텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지
    141.
    发明授权
    텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 有权
    具有双层纹理结构的具有纹理层和聚氯乙烯太阳能电池的聚碳酸酯太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:KR101334055B1

    公开(公告)日:2013-11-29

    申请号:KR1020120030083

    申请日:2012-03-23

    Abstract: 본 발명은 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계; 상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 한다.
    본 발명에 의한 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 텍스처층; 상기 텍스처층 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 텍스처층 표면의 텍스처 구조에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다.
    본 발명은 전면텍스처와 텍스처층의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능을 크게 증가시킴으로써, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.

    태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CZTSe계 박막
    142.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020130071055A

    公开(公告)日:2013-06-28

    申请号:KR1020110138361

    申请日:2011-12-20

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/0445 H01L31/06 H01L31/18

    Abstract: PURPOSE: CZTSe group thin film manufactured by manufacturing method of a CZTSe group and method thereof for a solar cell are provided to uniform element distribution by minimizing loss and phase separation of Sn. CONSTITUTION: Cu, Zn, Sn and Se are deposited on a substrate according to a co-evaporation process. Cu and Se are additionally deposited on the thin film. The additional deposition of Cu and Se is performed at substrate temperature of 150 to 320°C. Se is additionally deposited on the thin film at high temperature condition. The additional deposition of Se is performed at substrate temperature of 400 to 600°C.

    Abstract translation: 目的:通过CZTSe组的制造方法制造的CZTSe组薄膜及其太阳能电池的方法通过使Sn的损耗和相分离最小化来提供均匀的元件分布。 构成:根据共蒸发方法将Cu,Zn,Sn和Se沉积在基底上。 Cu和Se另外沉积在薄膜上。 Cu和Se的附加沉积在150至320℃的衬底温度下进行。 Se在高温条件下另外沉积在薄膜上。 Se的附加沉积在400至600℃的衬底温度下进行。

    반도체 박막 제조용 반응기 및 그를 이용한 반도체 박막 제조 방법
    143.
    发明公开
    반도체 박막 제조용 반응기 및 그를 이용한 반도체 박막 제조 방법 有权
    制造半导体薄膜的反应器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130030930A

    公开(公告)日:2013-03-28

    申请号:KR1020110094532

    申请日:2011-09-20

    CPC classification number: C23C16/481 C23C16/52 H01L21/0231 H01L21/324

    Abstract: PURPOSE: A reactor for manufacturing a semiconductor thin film and a manufacturing method are provided to secure a uniform thin film. CONSTITUTION: An inner container(120) is inserted into the inner space of an outer container(110). A substrate(200) is placed on the bottom surface of the inner container. A cover(130) for the inner container is prepared. An O-ring(140) is formed between the cover and the inner container. An optical unit(150) irradiates light to the substrate.

    Abstract translation: 目的:提供用于制造半导体薄膜的反应器和制造方法以确保均匀的薄膜。 构成:将内部容器(120)插入到外部容器(110)的内部空间中。 衬底(200)被放置在内容器的底表面上。 准备用于内容器的盖(130)。 O形圈(140)形成在盖和内容器之间。 光学单元(150)将光照射到基板。

    자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
    145.
    发明公开
    자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지 有权
    使用全功能加热低温硅胶薄膜

    公开(公告)号:KR1020120012562A

    公开(公告)日:2012-02-10

    申请号:KR1020100074576

    申请日:2010-08-02

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/0445

    Abstract: PURPOSE: A silicon thin film solar cell with low deterioration is provided to prevent damage and malfunction due to deterioration by increasing temperature at a back side of a solar cell. CONSTITUTION: A heating layer(150) is arranged in one side of a first aspect cell(100a) and a second solar cell(100b). The heating layer is electrically connected with the second solar cell. The first solar cell and the second solar cell are integrally formed. The heating layer includes a hot wire. A temperature sensor(160) measures the temperature of the solar cell.

    Abstract translation: 目的:提供低劣化的硅薄膜太阳能电池,以防止由于太阳能电池背面的温度升高而导致的损坏和故障。 构成:在第一方面电池(100a)和第二太阳能电池(100b)的一侧设置加热层(150)。 加热层与第二太阳能电池电连接。 第一太阳能电池和第二太阳能电池一体形成。 加热层包括热丝。 温度传感器(160)测量太阳能电池的温度。

    CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법
    148.
    发明授权
    CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법 有权
    基于CIS的薄膜太阳能电池的缓冲层制造方法

    公开(公告)号:KR101032890B1

    公开(公告)日:2011-05-06

    申请号:KR1020090008933

    申请日:2009-02-04

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본 발명은 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 태양전지의 CIS계 화합물 박막 제조에서의 버퍼층인 CdS 및 Cd-free 버퍼를 용액성장법에 의해 제조하되 버퍼층의 두께를 측정하기 위한 수단으로 진동자를 사용해 진동수를 감지하거나, 레이져의 광투과 정도를 감지하여 박막의 두께를 모니터링해 버퍼층이 일정한 두께로 형성되도록 하는 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법에 관한 것이다.
    상기 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법은, 박막조성원소가 함유된 수용액이 저장되고 상기 수용액을 가열하는 가열수단과 수용액을 교반시키는 교반수단을 구비한 수조에 기판을 담그는 과정과, 상기 기판의 표면에서 박막을 성장시켜 버퍼층을 형성하는 과정을 포함하는 용액성장법(CBD)을 이용한 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법에 있어서, 상기 버퍼층형성과정에는 박막의 두께를 측정하는 과정이 포함된다.
    또한, 상기 박막의 두께를 측정하는 과정은, 기판을 수용액에 담글 때 진동자를 함께 담그는 단계와; 상기 수용액에 담긴 진동자가 박막성장에 따라 감소되는 진동수를 측정하는 단계와; 상기 측정한 측정데이터와 표준데이터를 비교하여 박막의 두께를 추산하는 단계와; 상기 측정데이터와 표준데이터에서의 선택된 값이 일치할 때 기판을 수조에서 꺼내는 기판회수단계;를 포함하여 이루어진다.
    태양전지, 기판, 박막, 버퍼층, 두께측정, 진동자

    CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법
    149.
    发明公开
    CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법 有权
    用于基于CIS的薄膜太阳能电池的缓冲层的制造方法

    公开(公告)号:KR1020100089603A

    公开(公告)日:2010-08-12

    申请号:KR1020090008933

    申请日:2009-02-04

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/0445

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a buffer-layer for a CIS-based thin film solar cell is provided to form a thin film having a desired thickness while minimizing an error range by checking the degree of thin film growth. CONSTITUTION: A liquid solution containing a thin film composition element through a chemical bath deposition. A substrate is dipped into a bath equipped with a heating unit and an agitator. A buffer layer is formed by growing up a thin film on the surface of the substrate(P2). The thickness of the thin film is measured at(P3).

    Abstract translation: 目的:提供用于基于CIS的薄膜太阳能电池的缓冲层的制造方法,以通过检查薄膜生长程度来最小化误差范围来形成具有所需厚度的薄膜。 构成:通过化学浴沉积含有薄膜组成元素的液体溶液。 将基材浸入装有加热单元和搅拌器的浴中。 通过在衬底(P2)的表面上生长薄膜来形成缓冲层。 在(P3)测量薄膜的厚度。

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