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公开(公告)号：CN1217380C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN01812499.2
申请日：2001-07-06
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/28211 , C30B15/00 , C30B29/06 , H01L29/518 , H01L31/028 , H01L31/036 , Y02E10/547 , Y02P80/30
Abstract: 本发明涉及一种单结晶晶片，特征在于单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，于[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、于[01-1]方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10-1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面，且晶片的厚度(μm)/晶片的直径(mm)≤3。由此，可通过提供即使晶片厚度薄，也可承受器件工艺的单结晶晶片，可降低单结晶原料的损失。另外，通过利用如此的晶片，可低成本地提供MIS型半导体器件。
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公开(公告)号：CN1599958A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02824295.5
申请日：2002-11-25
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/045
Abstract: 本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。这样以来，得以提供能够获得活用{110}的单晶硅晶片而具有优异特性的MIS器件的晶片。
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公开(公告)号：CN1599050A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410068344.2
申请日：2001-11-15
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B21/30 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置，它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状，由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1)，算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b)，在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2)，将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2)，分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性，由此，得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。
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公开(公告)号：CN1579014A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02821402.1
申请日：2002-10-25
Applicant: 信越半导体株式会社 , 罗代尔霓塔股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/042 , B24B37/24 , Y10T428/249955
Abstract: 本发明提供一种有效防止晶片的外周塌边的晶片研磨方法及非常适合该晶片研磨方法的晶片研磨用研磨垫。在使树脂浸渍在无纺布中的研磨垫上，滑接晶片主面而进行镜面研磨的晶片研磨方法中，将上述研磨垫的表粗糙度和压缩率的比{表粗糙度Ra(μm)/压缩率(％)}设定在3.8以上进行研磨。
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公开(公告)号：CN1489792A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN02804225.5
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 在半导体单晶基片24的第一主表面24a上形成了多个近于平行的沟槽2，而在每个沟槽2的内侧面上形成用于引出电池的金属电极6，这个内侧面用作电极形成区，在沟槽的横着方向观看时的一侧上。在电极形成区形成含金属底层49后，包含化学镀层、电镀层和热浸层中至少任何一层的主电极金属层50形成在含金属底层49上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1463469A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02801855.9
申请日：2002-05-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/3225
Abstract: 本发明涉及一种掺杂氮的退火晶片的制造方法，其在对由掺杂氮的硅单晶切削、并至少经过研磨的晶片在氩、氢或其混合气体环境下实施1100～1350℃的高温热处理前，通过进行在小于前述高温热处理的处理温度温度滞留的工序，使前述高温热处理中消灭的尺寸的氧析出核生长为前述高温热处理中不消灭的尺寸，然后，进行前述高温热处理的掺杂氮的退火晶片的制造方法。据此，提供不受掺杂于硅单晶的氮浓度影响，从硅单晶的各部位切削而成的硅单晶晶片中的退火后的BMD密度的误差可被缓和。
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公开(公告)号：CN1113951C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN99800279.8
申请日：1999-04-09
Applicant: 信越半导体株式会社 , 大智化学产业株式会社
IPC: C10M173/02 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/007 , C09K3/1463 , C10M173/02 , C10N2240/401 , C10N2250/02 , Y02P70/179
Abstract: 提供一种能够抑制对操作环境和地球环境的冲击，同时具有磨料高分散性并能够防止沉淀物硬饼化的水基切削液。将磨料颗粒G分散在将硅酸胶体粒子P稳定分散在含有乙二醇等亲水性多元醇类化合物、丙二醇等亲油性多元醇类化合物和水的分散剂M中形成的水基组合物中。分散剂M是无臭和阻燃性的。磨料颗粒G之间即使经时沉降也不会紧密接触，所以沉淀物不硬饼化，能够将其再分散和再利用。由于此水基切削液本来的粘度低，所以水分混入引起粘度的减小作用以及切屑混入引起粘度增加现象缓和，使用寿命长。能对被加工件进行水洗。由于分散剂M是具有生物分解性的低分子量有机化合物，所以能够用活性污泥进行废液处理。
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公开(公告)号：CN1406291A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN01805759.4
申请日：2001-12-26
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
Abstract: 本发明涉及一种切克劳斯基法(CZ法)的单晶生长方法和单晶生长装置。其特征为至少在结晶生长界面近旁以包围拉晶中的单晶的形态配置由铜或比铜热传导率更高的金属所形成的冷却筒，且通过使冷却媒体在该冷却筒中流动，强制性冷却结晶成长界面近旁进行单晶生长。藉此，提供一种即使成长具300mm以上直径的硅单晶，也可对成长中的单晶发挥最大限度的冷却效果，以提供结晶成长速度高速化的单晶生长方法及单晶生长装置。
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公开(公告)号：CN1395744A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN01803971.5
申请日：2001-12-11
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01L21/3225
Abstract: 提供可抑制主要是直径300mm以上的柴氏硅单晶片在进行高温热处理时的滑动转位的发生，且能充分地消除表面附近的内生(Grown－in)缺陷，并提供在单晶片表层部具有DZ层，且基体中可获得具有高除气效果的高密度的氧析出物的退火单晶片。针对以柴可劳斯基(Czochralski)法制作的硅单晶片，以600－1100℃的温度范围进行第一热处理以使基质中形成氧析出物后，再以1150－1300℃的温度范围进行第二热处理。
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公开(公告)号：CN1394355A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN01803238.9
申请日：2001-10-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/345
Abstract: 本发明提供一种单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片，控制单晶片外周部的塌边，特别是使近年来所要求的毫微米拓朴的数值变佳。为了解决此课题，本发明的手段为：对于使单晶片表面镜面化的研磨工序中，为了产生单晶片的基准面，而进行单晶片的背面研磨。
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