公开(公告)号：KR100485212B1

公开(公告)日：2005-04-25

申请号：KR1020020079228

申请日：2002-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오기 ,  김강호 ,  김현수 ,  김종회 ,  오광룡

IPC: H01J5/30

CPC classification number: H01S5/4062 ,  H01S5/026 ,  H01S5/141 ,  H01S5/143

Abstract: 본 발명은 반사거울의 미세한 조정을 요구하지 않으면서도 회절격자 주기를 증대시킬 수 있어서 폭 넓은 파장가변 영역을 구현할 수 있는 파장가변 반도체 레이저 다이오드를 제공하는 것으로서, 튜닝거울의 회전에 의해 파장가변이 행해지는 외부 공진기형 파장 가변 반도체 레이저 다이오드로서, 광 출력단에 다채널 레이저 다이오드 어레이와 컴바이너 또는 다채널 레이저 다이오드와 어레이 도파로 회절격자(AWG)를 나란히 배치시켜서 상기 다채널 레이저 다이오드 어레이의 배치 간격과 반사거울의 회전 조절을 통하여 다채널의 파장을 가변시킬 수 있게 구성하여 컴바이너 또는 AWG와 광섬유 사이의 정렬이 쉽고, AWG의 경우는 커플링 손실이 현격히 저하되기 때문에 반사거울의 미세 조정이나 다채널 레이저 다이오드 어레이의 배열 간격과 렌즈 초� ��거리의 정확도 등을 요하지 않으며, 패키지를 간편히 할 수 있고 제작 수율과 소자 신뢰성의 향상을 도모할 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1020050036217A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：KR1020030071836

申请日：2003-10-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오기 ,  김강호 ,  오광룡 ,  김종회 ,  김현수

IPC: H01S5/10

CPC classification number: G02F1/295 ,  G02F2001/0157

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 편향기 집적 동적 단일모드 레이저 다이오드를 이용한 변조 장치에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은, 동적 단일모드 레이저의 직접변조 시 발생하는 처프(Chirp)량을 제거하고, 소자가 작고, 구조가 간단하며, 높은 소광비 특성과 단면 반사율에 의한 처프(Chirp)량을 줄일 수 있는, 편향기 집적 동적 단일모드 레이저 다이오드를 이용한 변조 장치를 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 편향기 집적 동적 단일모드 레이저 다이오드를 이용한 변조 장치에 있어서, 레이저를 발생시키기 위한 동적 단일모드 레이저 다이오드; 및 상기 동적 단일모드 레이저 다이오드에서 발생시킨 빔을 외부로부터 인가되는 전기신호에 따라 빔을 편향시키기 위한 편향기를 구비하되, 상기 동적 단일모드 레이저 다이오드와 상기 편향기가 집적되어 편향각에 따라 광섬유와의 광 결합효율을 변화/변조시키는 것을 특징으로 함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 광통신 시스템 등에 이용됨.

公开(公告)号：KR1020050007987A

公开(公告)日：2005-01-21

申请号：KR1020030047635

申请日：2003-07-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김강호 ,  오광룡 ,  권오기 ,  김종회 ,  김현수

IPC: G02F1/29

CPC classification number: G02B6/4246 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/2931 ,  G02B6/29395 ,  G02B6/32 ,  G02B2006/12097 ,  G02F1/295 ,  H01S5/146

Abstract: PURPOSE: An optical element in which an optical deflector is integrated, and an external resonant wavelength variable laser using the same are provided to deflect light without a complex external driving circuit, and integrate the optical deflector and InP, a semiconductor material. CONSTITUTION: A passive waveguide is formed of a lower cladding area(301), a core(302), and an upper cladding area(304), and guides a light signal. An optical deflector(303) is formed by patterning an upper cladding layer at one area of the passive waveguide in a predetermined shape. According as a current or electric field is applied to the optical deflector, a refractive index of the core under the predetermined shape is changed to deflect proceeding light.

Abstract translation: 目的：提供一种其中集成光偏转器的光学元件和使用其的外部谐振波长可变激光器，以在没有复杂的外部驱动电路的情况下偏转光，并且将光学偏转器和InP，半导体材料集成。 构成：无源波导由下包层区域（301），芯（302）和上包层区域（304）形成，并引导光信号。 通过在无源波导的一个区域上形成预定形状的上包层来形成光偏转器（303）。 根据电流或电场施加到光学偏转器，改变预定形状下的芯的折射率以偏转正向的光。

公开(公告)号：KR1020040050423A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：KR1020020078257

申请日：2002-12-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현수 ,  김종회 ,  심은덕 ,  김강호 ,  권오기 ,  오광룡

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01S5/50 ,  H01S5/5072

Abstract: PURPOSE: An ultra high speed optical signal processor where a saturated absorber and a constant gain optical amplifier are integrated is provided to increase a response time in a high speed optical transmission system and to transmit data without distortion as to an input pulse having a narrow width. CONSTITUTION: A constant gain optical amplifier region corresponds to a diffraction grating(4) formed in an N-type InP substrate(2). An undoped InGaAsP active layer(6), a P type InP clad layer(8) and an InGaAs ohmic contact layer(10) are stacked on an upper surface of the N type InP substrate in sequence. A pair of top metal electrodes(12a,12b) are stacked on an upper surface of the InGaAs ohmic contact layer and are insulated by an etched groove. A bottom metal electrode(14) is stacked below the N type InP substrate. And an anti-reflective thin film(16) is stacked on both sides, and a saturated absorber region and a constant gain optical amplifier region are arranged in parallel on the InGaAs ohmic contact layer.

Abstract translation: 目的：提供集成了饱和吸收器和恒定增益光放大器的超高速光信号处理器，以增加高速光传输系统中的响应时间，并且对于具有窄宽度的输入脉冲传输数据而不失真 。 构成：恒定增益光放大器区对应于形成在N型InP衬底（2）中的衍射光栅（4）。 未掺杂的InGaAsP有源层（6），P型InP包覆层（8）和InGaAs欧姆接触层（10）依次层叠在N型InP衬底的上表面上。 一对顶部金属电极（12a，12b）堆叠在InGaAs欧姆接触层的上表面上并被蚀刻槽绝缘。 底部金属电极（14）堆叠在N型InP衬底的下方。 并且在两侧堆叠抗反射薄膜（16），并且在InGaAs欧姆接触层上平行布置饱和吸收体区域和恒定增益光放大器区域。

公开(公告)号：KR1020040038321A

公开(公告)日：2004-05-08

申请号：KR1020020067218

申请日：2002-10-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현수 ,  김종회 ,  심은덕 ,  김강호 ,  권오기 ,  오광룡

IPC: G02F3/00

CPC classification number: G02F3/00 ,  G02F1/3517

Abstract: PURPOSE: A logic element using saturable absorbers is provided to apply the same current to the first saturable absorber and the second saturable absorber, without a change of a path phase difference caused by optical strength of an input signal, thereby alleviating restrictions on an operational input optical strength range. CONSTITUTION: The first saturable absorber(117) inputs power in which the first input signal is synthesized with a reference signal, has a more passing power than an absorbing power if the power is more than the first transparent input optical strength, and has a more absorbing power if the power is less than the optical strength. The second saturable absorber(118) inputs power in which the first input signal, the second input signal, and the reference signal are synthesized together, has a more passing power if the power is more than the second transparent input optical strength, and has a more absorbing power if the power is less than the optical strength. Combiners(114a,114b) combine an output of the first saturable absorber(117) with an output of the second saturable absorber(118).

Abstract translation: 目的：提供使用可饱和吸收器的逻辑元件，以将相同的电流施加到第一可饱和吸收器和第二可饱和吸收器，而不会改变由输入信号的光强度引起的路径相位差，从而减轻对操作输入的限制 光强度范围。 构成：第一饱和吸收器（117）输入用参考信号合成第一输入信号的功率，如果功率大于第一透明输入光强，则具有比吸收功率更多的功率，并且具有更多 如果功率小于光学强度，则吸收功率。 第二可饱和吸收器（118）输入第一输入信号，第二输入信号和参考信号合成在一起的功率，如果功率大于第二透明输入光强，则具有更多的通过功率，并且具有 如果功率小于光学强度，则吸收功率更大。 组合器（114a，114b）将第一可饱和吸收器（117）的输出与第二可饱和吸收器（118）的输出组合。

公开(公告)号：KR1020040032375A

公开(公告)日：2004-04-17

申请号：KR1020020061485

申请日：2002-10-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오기 ,  오광룡 ,  김강호 ,  김현수 ,  김종회

IPC: H01S5/12

Abstract: PURPOSE: A distributed reflection laser diode including a spot-size converter and a DFB(Distributed FeedBack) laser diode is provided to increase a single mode yield and an optical output regardless of a phase of a diffraction grid by forming the spot-size converter and the DFB laser diode with one body. CONSTITUTION: A distributed reflection laser diode including a spot-size converter and a DFB laser diode includes a substrate(700), a bottom clad layer(710), a diffraction grid(720), a passive waveguide layer(740), an intermediate clad layer(750), an active layer(760), a top clad layer(770), and a ridge(780). The bottom clad layer(710) is formed on the substrate(700). The diffraction grid(720) is formed on the bottom clad layer. A bottom clad layer and an optical waveguide layer are formed on the diffraction grid. The passive waveguide layer(740) is formed on the optical waveguide layer to transmit beams to the third region. The intermediate clad layer(750) is formed on the passive waveguide layer. The active layer(760) is formed on the intermediate clad layer to transfer the beams from the second region to the passive waveguide layer. The top clad layer(770) is formed on the active layer. The ridge(780) is formed on the top clad layer. The ridge has a tapering structure.

Abstract translation: 目的：提供一种包括点尺寸转换器和DFB（分布式反馈）激光二极管的分布反射激光二极管，以通过形成点尺寸转换器和衍射栅格的相位来提高单模产量和光输出， 一体DFB激光二极管。 构成：包括点尺寸转换器和DFB激光二极管的分布反射激光二极管包括衬底（700），底包层（710），衍射栅极（720），无源波导层（740），中间层 包层（750），有源层（760），顶覆层（770）和脊（780）。 底部覆盖层（710）形成在基板（700）上。 衍射栅格（720）形成在底部包层上。 在衍射栅格上形成底层和光波导层。 无源波导层（740）形成在光波导层上，以将光束传输到第三区域。 中间包层（750）形成在无源波导层上。 有源层（760）形成在中间包层上，以将束从第二区域转移到无源波导层。 顶层包层（770）形成在有源层上。 脊（780）形成在顶部包层上。 脊具有锥形结构。

公开(公告)号：KR100399577B1

公开(公告)日：2003-09-26

申请号：KR1020000057827

申请日：2000-10-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정종술 ,  백용순 ,  오광룡

IPC: G02B6/14

Abstract: PURPOSE: An optical mode amplitude converter and a fabrication method thereof are provided, which has low reflection loss and low coupling loss and has a simple fabrication process. CONSTITUTION: An input optical waveguide(11) receiving an optical signal from an input optical fiber and an output optical waveguide(13) outputting an optical signal of converted mode amplitude to an output optical waveguide integrated circuit are integrated on an InP semiconductor substrate(1) by intervening a space region(14) in sequence. And a unilateral side-tapered optical waveguide(12) is integrated on the input optical waveguide and is tapered so that a width of a joint surface with the input optical waveguide becomes wider toward the direction of a light propagation, and converts a mode amplitude of the optical signal applied from the input optical waveguide adiabatically and then applies it to the output optical waveguide.

Abstract translation: 目的：提供一种光模式幅值转换器及其制造方法，其具有低反射损耗和低耦合损耗，并具有简单的制造工艺。 本发明提供一种InP半导体基板（1）上集成了输入光波导（11）和输出光波导（13），输入光波导（11）从输入光纤接收光信号，输出光波导（13） ）通过依次插入空间区域（14）来实现。 并且，在输入光波导上一体地形成单侧的侧面锥形光波导路径（12），使得与输入光波导路的接合面的宽度向光传播方向变宽，并将模式振幅 从输入光波导绝热施加的光信号然后将其施加到输出光波导。

公开(公告)号：KR1020030067142A

公开(公告)日：2003-08-14

申请号：KR1020020007011

申请日：2002-02-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  송정호 ,  김성복 ,  오광룡

IPC: H01S5/10

CPC classification number: G02B6/124 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/1231

Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical device with differential-grating is provided to fabricate an optical device including grating without using expensive equipment and form a self-pulsating distributed feedback(DFB) laser diode of high yield by using a holography method capable of increasing fabricating yield of the optical device. CONSTITUTION: An n-type InP substrate(10) is prepared. A stacked structure including a waveguide layer(22) and an active layer(26) is formed on the InP substrate. The first grating(12a) is formed under the stacked structure on the InP substrate. The second grating(32a) is formed on the stacked structure. An n-type InP clad layer(20) is further included between the first grating and the stacked structure. A p-type InP clad layer(30) is further included between the stacked structure and the second grating.

Abstract translation: 目的：提供具有差分光栅的半导体光学器件，以制造包括光栅的光学器件，而不使用昂贵的设备，并且通过使用能够提高制造成品率的全息方法形成高产量的自脉动分布反馈（DFB）激光二极管 光学装置。 构成：制备n型InP衬底（10）。 在InP衬底上形成包括波导层（22）和有源层（26）的叠层结构。 第一光栅（12a）形成在InP衬底上的层叠结构下。 第二光栅（32a）形成在堆叠结构上。 在第一光栅和堆叠结构之间还包括n型InP包覆层（20）。 在堆叠结构和第二光栅之间还包括p型InP包覆层（30）。

公开(公告)号：KR100358133B1

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：KR1020000086719

申请日：2000-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  김종회 ,  백용순 ,  박문호 ,  김성복 ,  오광룡

IPC: G02B6/02

Abstract: 접촉식 노광장비를 사용하되, 측면-테이퍼 패턴 형성시 야기되는 스트레인을 흡수할 수 있는 패드를 테이퍼 끝단에 연결시킨 마스크를 사용하여 리소그라피 공정을 수행하므로써 그 끝단을 0.6um 정도로 형성한 다음, 습식식각에 의해 0.1um의 매우 균일한 측면-테이퍼 도파로(또는 활성층)을 갖는 모드변환기를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 이에 따라, 고분해능 전자선 리소그래피법 및 스테퍼를 사용하지 않도도 되어 제작 비용을 절감할 수 있고, 접촉식 노광 장비를 사용하더라도 종래와 같이 과도한 깊은 습식식각을 수행하지 않아도 되어 측면-테이퍼 패턴 제작의 재현성을 높일 수 있다. 또한 이러한 방법에 의해 제작된 측면-테이퍼 구도의 모드변환기를 광소자와 함께 집적시켜 제작하므로써, 모드변환기의 위치 조절 및 재현성을 높여 수율 증대를 가져올 수 있다.

公开(公告)号：KR100335373B1

公开(公告)日：2002-05-06

申请号：KR1019990052645

申请日：1999-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  박찬용 ,  오광룡 ,  한선규

IPC: G02B5/20

Abstract: 본발명은광필터의특성향상을위해제1도파로와제2도파로를수직결합형으로제작하되, 두도파로방향정렬및 간결한공정조건을적용하기에적합한격자도움수직결합형광필터및 그제조방법을제공하고자하는것으로, 이를위한본 발명의격자도움수직결합형광필터는, 수직적으로자기정렬되고, 격자가개재되는부분에서는 'ㅡ'자형으로패턴되며이에연장되어격자가개재되지않는부분에서는 'ㄷ'자형으로갈라지는패턴형상을갖는제1도파로및 제2도파로; 및상기제2도파로의굴절부위에형성되어상기제2도파로상으로진행하는필터링된광파장과상기제1도파로상으로진행하는필터링되지않은광파장을공간적으로소정거리이상분리하는코너리플렉터를포함하여이루어지는것을특징으로한다.