Abstract:
본 발명은 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계; 상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 텍스처층; 상기 텍스처층 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 텍스처층 표면의 텍스처 구조에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명은 전면텍스처와 텍스처층의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능을 크게 증가시킴으로써, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: CZTSe group thin film manufactured by manufacturing method of a CZTSe group and method thereof for a solar cell are provided to uniform element distribution by minimizing loss and phase separation of Sn. CONSTITUTION: Cu, Zn, Sn and Se are deposited on a substrate according to a co-evaporation process. Cu and Se are additionally deposited on the thin film. The additional deposition of Cu and Se is performed at substrate temperature of 150 to 320°C. Se is additionally deposited on the thin film at high temperature condition. The additional deposition of Se is performed at substrate temperature of 400 to 600°C.
Abstract:
PURPOSE: A reactor for manufacturing a semiconductor thin film and a manufacturing method are provided to secure a uniform thin film. CONSTITUTION: An inner container(120) is inserted into the inner space of an outer container(110). A substrate(200) is placed on the bottom surface of the inner container. A cover(130) for the inner container is prepared. An O-ring(140) is formed between the cover and the inner container. An optical unit(150) irradiates light to the substrate.
Abstract:
PURPOSE: A silicon thin film solar cell with low deterioration is provided to prevent damage and malfunction due to deterioration by increasing temperature at a back side of a solar cell. CONSTITUTION: A heating layer(150) is arranged in one side of a first aspect cell(100a) and a second solar cell(100b). The heating layer is electrically connected with the second solar cell. The first solar cell and the second solar cell are integrally formed. The heating layer includes a hot wire. A temperature sensor(160) measures the temperature of the solar cell.
Abstract:
본 발명은 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 In의 사용양을 저감시키면서 변환 효율이 우수한 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 태양전지, 광흡수층, Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막, In, 비용절감, 변환효율
Abstract:
본 발명은 IB-IIIA-VIA족 원소로 구성되는 CIS계 화합물의 합성에 필요한 적정 조성의 원소 분말과 특정 용매에 대해 용액상 볼밀법을 수행함으로써 제조되는 것을 특징으로 하는 CIS계 콜로이드 용액의 제조방법, 상기 CIS계 콜로이드 용액을 열처리하여 제조되는 것을 특징으로 하는 CIS계 화합물 나노분말의 제조방법 및 상기 CIS계 콜로이드 용액을 기판 상에 코팅하여 제조되는 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층 CIS계 화합물 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 태양전지 광흡수층 CIS계 화합물 박막을 제조하는 경우 CIS계 화합물 박막의 제조에 필요한 원소 분말을 그대로 사용하여 효율 저하의 원인이 되는 잔여물이 남지 않고, 균일한 정방정계 결정구조를 갖는 태양전지 광흡수층 CIS계 화합물 박막을 비진공 방식으로 제조할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 태양전지의 CIS계 화합물 박막 제조에서의 버퍼층인 CdS 및 Cd-free 버퍼를 용액성장법에 의해 제조하되 버퍼층의 두께를 측정하기 위한 수단으로 진동자를 사용해 진동수를 감지하거나, 레이져의 광투과 정도를 감지하여 박막의 두께를 모니터링해 버퍼층이 일정한 두께로 형성되도록 하는 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법에 관한 것이다. 상기 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법은, 박막조성원소가 함유된 수용액이 저장되고 상기 수용액을 가열하는 가열수단과 수용액을 교반시키는 교반수단을 구비한 수조에 기판을 담그는 과정과, 상기 기판의 표면에서 박막을 성장시켜 버퍼층을 형성하는 과정을 포함하는 용액성장법(CBD)을 이용한 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법에 있어서, 상기 버퍼층형성과정에는 박막의 두께를 측정하는 과정이 포함된다. 또한, 상기 박막의 두께를 측정하는 과정은, 기판을 수용액에 담글 때 진동자를 함께 담그는 단계와; 상기 수용액에 담긴 진동자가 박막성장에 따라 감소되는 진동수를 측정하는 단계와; 상기 측정한 측정데이터와 표준데이터를 비교하여 박막의 두께를 추산하는 단계와; 상기 측정데이터와 표준데이터에서의 선택된 값이 일치할 때 기판을 수조에서 꺼내는 기판회수단계;를 포함하여 이루어진다. 태양전지, 기판, 박막, 버퍼층, 두께측정, 진동자
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of a buffer-layer for a CIS-based thin film solar cell is provided to form a thin film having a desired thickness while minimizing an error range by checking the degree of thin film growth. CONSTITUTION: A liquid solution containing a thin film composition element through a chemical bath deposition. A substrate is dipped into a bath equipped with a heating unit and an agitator. A buffer layer is formed by growing up a thin film on the surface of the substrate(P2). The thickness of the thin film is measured at(P3).