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公开(公告)号：KR1020120035706A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：KR1020100097397
申请日：2010-10-06
Applicant: 한국전자통신연구원 , 주식회사 나노신소재
IPC: C23C14/08
CPC classification number: C23C14/08 , C04B2235/3293 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/22 , C23C14/34 , C23C14/54
Abstract: PURPOSE: An indium tin oxide target for transparent electrode is provided to guarantee electro-chemical characteristic and light transmittance by using dopant material. CONSTITUTION: An indium tin oxide target for transparent electrode includes indium tin oxide, tin oxide, and metal oxide. The metal oxide is reduced. The ionic radius ratio of untreated metal oxide and the metal(M) of the reduced metal oxide is a range of 1.2~1.7:1.
Abstract translation: 目的：提供透明电极的氧化铟锡靶，以通过使用掺杂剂材料来保证电化学特性和透光率。 构成：用于透明电极的氧化铟锡靶包括氧化铟锡，氧化锡和金属氧化物。 金属氧化物被还原。 未处理的金属氧化物和还原金属氧化物的金属（M）的离子半径比在1.2〜1.7:1的范围内。
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公开(公告)号：KR101093749B1
公开(公告)日：2011-12-19
申请号：KR1020080131554
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C23C14/34
Abstract: 본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 유도 결합 플라즈마 발생 장치를 이용하여 박막의 스텝 커버리지가 우수하고 치밀한 막질을 형성할 수 있는 스퍼터링 장치를 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 스퍼터링 장치는, 진공 배기 가능한 챔버; 피처리체의 탑재를 위하여 상기 챔버 내에 형성되는 탑재 수단; 외부로부터 유입되는 기체를 플라즈마(plasma)화하여 상기 챔버 내부로 유입시키기 위하여 상기 챔버의 일측에 형성되는 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma; ICP) 방출기; 및 상기 유입되는 플라즈마에 의하여 이온화될 타겟 물질을 탑재하기 위하여 상기 챔버 내에 형성되는 스퍼터 건(sputter gun)을 포함한다.
그럼으로써, 스텝 커버리지를 향상시키고 치밀한 막질을 얻을 수 있으며 저온 증착이 가능한 스퍼터링 장치를 제공할 수 있는 이점이 있다.
스퍼터링, 유도 결합 플라즈마, ICP-
公开(公告)号：KR1020110119963A
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：KR1020100039411
申请日：2010-04-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L29/78648 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L27/3262
Abstract: PURPOSE: A semiconductor apparatus and a manufacturing method thereof are provided to arrange an upper gate electrode of a dual gate transistor when arranging a pixel electrode, thereby arranging the dual gate transistor without adding a separate process. CONSTITUTION: A lower gate electrode(120B) is arranged on a substrate(100). An upper gate electrode(180) is arranged on the lower gate electrode. A contact plug is included between the lower gate electrode and upper gate electrode. A function electrode(182) is arranged with the same height as the upper gate electrode. A source electrode(162) and drain electrode(164) are arranged with the same height as the contact plug.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体装置及其制造方法，用于在布置像素电极时布置双栅晶体管的上栅电极，从而在不增加单独工艺的情况下布置双栅极晶体管。 构成：下基板电极（120B）布置在基板（100）上。 上栅电极（180）布置在下栅电极上。 在下栅电极和上栅电极之间包括接触插塞。 功能电极（182）以与上部栅极电极相同的高度排列。 源电极（162）和漏电极（164）以与接触插塞相同的高度布置。
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公开(公告)号：KR101067763B1
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：KR1020080129869
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 은이 도핑된 투명 주석산화막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 은이 도핑된 투명 주석산화막의 제조방법은 은과 산화주석을 동시에 증착한 후, 이를 열처리하여 얻어질 수 있다. 이와 같이 제조된 투명 산화막은 저항이 매우 낮아 다양한 전자소자의 투명 전극으로 이용될 수 있다.
금속 도핑, 투명, 전도성, 산화물-
公开(公告)号：KR1020110039854A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020090096883
申请日：2009-10-12
Applicant: 한국전자통신연구원 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A charge injection nonvolatile flash memory thin-film transistor is provided to improve the efficiency of an erase operation by depositing additional charge implantation film into a memory device. CONSTITUTION: In a charge injection nonvolatile flash memory thin-film transistor, a source and a drain electrode(200) are separated from each other on a substrate. A semiconductor channel layer(300) covers a part of the source and drain electrodes. A dielectric layer(400) covers the exposed portion of the source electrode and drain electrode and the semiconductor channel layer. An additional semiconductor layer(700) is formed on the dielectric layer. A gate electrode(800) is formed on the additional semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供电荷注入非易失性闪存薄膜晶体管，以通过将额外的电荷注入膜沉积到存储器件中来提高擦除操作的效率。 构成：在电荷注入非易失性闪存薄膜晶体管中，源极和漏极（200）在基板上彼此分离。 半导体沟道层（300）覆盖源极和漏极的一部分。 电介质层（400）覆盖源电极和漏电极和半导体沟道层的暴露部分。 在电介质层上形成一个附加的半导体层（700）。 在附加半导体层上形成栅电极（800）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100133565A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：KR1020090052175
申请日：2009-06-12
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05B33/10 , H01L21/02631 , H01L21/203 , H05B33/20 , H05B33/26
Abstract: PURPOSE: A transparent conductive phosphors thin film and a manufacturing method thereof are provided to prevent deterioration and simplify a process by being applied to a field emission device and an inorganic luminescence element. CONSTITUTION: A transparent conductive phosphor thin film(110) is formed by using a sputtering target. The sputtering target comprises zinc oxide, tin oxide, metal zinc, rare earths element, color-development metal, and a conductive metal. The conductive metal is the gallium.
Abstract translation: 目的：提供透明导电磷光体薄膜及其制造方法，以防止劣化，并且通过施加到场致发射器件和无机发光元件来简化工艺。 构成：通过使用溅射靶形成透明导电磷光体薄膜（110）。 溅射靶包括氧化锌，氧化锡，金属锌，稀土元素，显色金属和导电金属。 导电金属是镓。
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公开(公告)号：KR1020100121099A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090040084
申请日：2009-05-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L23/26 , H05B33/04
Abstract: PURPOSE: A transparent display device is provided to control transmittance according to environment and usage purpose by attaching a transmittance controllable smart window in one region of a transparent display device. CONSTITUTION: A driving transistor is formed on a lower transparent substrate(100). A display part(200) is composed of a transparent organic light emitting diode which emits light. An upper transparent substrate(300) is formed on the transparent organic light emitting diode and seals an element. A smart glass(400,450) is formed on the lower part of the lower part or the upper part of the upper transparent substrate. The smart glass comprises a fine particle absorbing light.
Abstract translation: 目的：提供一种透明显示装置，通过在透明显示装置的一个区域中附加透射度可控智能窗口，根据环境和使用目的来控制透射率。 构成：驱动晶体管形成在下透明基板（100）上。 显示部（200）由发光的透明有机发光二极管构成。 在透明有机发光二极管上形成上透明基板（300）并密封元件。 在上部透明基板的下部或下部的下部形成有智能玻璃（400,450）。 智能玻璃包括吸收光的微粒子。
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公开(公告)号：KR100974887B1
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：KR1020070132753
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 투명 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 하부 게이트 구조 투명 박막 트랜지스터의 장기적 안정성을 확보하고 공정 중의 특성 변화를 최소화하며, 박막 트랜지스터의 투명성을 유지하기 위하여 폴리머 물질의 보호막을 비교적 낮은 온도의 공정으로 형성하는 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 폴리머 보호막이 형성된 투명 박막 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 형성된 반도체 활성층; 상기 반도체 활성층의 양단에 각각 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 반도체 활성층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 덮는 폴리머 물질의 보호막을 포함한다.
폴리머 보호막, 하부 게이트 구조, 투명 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020100073064A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131647
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L29/458
Abstract: PURPOSE: A transparent transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve the efficiency of a process and solve a contact resistor problem by forming a multilayer transparent conductive layer capable of improving transparency and conductivity. CONSTITUTION: A source electrode and a drain electrode(S/D) includes a lower transparent layer(110), a metal layer(120), and a multilayer structure of an upper transparent layer(130) and is formed on a substrate. A channel is formed between the source electrode and the drain electrode. The gate electrode(G) is formed by being aligned with the channel. The lower transparent layer or the upper transparent layer is formed into a transparency semiconductor layer same as the channel. The gate electrode has a lower transparent layer, a metal layer, and a multilayer of the upper transparent layer.
Abstract translation: 目的：提供透明晶体管及其制造方法，以通过形成能够提高透明度和导电性的多层透明导电层来提高工艺的效率并解决接触电阻器问题。 构成：源电极和漏电极（S / D）包括下透明层（110），金属层（120）和上透明层（130）的多层结构，并形成在基板上。 在源电极和漏电极之间形成沟道。 栅电极（G）通过与通道对准而形成。 下透明层或上透明层形成为与沟道相同的透明半导体层。 栅电极具有下透明层，金属层和上透明层的多层。
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公开(公告)号：KR1020100073045A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131626
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G09F13/22 , G06F3/0416 , G09G3/3208 , H01L27/3262 , H01L51/5012 , H01L51/5206 , H01L51/5221
Abstract: PURPOSE: A transparent signboard is provided to improve space utilization by displaying necessary information without interrupting a visual field of people. CONSTITUTION: A transparent signboard(200) includes a transparent display(200a), a controller(200b) and a interface unit(200c). The transparent display displays information in a transparent state. The transparent display is made of a transparent OLED and a transparent backplane. The transparent backplane includes a transparent oxide thin film transistor. The controller controls the transparent display. The interface unit supplies the interface between the controller and the transparent display.
Abstract translation: 目的：提供一个透明招牌，通过显示必要的信息，不会中断人的视野来提高空间利用率。 构成：透明招牌（200）包括透明显示器（200a），控制器（200b）和接口单元（200c）。 透明显示屏以透明状态显示信息。 透明显示器由透明OLED和透明背板制成。 透明背板包括透明氧化物薄膜晶体管。 控制器控制透明显示。 接口单元提供控制器和透明显示器之间的接口。
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