Abstract:
PURPOSE: A low dielectric layer is provided to have low moisture absorption ratio, high surface modulus and hardness, together with excellent physical properties, and to embodying excellent low-dielectric performance. CONSTITUTION: A low dielectric layer comprises is manufactured by using silsesquioxane polymer matrix as a precursor. The silsesquioxane polymer matrix is a silsesquioxane sol, manufactured by polymerizing multi-reactive cyclic siloxane, a fluorinated silane monomer, and alkoxysilane. A manufacturing method of the low dielectric layer comprises: a step of manufacturing silsesquioxane by a sol-gel method by using multifunctional cyclic siloxane, fluorine silane monomer and alkoxysilane as monomers; a step of manufacturing coating liquid comprising the silsesquioxane sol, and solvent; and a step of spreading and curing the coating liquid.
Abstract:
The present invention relates to a low dielectric interlayer material and a method for preparing the same, wherein the low dielectric interlayer material includes a cyclic siloxane compound or bis (trialkoxy silyl) alkane (BTASA), silane compounds, and copolymers combined with a cage type polysilsesquioxane, and the cage type polysilsesquioxane forming gaps. The low dielectric interlayer material according to the present invention has high strength and a low dielectric constant, and excellent chemical, electrical, and thermal properties, thereby capable of being usefully applied to a device.
Abstract:
PURPOSE: A light-emitting material is provided to ensure excellent heat resistance and mechanical properties and high light emitting efficiency and to eliminate the disadvantages of a POSS structure with weak thin film properties. CONSTITUTION: A light-emitting material comprises polysilsesquioxane having a ladder structure where a photoactive group is bonded to a siloxane main chain. The polysilsesquioxane is represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R is a functional group having optical activity by a double or triple bond within a phenyl-based monocyclic group, a heterocyclic group thereof or cyclic group, or a derivative thereof, wherein the phenyl-based monocyclic group includes a substituted or unsubstituted phenylene, pyrene, rubrene, coumarin, oxazine, carbazole, thiophene, iridium, porphyrin, and azo-based dye functional groups; and n is 1-100,000.
Abstract:
본 발명은 실세스퀴옥산 중합체 매트릭스를 전구체로 하여 제조된 저유전막으로서, 상기 실세스퀴옥산 중합체 매트릭스는 알콕시실란에 다반응성 환형 실록산의 입체 이성질체를 첨가하여 제조된 실세스퀴옥산 졸(sol)인 것을 특징으로 하는 저유전막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 저유전막은 ~500℃의 경화온도에서도 열에 의해 분해되지 않고 안정된 도막 상태를 유지하며, 도막 표면의 굴곡 정도가 작아 매우 균일한 표면 특성을 나타낼 뿐 아니라, 500nm 이상의 두께에서도 균열 현상없이 매끄럽게 코팅될 수 있어 코팅성이 매우 우수하다. 또한, 본 발명에 따른 저유전막은 높은 표면 모듈러스 및 경도를 가지면서도, 우수한 저유전 특성을 발휘할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 광활성 그룹(photoactive group)이 실록산 주쇄에 연결된 사다리 구조(ladder structure)의 폴리실세스퀴옥산을 포함하는 발광재료에 관한 것이다. 이를 통해 내열성 및 기계적 특성이 우수할 뿐 아니라, 박막으로 제조하는 경우 코팅성 및 도막 특성이 개선될 수 있으며, 낮은 발광 효율을 가지는 기존의 유기계 발광재료에 비해 발광 효율이 높은 발광재료를 제공할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A Siloxane based-low dielectric film using cyclic silsesquioxane is provided to have excellent physical property, thermal stability and crack resistance, and to have high modulus and hardness maintaining excellent low dielectric property. CONSTITUTION: A Siloxane based-low dielectric film using cyclic silsesquioxane comprises a step of manufacturing silsesquioxane sol by sol-gel method by adding the stereoisomer of multi-reactive cyclic silsesquioxane into alkoxy siloxane; a step of manufacturing coating liquid containing the silsesquioxane sol and solvent; and a step of spreading the coating liquid and hardening. The silsesquioxane polymer matrix uses as a precursor for the manufacturing of the dielectric film. The silsesquioxane polymer matrix is the silsesquioxane sol manufactured by the adding of the multi-reactive cyclic silsesquioxane into the alkoxysilane.
Abstract:
본 발명은 치환 또는 비치환된 방향족 이종고리기(heterocycle)가 실록산(siloxane) 주쇄에 연결된 사다리 구조(ladder structure)의 폴리실세스퀴옥산 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이를 통해, 비교적 용이한 방법으로 우수한 열적 및 기계적 특성을 나타내면서도, 연결된 기능성 그룹에 따라 고기능성 및 다양한 특성을 가지는 폴리실세스퀴옥산을 제공할 수 있으며, 유기 및 무기 하이브리드 재료 물질이 적용되는 다양한 산업용 신소재로 이용될 수 있다.
Abstract:
본발명은실세스퀴옥산중합체매트릭스를전구체로하여제조된저유전막으로서, 상기실세스퀴옥산중합체매트릭스는다반응성환형실록산, 불소실란단량체및 알콕시실란을중합하여제조된실세스퀴옥산졸(sol)인것을특징으로하는저유전막및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따른저유전막은 ~500℃의경화온도에서도열에의해분해되지않고안정된도막상태를유지하며, 도막표면의굴곡정도가작아매우균일한표면특성을나타낼뿐 아니라, 500nm 이상의두께에서도균열현상없이매끄럽게코팅될수 있어코팅성이매우우수하다. 또한, 본발명에따른저유전막은낮은흡습률을가지면서도, 높은표면모듈러스및 경도를가져우수한기계적물성을나타낼뿐 아니라, 우수한저유전특성을발휘할수 있다.