transmitted from the transmission data transmitting unit(230).

    Abstract translation: 目的:提供一种用于支持交换机系统中的QoS(服务质量)和COS(服务等级)的解复用设备及其方法,以通过使用支持QoS和CoS的交换机作为详细的方式来提高体现复杂性 传输路径。 构成:发送数据分发单元(210)接收发送数据,根据发送数据的发送数据的流向对所接收的发送数据进行分类,分发发送数据。 具有多个详细路径的发送数据发送单元(230)发送分发在发送数据分配单元(210)中的发送数据。 发送数据组合单元(220)根据从发送数据发送单元(230)发送的发送数据的顺序关系重新组合帧。

    이차원 전자가스의 전자밀도가 증가된 고전자이동도트랜지스터의 제조방법

    公开(公告)号:KR100413523B1

    公开(公告)日:2004-01-03

    申请号:KR1020010079308

    申请日:2001-12-14

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an HEMT(High Electron Mobility Transistor) having the increased electron density of two dimensional electron gas is provided to be capable of improving the high power and frequency characteristics of the transistor without electron scattering by forming a potential well at the bi-junction surface between a GaN layer and an AlxGa1-xN layer at the temperature of 1000°C, or higher. CONSTITUTION: A high resistive GaN layer(62) is formed on a substrate(60). An InN layer(64) is formed on the high resistive GaN layer(62) by In-delta doping using an MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) method. At this time, a potential well is formed at the InN layer and an electron density increased two dimensional electron gas layer is capable of being formed at the potential well. An AlxGa1-xN layer(69) is formed on the InN layer(64). Preferably, the substrate is made of one selected from a group consisting of sapphire, SiC, GaN, Si, or GaAs. Preferably, the GaN layer(62) has a thickness of 1-10 μm. Preferably, the GaN, InN, and AlxGa1-xN layer forming processes are carried out at the temperature of 1000°C, or higher.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造具有增加的二维电子气的电子密度的HEMT(高电子迁移率晶体管)的方法,以便能够通过在所述电子阱中形成势阱而改善没有电子散射的晶体管的高功率和频率特性 在1000℃或更高的温度下,在GaN层和Al x Ga 1-x N层之间的双结表面。 构成:在衬底(60)上形成高电阻GaN层(62)。 通过使用MOCVD(金属有机化学气相沉积)方法的In-δ掺杂,在高电阻GaN层(62)上形成InN层(64)。 此时,在InN层上形成势阱,并且势阱中能够形成电子密度增加的二维电子气层。 在InN层(64)上形成Al x Ga 1-x N层(69)。 优选地,衬底由选自蓝宝石,SiC,GaN,Si或GaAs中的一种制成。 优选地,GaN层(62)具有1-10μm的厚度。 优选地,GaN,InN和Al x Ga 1-x N层形成工艺在1000℃或更高的温度下进行。

    이차원 전자가스의 전자밀도가 증가된 고전자이동도트랜지스터의 제조방법
    137.
    发明公开
    이차원 전자가스의 전자밀도가 증가된 고전자이동도트랜지스터의 제조방법 失效
    制造具有两维电子气体增加的电子密度的高电子移动晶体管的方法

    公开(公告)号:KR1020030049169A

    公开(公告)日:2003-06-25

    申请号:KR1020010079308

    申请日:2001-12-14

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an HEMT(High Electron Mobility Transistor) having the increased electron density of two dimensional electron gas is provided to be capable of improving the high power and frequency characteristics of the transistor without electron scattering by forming a potential well at the bi-junction surface between a GaN layer and an AlxGa1-xN layer at the temperature of 1000°C, or higher. CONSTITUTION: A high resistive GaN layer(62) is formed on a substrate(60). An InN layer(64) is formed on the high resistive GaN layer(62) by In-delta doping using an MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) method. At this time, a potential well is formed at the InN layer and an electron density increased two dimensional electron gas layer is capable of being formed at the potential well. An AlxGa1-xN layer(69) is formed on the InN layer(64). Preferably, the substrate is made of one selected from a group consisting of sapphire, SiC, GaN, Si, or GaAs. Preferably, the GaN layer(62) has a thickness of 1-10 μm. Preferably, the GaN, InN, and AlxGa1-xN layer forming processes are carried out at the temperature of 1000°C, or higher.

    Abstract translation: 目的:提供具有增加的二维电子气体的电子密度的HEMT(高电子迁移率晶体管)的制造方法,以便能够通过在二极管形成电位阱来改善晶体管的高功率和频率特性而不发生电子散射 在1000℃或更高的温度下,GaN层和Al x Ga 1-x N层之间的双结面。 构成:在衬底(60)上形成高电阻GaN层(62)。 通过使用MOCVD(金属有机化学气相沉积)方法的In-δ掺杂,在高电阻GaN层(62)上形成InN层(64)。 此时,在InN层形成势阱,能够在势阱形成电子密度增加的二维电子气层。 在InN层(64)上形成Al x Ga 1-x N层(69)。 优选地,衬底由选自由蓝宝石,SiC,GaN,Si或GaAs组成的组中的一种制成。 优选地,GaN层(62)的厚度为1-10μm。 优选地,GaN,InN和Al x Ga 1-x N层形成工艺在1000℃或更高的温度下进行。

    스위칭시스템의 셀/패킷 스케쥴링 장치
    138.
    发明公开
    스위칭시스템의 셀/패킷 스케쥴링 장치 失效
    开关系统的单元和分组调度装置

    公开(公告)号:KR1020030034905A

    公开(公告)日:2003-05-09

    申请号:KR1020010066715

    申请日:2001-10-29

    CPC classification number: H04L47/6215 H04L47/6275 H04L49/30

    Abstract: PURPOSE: A cell and packet scheduling device of a switching system is provided to convert non-uniform traffic into uniform traffic for applying to a scheduler, so as to furnish scheduling throughput similar to the throughput of an output buffer in the non-uniform traffic as well as in the uniform traffic. CONSTITUTION: A transfer request re-alignment part(110) re-aligns transfer request signals of a switch uniformly by ports. A cell and packet scheduler(120) receives the aligned transfer requests from the transfer request re-alignment part(110), to decide an output port not to generate input and output collision and output transfer accept signals. A transfer accept re-alignment part(130) re-aligns the transfer accept signals outputted from the cell and packet scheduler to original states(120). And a re-alignment state management part(140) decides the re-alignment state of the transfer request re-alignment part(110) and the transfer accept re-alignment part(130), according to ratio of scheduler services by ports of a switching system.

    Abstract translation: 目的:提供交换系统的小区和分组调度设备,将非均匀流量转换为统一流量,以应用于调度器,从而提供类似于非均匀流量中输出缓冲区吞吐量的调度吞吐量,如 就像在统一的交通。 构成:转移请求重新对准部分(110)通过端口将移动请求信号均匀地重新对齐。 小区和分组调度器(120)从传送请求重新对准部分(110)接收对齐的传送请求,以决定不产生输入和输出冲突和输出传送接受信号的输出端口。 转移接受重新对准部分(130)将从小区和分组调度器输出的传送接受信号重新对齐到原始状态(120)。 并且重新对准状态管理部件(140)根据调度器服务按照端口的比例来决定转移请求重新对准部分(110)和转移接受重新对准部分(130)的重新对准状态 切换系统

    입출력버퍼형 스위치의 셀 시지연 보상방법
    139.
    发明授权
    입출력버퍼형 스위치의 셀 시지연 보상방법 失效
    입출력형형스위치의셀시지연보상방법

    公开(公告)号:KR100382144B1

    公开(公告)日:2003-05-01

    申请号:KR1020000044404

    申请日:2000-07-31

    Abstract: PURPOSE: A cell latency compensating method of an input/output buffer type switch is provided to use for a latency compensation of a large capacity input/output buffer type switch since it considers only a state of a portion of an input buffer module, effectively compensate a latency regardless of the size of a propagation latency, a control latency, an arrival latency and a departure latency, and perfectly restore an error possibly caused in transmission of cell information and a contention control. CONSTITUTION: It is assumed that cell number information is completely transmitted from an input buffer module to a contention control module. A contention result less than time s1 has been reflected to the cell number information that the contention control module has received at the time t1. At this time, s1=t1=(Lr+Lc+Lg). The contention control result as completed between time s1 and t1 should be reflected to the cell number received at the time t1 in order to recognize the cell to be actually subjected to the contention control. The contention control module should store the contention result during the period of t1-s1=(Lr+Lc+Lg)=(E-1)T. That is, a contention result(53) at a time interval t-T to a contention result(55) at a time interval of t-(E-1)T is stored in a memory. The received cell numbers(50) is subtracted from the time 't', and when the resulting value is the same as or greater than '1'(51), it is recognized that there is a transmission request and a contention control algorithm is driven. When a contention result(52) at the time interval 't' is obtained, it is stored. The contention result(54) at the time interval of t-T and the contention result(54) at the time interval of t-(E-2)T is shifted one by one, and the contention result(55) at the time interval of t-(E-1)T is deleted.

    Abstract translation: 目的:提供一种输入/输出缓冲器型开关的单元时延补偿方法,用于大容量输入/输出缓冲器型开关的等待时间补偿,因为它仅考虑输入缓冲器模块的一部分的状态,有效地补偿 不管传播等待时间的大小,控制等待时间,到达等待时间和离开等待时间如何,都能够实现等待时间,并且完美地恢复可能在小区信息传输和争用控制中导致的错误。 构成:假设小区号码信息从输入缓冲器模块完全传输到争用控制模块。 小于时间s1的争用结果已经反映到竞争控制模块在时间t1接收到的小区号码信息。 此时,s1 = t1 =(Lr + Lc + Lg)。 在时间s1和t1之间完成的竞争控制结果应该反映到在时间t1接收到的信元号,以便识别实际上要经受竞争控制的信元。 竞争控制模块应存储t1-s1 =(Lr + Lc + Lg)=(E-1)T期间的竞争结果。 也就是说,以时间间隔t-T将竞争结果(53)存储在存储器中,所述竞争结果(53)在时间间隔t-(E-1)T处竞争结果(55)。 从时间't'中减去收到的信元号(50),并且当结果值等于或大于'1'时(51),识别出存在发送请求并且竞争控制算法是 驱动。 当获得时间间隔't'的争用结果(52)时,它被存储。 在时间间隔tT的竞争结果(54)和在时间间隔t-(E-2)T的竞争结果(54)被逐个地移位,并且竞争结果(55) t-(E-1)T被删除。

    선형 시스톨릭 라운드로빈 스케줄러 및 그의 스케줄링방법
    140.
    发明授权
    선형 시스톨릭 라운드로빈 스케줄러 및 그의 스케줄링방법 失效
    线性收缩循环调度和调度方法

    公开(公告)号:KR100317123B1

    公开(公告)日:2001-12-24

    申请号:KR1019990047540

    申请日:1999-10-29

    Abstract: 본발명은두 개이상의입력이동시에하나의출력장치에대해데이터통신을요구할때 공유통신선로를공정하게중재하는선형시스톨릭라운드로빈스케줄러및 그의스케줄링방법에관한것이다. 이러한선형시스톨릭라운드로빈스케줄러는, 각클라이언트들의요청신호들을조합하여 N×N의 2차원요청매트릭스를만드는요청매트릭스생성수단과; 상기 2차원요청매트릭스를입력받아입력포트별각 출력포트들에대한요청신호들을추출하여우선순위순으로재배열하는요청배열생성수단; 상기우선순위순으로재배열된 1차원요청배열중 우선순위순으로하나의요청신호를출력포트정보와함께출력하는 N단의요청신호전파수단들; 쌍을이루는요청신호전파수단으로부터상기요청신호와출력포트정보를입력받고전단의프로세싱수단으로부터요청허가결과를입력받아, 상기요청신호에대한요청허가여부를결정하여후단의프로세싱수단에게전파하는 N단의프로세싱수단들; 및해당라운드로빈스케줄링사이클에서요청허가된상호독립적인입력포트들정보와출력포트들정보를출력하는수집수단을포함한것을특징으로한다.

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