公开(公告)号：KR1020110119354A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：KR1020100039009

申请日：2010-04-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구종민 ,  홍순만 ,  황승상 ,  곽순종 ,  백경열 ,  민경호 ,  박윤덕 ,  곽희라 ,  김명희 ,  김보리 ,  최승석 ,  한태희

IPC: C09D7/12 ,  C09D5/00 ,  C09D183/02 ,  C09D4/02

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08F222/1006 ,  C08G77/20 ,  C08K3/042 ,  C09D7/70 ,  C09D11/38 ,  C09D11/52 ,  Y10T428/25 ,  C09D183/06 ,  C09D5/00 ,  C09D4/00 ,  C09D183/02

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of an antistatic film is provided to obtain a transparent or semi-transparent antistatic film with excellent abrasion resistance, scratch resistance, chemical stability, adhesive property, flexibility, and hardness. CONSTITUTION: An antistatic film comprises: conductive particles having monolayered or multilayered graphene; and a binder. A fabrication method of the antistatic film comprises the steps of: preparing a graphene dispersion by dispersing graphene in a solvent; preparing a binder solution by dissolving a curable binder in a solvent; preparing a coating solution by mixing the graphene dispersion and binder solution; forming a coating film by applying the coating solution and drying the coated material; and curing the coating film.

Abstract translation: 目的：提供抗静电膜的制造方法，以获得具有优异的耐磨性，耐刮擦性，化学稳定性，粘合性，柔韧性和硬度的透明或半透明抗静电膜。 构成：抗静电膜包括：具有单层或多层石墨烯的导电颗粒; 和粘合剂。 抗静电膜的制造方法包括以下步骤：通过将石墨烯分散在溶剂中来制备石墨烯分散体; 通过将可固化粘合剂溶解在溶剂中制备粘合剂溶液; 通过混合石墨烯分散液和粘合剂溶液制备涂料溶液; 通过涂覆涂布溶液并干燥涂覆的材料形成涂膜; 并固化涂膜。

公开(公告)号：KR1020110112641A

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：KR1020100031862

申请日：2010-04-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 황승상 ,  백경열 ,  최승석 ,  이희승 ,  이성수 ,  오성연

IPC: C08G77/04 ,  C08G77/382

CPC classification number: C08G77/26

Abstract: 본 발명은 치환 또는 비치환된 방향족 이종고리기(heterocycle)가 실록산(siloxane) 주쇄에 연결된 사다리 구조(ladder structure)의 폴리실세스퀴옥산 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
이를 통해, 비교적 용이한 방법으로 우수한 열적 및 기계적 특성을 나타내면서도, 연결된 기능성 그룹에 따라 고기능성 및 다양한 특성을 가지는 폴리실세스퀴옥산을 제공할 수 있으며, 유기 및 무기 하이브리드 재료 물질이 적용되는 다양한 산업용 신소재로 이용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100131312A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：KR1020090050134

申请日：2009-06-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 황승상 ,  홍순만 ,  곽순종 ,  백경열 ,  구종민 ,  최승석 ,  마성원 ,  이응찬

IPC: C08G77/24 ,  C08G77/385 ,  C08G77/06 ,  C07F7/14

Abstract: PURPOSE: Fluorinated polysilsesquioxane and a producing method thereof are provided to use the fluorinated polysilsesquioxane as an inter-layer insulating film with the low dielectric constant. CONSTITUTION: Fluorinated polysilsesquioxane has a fluorohydrocarbon side chain, and is marked with chemical formula 1. In the chemical formula 1, R1 and R2 are selected from the group consisting of a fluoro aromatic group, a fluoroalkyl group, an allyl group, a vinyl group, an epoxy group, a methacryl group, and an acryl group. The number average molecular weight of the fluorinated polysilsesquioxane is 1,000~100,000.

Abstract translation: 目的：提供氟化聚倍半硅氧烷及其制备方法，以使用氟化聚倍半硅氧烷作为低介电常数的层间绝缘膜。 构成：氟化聚倍半硅氧烷具有氟代烃侧链，并用化学式1表示。在化学式1中，R 1和R 2选自氟代芳族基团，氟代烷基基团，烯丙基基团，乙烯基基团 ，环氧基，甲基丙烯酰基和丙烯酰基。 氟化聚倍半硅氧烷的数均分子量为1,000〜100,000。