환형 실록산 화합물과 불소계 실란 단량체를 혼성화한 재료를 이용한 저유전막 및 이의 제조방법
    1.
    发明公开
    환형 실록산 화합물과 불소계 실란 단량체를 혼성화한 재료를 이용한 저유전막 및 이의 제조방법 有权
    使用含有环硅氧烷和氟硅烷的材料的低介电常数薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020120058854A

    公开(公告)日:2012-06-08

    申请号:KR1020100120356

    申请日:2010-11-30

    Abstract: PURPOSE: A low dielectric layer is provided to have low moisture absorption ratio, high surface modulus and hardness, together with excellent physical properties, and to embodying excellent low-dielectric performance. CONSTITUTION: A low dielectric layer comprises is manufactured by using silsesquioxane polymer matrix as a precursor. The silsesquioxane polymer matrix is a silsesquioxane sol, manufactured by polymerizing multi-reactive cyclic siloxane, a fluorinated silane monomer, and alkoxysilane. A manufacturing method of the low dielectric layer comprises: a step of manufacturing silsesquioxane by a sol-gel method by using multifunctional cyclic siloxane, fluorine silane monomer and alkoxysilane as monomers; a step of manufacturing coating liquid comprising the silsesquioxane sol, and solvent; and a step of spreading and curing the coating liquid.

    Abstract translation: 目的:提供低介电层以具有低吸湿率,高表面模量和硬度,以及优异的物理性能,并具有优异的低介电性能。 构成:通过使用倍半硅氧烷聚合物基质作为前体制造低介电层。 倍半硅氧烷聚合物基体是通过聚合多反应性环状硅氧烷,氟化硅烷单体和烷氧基硅烷制造的倍半硅氧烷溶胶。 低介电层的制造方法包括:通过使用多官能环状硅氧烷,氟硅烷单体和烷氧基硅烷作为单体,通过溶胶 - 凝胶法制造倍半硅氧烷的步骤; 制造包含倍半硅氧烷溶胶的涂布液和溶剂的步骤; 以及涂布液的扩散和固化的步骤。

    저유전 층간 절연물질 및 그 제조방법
    2.
    发明授权
    저유전 층간 절연물질 및 그 제조방법 有权
    低介电中间层材料及其制备方法

    公开(公告)号:KR101401419B1

    公开(公告)日:2014-05-30

    申请号:KR1020120138346

    申请日:2012-11-30

    Abstract: The present invention relates to a low dielectric interlayer material and a method for preparing the same, wherein the low dielectric interlayer material includes a cyclic siloxane compound or bis (trialkoxy silyl) alkane (BTASA), silane compounds, and copolymers combined with a cage type polysilsesquioxane, and the cage type polysilsesquioxane forming gaps. The low dielectric interlayer material according to the present invention has high strength and a low dielectric constant, and excellent chemical, electrical, and thermal properties, thereby capable of being usefully applied to a device.

    Abstract translation: 本发明涉及一种低介电中间层材料及其制备方法,其中低介电中间层材料包括环状硅氧烷化合物或双(三烷氧基甲硅烷基)烷烃(BTASA),硅烷化合物和与笼型结合的共聚物 聚倍半硅氧烷和笼型聚倍半硅氧烷形成间隙。 根据本发明的低介电中间层材料具有高强度和低介电常数,并且具有优异的化学,电和热性能,因此能够有效地应用于器件。

    광활성 그룹을 측쇄로 가지는 사다리 구조의 폴리실세스퀴옥산을 포함하는 발광재료, 이의 박막 및 이를 포함하는 유기전자소자
    3.
    发明公开
    광활성 그룹을 측쇄로 가지는 사다리 구조의 폴리실세스퀴옥산을 포함하는 발광재료, 이의 박막 및 이를 포함하는 유기전자소자 有权
    包含具有梯形结构的光聚合键合聚硅氧烷的发光材料,使用其的薄膜和包含其的有机电解器件

    公开(公告)号:KR1020110118890A

    公开(公告)日:2011-11-02

    申请号:KR1020100038276

    申请日:2010-04-26

    Abstract: PURPOSE: A light-emitting material is provided to ensure excellent heat resistance and mechanical properties and high light emitting efficiency and to eliminate the disadvantages of a POSS structure with weak thin film properties. CONSTITUTION: A light-emitting material comprises polysilsesquioxane having a ladder structure where a photoactive group is bonded to a siloxane main chain. The polysilsesquioxane is represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R is a functional group having optical activity by a double or triple bond within a phenyl-based monocyclic group, a heterocyclic group thereof or cyclic group, or a derivative thereof, wherein the phenyl-based monocyclic group includes a substituted or unsubstituted phenylene, pyrene, rubrene, coumarin, oxazine, carbazole, thiophene, iridium, porphyrin, and azo-based dye functional groups; and n is 1-100,000.

    Abstract translation: 目的:提供发光材料,以确保优异的耐热性和机械性能和高发光效率,并消除具有弱薄膜性能的POSS结构的缺点。 构成:发光材料包括具有光活性基团与硅氧烷主链结合的梯形结构的聚倍半硅氧烷。 聚倍半硅氧烷由化学式1表示。在化学式1中,R是在苯基单环基团,其杂环基团或环状基团或其衍生物中具有双键或三键的光学活性的官能团,其中 苯基单环基团包括取代或未取代的亚苯基,芘,红荧烯,香豆素,恶嗪,咔唑,噻吩,铱,卟啉和偶氮类染料官能团; n为1-100,000。

    환형 실세스퀴옥산을 이용한 실록산계 저유전막 및 이의 제조방법
    4.
    发明授权
    환형 실세스퀴옥산을 이용한 실록산계 저유전막 및 이의 제조방법 有权
    使用环硅氧烷的基于硅氧烷的低介电常数薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:KR101224514B1

    公开(公告)日:2013-01-22

    申请号:KR1020100064332

    申请日:2010-07-05

    CPC classification number: C08L83/06 C08G77/16

    Abstract: 본 발명은 실세스퀴옥산 중합체 매트릭스를 전구체로 하여 제조된 저유전막으로서, 상기 실세스퀴옥산 중합체 매트릭스는 알콕시실란에 다반응성 환형 실록산의 입체 이성질체를 첨가하여 제조된 실세스퀴옥산 졸(sol)인 것을 특징으로 하는 저유전막 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 저유전막은 ~500℃의 경화온도에서도 열에 의해 분해되지 않고 안정된 도막 상태를 유지하며, 도막 표면의 굴곡 정도가 작아 매우 균일한 표면 특성을 나타낼 뿐 아니라, 500nm 이상의 두께에서도 균열 현상없이 매끄럽게 코팅될 수 있어 코팅성이 매우 우수하다. 또한, 본 발명에 따른 저유전막은 높은 표면 모듈러스 및 경도를 가지면서도, 우수한 저유전 특성을 발휘할 수 있다.

    환형 실세스퀴옥산을 이용한 실록산계 저유전막 및 이의 제조방법
    6.
    发明公开
    환형 실세스퀴옥산을 이용한 실록산계 저유전막 및 이의 제조방법 有权
    使用环硅氧烷的基于硅氧烷的低介电常数薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020120003624A

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:KR1020100064332

    申请日:2010-07-05

    CPC classification number: C08L83/06 C08G77/16

    Abstract: PURPOSE: A Siloxane based-low dielectric film using cyclic silsesquioxane is provided to have excellent physical property, thermal stability and crack resistance, and to have high modulus and hardness maintaining excellent low dielectric property. CONSTITUTION: A Siloxane based-low dielectric film using cyclic silsesquioxane comprises a step of manufacturing silsesquioxane sol by sol-gel method by adding the stereoisomer of multi-reactive cyclic silsesquioxane into alkoxy siloxane; a step of manufacturing coating liquid containing the silsesquioxane sol and solvent; and a step of spreading the coating liquid and hardening. The silsesquioxane polymer matrix uses as a precursor for the manufacturing of the dielectric film. The silsesquioxane polymer matrix is the silsesquioxane sol manufactured by the adding of the multi-reactive cyclic silsesquioxane into the alkoxysilane.

    Abstract translation: 目的:提供使用环状倍半硅氧烷的硅氧烷低介电膜,具有优异的物理性能,热稳定性和抗裂性,并且具有高模量和硬度,保持优异的低介电性能。 构成:使用环状倍半硅氧烷的硅氧烷低介电膜包括通过溶剂 - 凝胶法制备倍半硅氧烷溶胶的步骤,通过将多反应性环状倍半硅氧烷的立体异构体加入到烷氧基硅氧烷中; 制造含有倍半硅氧烷溶胶和溶剂的涂布液的步骤; 以及涂布液的扩散和硬化的步骤。 倍半硅氧烷聚合物基体用作制造电介质膜的前体。 倍半硅氧烷聚合物基体是通过将多反应性环状倍半硅氧烷加入烷氧基硅烷而制造的倍半硅氧烷溶胶。

    환형 실록산 화합물과 불소계 실란 단량체를 혼성화한 재료를 이용한 저유전막 및 이의 제조방법
    8.
    发明授权
    환형 실록산 화합물과 불소계 실란 단량체를 혼성화한 재료를 이용한 저유전막 및 이의 제조방법 有权
    使用含有环硅氧烷和氟硅烷的材料的低介电常数薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:KR101258561B1

    公开(公告)日:2013-05-06

    申请号:KR1020100120356

    申请日:2010-11-30

    Abstract: 본발명은실세스퀴옥산중합체매트릭스를전구체로하여제조된저유전막으로서, 상기실세스퀴옥산중합체매트릭스는다반응성환형실록산, 불소실란단량체및 알콕시실란을중합하여제조된실세스퀴옥산졸(sol)인것을특징으로하는저유전막및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따른저유전막은 ~500℃의경화온도에서도열에의해분해되지않고안정된도막상태를유지하며, 도막표면의굴곡정도가작아매우균일한표면특성을나타낼뿐 아니라, 500nm 이상의두께에서도균열현상없이매끄럽게코팅될수 있어코팅성이매우우수하다. 또한, 본발명에따른저유전막은낮은흡습률을가지면서도, 높은표면모듈러스및 경도를가져우수한기계적물성을나타낼뿐 아니라, 우수한저유전특성을발휘할수 있다.

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