公开(公告)号：CN1976219A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610154344.3

申请日：2006-09-22

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  日立信息通讯工程有限公司

Inventor： 高桥恭一 ,  松平信洋 ,  横井贵树

IPC: H03F3/21 ,  H04B7/26

Abstract: 本发明提供用于放大高频功率的电子部件，其能够扩展输出功率检测电路的动态范围；得到连续检测输出，且从低输出功率区域到高输出功率区域没有拐点；并且由此提高了输出功率的可控性。在基于输出功率检测信号和指示输出电平的信号对高频功率放大器的输出功率进行控制的无线通信系统中，输出功率检测电路具有多级配置的放大器，其放大通过耦合器和容性元件提取的高频信号。此外，提供检测各级放大器的输出的多个检测电路以及提供检测不通过多级配置的放大器的高频信号的检测电路。通过组合这些检测电路的输出而得到的结果作为输出功率检测信号输入到误差放大器以产生输出控制信号，由此产生用于高频功率放大器的控制信号。

公开(公告)号：CN1954429A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015902.1

申请日：2005-05-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 竹村理一郎 ,  黑土健三 ,  河原尊之

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L47/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。例如，与位线(BL)平行地配置多个扩散层(L)，在扩散层(L)之间与位线(BL)交替地配置栅极(G)，对在位线(BL)方向排列的多个扩散层(L)，按照每个扩散层(L)交叉地配置位线接触件(BC)和源极节点接触件(SC)，在源极节点接触件(SC)上设置相变元件，从而由2个存储单元晶体管(Q1、Q2)和1个相变元件构成1个存储单元(MC)。另外，相变元件也能够不设置在源极节点接触件(SC)上而设置在位线接触件(BC)上。由此，例如能够实现存储单元晶体管的驱动能力的提高和面积的减小等。

公开(公告)号：CN1311539C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200410090539.7

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 辻内干夫 ,  岩松俊明

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76283

Abstract: 由氧化硅衬底(1)和硅膜(2)形成SOI衬底。硅膜(2)的表面被氧化而形成氧化硅膜(3)。在该氧化硅膜(3)上依次形成多晶硅(4)和氮化硅膜(5)。然后，沟槽(7)形成于区域(R1)上。在沟槽(7)内埋入绝缘材料即氧化硅膜(13)。从而防止半导体器件的性能与可靠性因金属污染物质而降低的情形。

公开(公告)号：CN1947231A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580012550.4

申请日：2005-02-22

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 神崎照明 ,  出口善宣 ,  三木一伸

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，其中抗焊盘中所产生应力的强度被提高了。提供有多个焊盘(1)。在每个焊盘(1)中，在使用最上层形成的第一金属(11)下提供有多个线条状第二金属(12)。这样，为提高抗焊盘中所产生应力的强度，将焊盘(1)沿第二金属(12)的纵向排列。亦即：将焊盘(1)排列成使第二金属(12)的纵向(L1)和焊盘(1)的排列方向(L2)在同一方向。

公开(公告)号：CN1308697C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410003322.8

申请日：2004-01-20

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  渡边哲也 ,  金本俊几 ,  山下恭司

IPC: G01R31/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R27/2605

Abstract: 本发明的电容值测定用电路中，PMOS晶体管(MP2)和NMOS晶体管(MN2)的漏极之间的端子(P2)与节点(N1)电连接，在节点(N1)和节点(N2)之间作为测定电容形成部形成了耦合电容(Cc)。节点(N2)经由端子(P2)与NOMS晶体管(MN3)连接到焊盘(58)，在POMS晶体管(MP1)和NMOS晶体管(MN1)的漏极之间的端子(P3)与节点(N3)相连。在节点(N3)上设置基准电容(Cref)作为伪电容。通过电流计(61)与电流计(62)分别测定从电源分别供给节点(N3)与节点(N1)的电流(Ir)与电流(It)，且通过电流计(63)测定从节点(N2)感应的流入接地电平的电流(Im)。从而，得到可将测定目标的电容成分分离后进行测定的CBCM用电路。

公开(公告)号：CN1307703C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN03156740.1

申请日：2003-09-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  株式会社瑞萨电子元件设计

Inventor： 山崎英孝 ,  松尾至 ,  真锅秀一 ,  今村兼次 ,  加藤贤一郎 ,  松尾光高

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H05K13/0092

Abstract: 本发明的课题是，在半导体元件的引线成形中，在根据元件形状改变金属模具的形状等的场合也能高精度地对半导体元件的引线进行加工。半导体的引线成形装置包括：装载应成形的半导体元件的承载台；具备并列地设置、彼此相互适配的1对上金属模具和下金属模具的2套金属模具；以及改变上述2套金属模具的相对位置的移动装置。上述1对上金属模具和下金属模具处于夹住从装载于承载台上的半导体元件引出的引线的位置，上金属模具和下金属模具对半导体元件引线的位于两者之间的部分进行加工。

公开(公告)号：CN1933178A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610108919.8

申请日：2006-07-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐野聪明 ,  石井智之 ,  龟代典史 ,  峰利之

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在增益单元结构的存储单元中，能实现稳定的读出动作。本发明的半导体器件包括写入晶体管(Qw)，其具有：形成在绝缘层(6)上的源极(2)和漏极(3)；沟道(4)，由半导体构成，形成在绝缘层(6)上、并形成在源极(2)和漏极(3)之间；以及栅极(1)，形成在绝缘层(6)的上部、并形成在源极(2)和漏极(3)之间，与沟道(4)隔着栅极绝缘膜(5)而电绝缘，并控制沟道(4)的电位。沟道(4)在源极(2)和漏极(3)的侧面将源极(2)和漏极(3)电连接。

公开(公告)号：CN1932962A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610154223.9

申请日：2006-09-15

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 糸鱼川敬一

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G5/006

Abstract: 一种液晶驱动控制器，包括从选通比较器的输入端引出的第一线路、能够连接所述第一线路与选通传输线的第一外部端子、从选通偏置电流源引出的第二线路；以及能够连接所述第二线路与选通传输线的第二外部端子。在液晶驱动控制器上，所述第一线路和第一外部端子、以及所述第二线路和第二外部端子彼此电绝缘。第一导线和第二导线都与选通端连接，从而在选通偏置电流路径中不包括第一导线，因而消除了容限不足。

公开(公告)号：CN1306563C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200310102642.4

申请日：2003-10-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 加门和也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: B24B37/042 ,  G06F17/5022 ,  G06F2217/12 ,  H01L21/67253 ,  Y02P90/265

Abstract: 本发明的课题是提供能进行在CMP工艺中考虑了各种参数的模拟的模拟装置。在占有率二维分布计算部111中取得占有率的二维分布像DP，在网格调整部112中进行实测数据D2的网格的调整。在高度分布计算部113中根据占有率的二维分布像DP进行高度分布的计算，在相关系数计算部118中对实测数据D21与高度分布数据DP1进行最小二乘方分析以计算相关系数。占有率的二维分布像DP经过傅里叶计算部114、空间滤波部115、反傅里叶计算部116而成为占有率的二维分布像DPX，进而经过高度分布计算部113得到高度分布数据DP2。然后，在相关系数计算部118中对高度分布数据DP2与CMP工艺后的实测数据D22进行最小二乘方分析以计算相关系数。

公开(公告)号：CN1928980A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610093750.3

申请日：2006-06-16

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 赤井亮仁 ,  工藤泰幸 ,  江里口卓也 ,  大门一夫

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G3/3696 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3688 ,  G09G2310/0297 ,  G09G2320/0219 ,  G09G2320/0276 ,  G09G2320/0673 ,  G09G2330/021 ,  G09G2360/18

Abstract: 本发明提供显示装置用驱动装置。考虑到液晶面板的电流泄漏路径及由其引起的信号线电压变化，在第1驱动方法中的每个分割期间适用γ调整功能(第2驱动方法)。在信号线驱动部中，生成在各灰度的每个输出期间加减运算了不同的电压变化量的灰度电压，将预先考虑了信号线电压变化量的灰度电压Vx施加到信号线。