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    微細構造体の製造方法およびイオンビーム装置
    143.
    发明专利
    微細構造体の製造方法およびイオンビーム装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018139176A

    公开(公告)日：2018-09-06

    申请号：JP2017033185

    申请日：2017-02-24

    Applicant: 株式会社日立製作所

    Inventor： 志知 広康 ,  渡邉 敬司 ,  龍崎 大介

    IPC: H01J37/317

    CPC classification number: B81C1/00341 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0132 ,  H01J27/022 ,  H01J37/30 ,  H01L21/68714

    Abstract: 【課題】イオンビームを用いた微細構造体の製造方法において十分な加工速度および十分な加工精度を得る。 【解決手段】微細構造体の製造方法は、(a)第1のマスクの第1の開口部を通過して形成された第1のイオンビーム(投射イオンビーム6)を試料の第1の領域に照射してエッチングする工程、(b)上記第1の領域に比べてビーム幅Rに沿った方向の幅が広い第2の領域に第2のイオンビーム(投射イオンビーム6)を照射して上記試料を加工する工程、を含む。さらに、上記第2のイオンビームの縦断面の裾幅Sの大きさは、上記第1のイオンビームの縦断面の裾幅Sの大きさより小さい。 【選択図】図6

    Vapor etching of silicon dioxide with improved selectivity
    146.
    发明专利
    Vapor etching of silicon dioxide with improved selectivity 有权
    空值

    公开(公告)号：JP2014504805A

    公开(公告)日：2014-02-24

    申请号：JP2013549897

    申请日：2012-01-24

    Applicant: メムススター リミテッド

    Inventor： オハラ，アンソニー

    IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00 ,  H01L21/302

    CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/31116

    Abstract: エッチングガス、すなわちフッ化水素（ＨＦ）蒸気を使用することによって、微小電気機械素子（ＭＥＭＳ）などの微細構造の犠牲二酸化ケイ素（ＳｉＯ
    ２ ）部分は、ＭＥＭＳの他の部分、特に窒化ケイ素（Ｓｉ
    ３ Ｎ
    ４ ）の部分に対して高い選択性を有するようにエッチングが実施される。 これは、ＨＦ蒸気内の一フッ化反応種（Ｆ
    − およびＨＦ）に対する二フッ化反応種（ＨＦ
    ２
    − およびＨ
    ２ Ｆ
    ２ ）の比率を増加させるのに適した第２の非エッチングガスを加えることによって実現する。 第２の非エッチングガスは水素化合物ガスを含みうる。 ＨＦ蒸気内の一フッ化反応種（Ｆ
    − およびＨＦ）に対する二フッ化反応種（ＨＦ
    ２
    − およびＨ
    ２ Ｆ
    ２ ）の比率は、エッチング動作温度を２０℃以下に設定することによっても増加させることができる。
    【選択図】図２

    Abstract translation: 通过使用蚀刻剂气体，即氟化氢（HF）蒸气在诸如微电子机械结构（MEMS）的微结构中蚀刻牺牲二氧化硅（SiO 2）部分，对MEMS内的其它部分具有更高的选择性， 特别是氮化硅（Si 3 N 4）的一部分。 这通过添加适合于增加HF蒸气中二氟化物反应性物质（HF 2和H 2 F 2）与单氟化物反应性物质（F-和HF）的比例的二次非蚀刻剂气体来实现。 次级非蚀刻剂气体可以包括氢化合物气体。 通过将蚀刻操作温度设定为20℃或更低，也可以增加氟化氢反应物质（HF 2 - 和H 2 F 2）与HF蒸气中的单氟化物反应性物质（F-和HF）的比例。

    Method of etching back side of wafer
    149.
    发明专利
    Method of etching back side of wafer 审中-公开
    蚀刻背面的方法

    公开(公告)号：JP2011003692A

    公开(公告)日：2011-01-06

    申请号：JP2009144991

    申请日：2009-06-18

    Applicant: Oki Semiconductor Co Ltd ,  Okiセミコンダクタ株式会社

    Inventor： YOSHIDA MASASHI

    IPC: H01L29/84 ,  B81C1/00 ,  G01P15/12

    CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/053

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent breakage of a wafer in carrying in/out the wafer by preventing adhesion of the wafer to an electrode.SOLUTION: This method of etching a back side of a wafer, for instance, in an MEMS device includes: a protective film formation process of forming a protective film (protective resist) 25 formed of positive photoresist on the whole of the front surface of a processed wafer 20; a protective film hardening process of hardening the front surface of the protective resist 25 by drying the protective resist 25 by post-baking; an etching process of mounting the wafer 20 on a lower electrode 30, the front surface side of the wafer 20 facing the lower electrode 30, and of etching the back side of the wafer 20 in a predetermined pattern by a plasma etching method; and a wafer recovery process of recovering the wafer 20 by peeling the front surface side of the wafer 20 from the lower electrode 30.

    Abstract translation: 要解决的问题：通过防止晶片粘附到电极上来防止晶片进/出晶片的破裂。解决方案：例如在MEMS器件中蚀刻晶片背面的方法包括： 在加工晶片20的整个前表面上形成由正性光致抗蚀剂形成的保护膜（保护抗蚀剂）25的保护膜形成工艺; 通过后烘烤干燥保护抗蚀剂25来使保护膜25的前表面硬化的保护膜硬化工序; 将晶片20安装在下电极30上，将晶片20的前表面侧面向下电极30的蚀刻工艺，并通过等离子体蚀刻方法以预定图案蚀刻晶片20的背面; 以及通过从下电极30剥离晶片20的前表面侧来恢复晶片20的晶片恢复处理。

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