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    A METHOD FOR MEASURING ETCH RTES DURING A RELEASE PROCESS
    141.
    发明申请
    A METHOD FOR MEASURING ETCH RTES DURING A RELEASE PROCESS 审中-公开
    一种在释放过程中测量蚀刻的方法

    公开(公告)号：WO2003083932A1

    公开(公告)日：2003-10-09

    申请号：PCT/US2002/029852

    申请日：2002-10-11

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： CHINN, Jeffrey, D. ,  BACHRACH, Robert, A.

    IPC: H01L21/66

    CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0142

    Abstract: Microstructure device forming methods, methods of forming a MEMS device, microstructure processing apparatuses and MEMS processing apparatuses are described. A first aspect provides a microstructure device forming method including: providing a substrate; etching the substrate within a process chamber to release a microstructure device feature coupled with the substrate; and monitoring a mass of monitored material within the process chamber during the etching to monitor the etching of the substrate.

    Abstract translation: 描述微结构器件形成方法，形成MEMS器件的方法，微结构处理设备和MEMS处理设备。 第一方面提供了一种微结构器件形成方法，包括：提供衬底; 在处理室内蚀刻衬底以释放与衬底耦合的微结构器件特征; 以及在蚀刻期间监测处理室内的被监测材料的质量，以监测衬底的蚀刻。

    FABRICATION OF A MICROCHIP-BASED ELECTROSPRAY DEVICE
    142.
    发明申请
    FABRICATION OF A MICROCHIP-BASED ELECTROSPRAY DEVICE 审中-公开
    基于微电脑的电子装置的制造

    公开(公告)号：WO2003025991A1

    公开(公告)日：2003-03-27

    申请号：PCT/US2002/029504

    申请日：2002-09-17

    Applicant: ADVION BIOSCIENCES, INC.

    Inventor： CORSO, Thomas, N.

    IPC: H01L21/302

    CPC classification number: B81C1/00087 ,  B81B2201/058 ,  B81C2201/0142

    Abstract: A method for fabricating a nozzle of microchip-based electrospray device is disclosed. The method includes using a primary mask to accurately define the nozzle feature including the annulus and the through hole of the electrospray device. A secondary masking step is conducted to pattern the through channel (typical the photoresist would serve as the secondary mask), followed by the defining and etching of the primary mask containing the full nozzle feature. The secondary mask serves to selectively mask given areas of the primary mask for subsequent etching. The through hole feature of the secondary mask aligns over the already patterned primary mask through channel, except that the secondary mask contains a slightly larger through channel diameter. This serves to mask off the annulus, but allowing the silicon through channel to be exposed for etching.

    Abstract translation: 公开了一种用于制造基于微芯片的电喷雾装置的喷嘴的方法。 该方法包括使用主掩模来精确地限定包括电喷雾装置的环形区域和通孔的喷嘴特征。 进行二次掩模步骤以对穿通通道进行图案化（典型地，光致抗蚀剂将用作辅助掩模），然后限定和蚀刻含有全喷嘴特征的主掩模。 辅助掩模用于选择性地掩蔽初级掩模的给定区域用于随后的蚀刻。 辅助掩模的通孔特征通过通道对准已经图案化的初级掩模，不同之处在于次要掩模包含稍大的通道直径。 这用于掩盖环形，但允许硅通过沟道暴露以进行蚀刻。

    Method and system for fluorinated xenon etching with improved efficiency
    146.
    发明专利
    Method and system for fluorinated xenon etching with improved efficiency 审中-公开
    用于氟化氙蚀刻的方法和系统具有改进的效率

    公开(公告)号：JP2006100795A

    公开(公告)日：2006-04-13

    申请号：JP2005227383

    申请日：2005-08-05

    Applicant: Idc Llc ,  アイディーシー、エルエルシー

    Inventor： FLOYD PHILIP D ,  CUMMINGS WILLIAM J

    IPC: H01L21/302 ,  B81C99/00 ,  G02B26/00

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0142 ,  B81C2201/056 ,  G02B26/001 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67069

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and a system for fluorinated xenon etching with improved efficiency. SOLUTION: A device and a method useful for manufacturing a MEMS device are provided. One mode of the disclosed device provides a substrate which is exposed to a solid state etchant and provided with a material enabled to be etched. Here, the substrate and the solid state etchant are arranged in an etching chamber. In a plurality of embodiments, the solid state etchant is moved to a position near the substrate. In the other embodiments, a variable barrier exists between the substrate and the solid state etchant, to be opened. The solid state etchant generates a vapor phase etchant suitable for etching the material enabled to be etched. In a plurality of desirable embodiments, the solid state etchant is solid 2 fluorinated xenon. The device and the method are advantageously used in executing release etching in manufacturing of an optical modulator. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种提高效率的氟化氙蚀刻方法和系统。 提供了一种用于制造MEMS器件的器件和方法。 所公开的装置的一种模式提供了暴露于固体蚀刻剂并且具有能够被蚀刻的材料的衬底。 这里，衬底和固态蚀刻剂布置在蚀刻室中。 在多个实施例中，固态蚀刻剂被移动到靠近基板的位置。 在其他实施例中，在基板和固态蚀刻剂之间存在可打开的可变屏障。 固态蚀刻剂产生适于蚀刻能够蚀刻的材料的气相蚀刻剂。 在多个理想的实施例中，固态蚀刻剂是固体2氟化氙。 该装置和方法有利地用于在光学调制器的制造中执行释放蚀刻。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

    蝕刻方法
    148.
    发明专利
    蝕刻方法 失效
    蚀刻方法

    公开(公告)号：TWI283887B

    公开(公告)日：2007-07-11

    申请号：TW093133027

    申请日：2004-10-29

    Applicant: 新力股份有限公司 SONY CORPORATION

    Inventor： 村本准一 MURAMOTO, JUNICHI

    IPC: H01L

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0142 ,  B81C2201/117 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

    Abstract: 本發明提供一種蝕刻方法，其能夠以充分的速度將犧牲層從微細的蝕刻開口中除去，藉此能夠於形成包含較大中空部或構造複雜的空間部之構造體、乃至於高深寬比之構造體時，使其形狀精度良好且表面狀態不致劣化。其解決方法如下：將被處理物曝露於含有蝕刻反應物之處理流體，並使前述處理流體對被處理物保持流動狀態(第4步驟 S4)。在該狀態下，對被處理物的表面斷續地照射光線，並斷續地加熱被處理物(第5步驟S5)。藉此，一邊將被處理物附近的前述處理流體斷續地加熱而使其膨脹、收縮，一邊進行蝕刻。處理流體較佳使用含有蝕刻反應物的超臨界狀態之物質。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种蚀刻方法，其能够以充分的速度将牺牲层从微细的蚀刻开口中除去，借此能够于形成包含较大中空部或构造复杂的空间部之构造体、乃至于高深宽比之构造体时，使其形状精度良好且表面状态不致劣化。其解决方法如下：将被处理物曝露于含有蚀刻反应物之处理流体，并使前述处理流体对被处理物保持流动状态(第4步骤 S4)。在该状态下，对被处理物的表面断续地照射光线，并断续地加热被处理物(第5步骤S5)。借此，一边将被处理物附近的前述处理流体断续地加热而使其膨胀、收缩，一边进行蚀刻。处理流体较佳使用含有蚀刻反应物的超临界状态之物质。

    蝕刻方法
    149.
    发明专利
    蝕刻方法 失效
    蚀刻方法

    公开(公告)号：TW200527481A

    公开(公告)日：2005-08-16

    申请号：TW093133027

    申请日：2004-10-29

    Applicant: 新力股份有限公司 SONY CORPORATION

    Inventor： 村本准一 MURAMOTO, JUNICHI

    IPC: H01L

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0142 ,  B81C2201/117 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

    Abstract: 本發明提供一種蝕刻方法，其能夠以充分的速度將犧牲層從微細的蝕刻開口中除去，藉此能夠於形成包含較大中空部或構造複雜的空間部之構造體、乃至於高深寬比之構造體時，使其形狀精度良好且表面狀態不致劣化。其解決方法如下：將被處理物曝露於含有蝕刻反應物之處理流體，並使前述處理流體對被處理物保持流動狀態(第4步驟S4)。在該狀態下，對被處理物的表面斷續地照射光線，並斷續地加熱被處理物(第5步驟S5)。藉此，一邊將被處理物附近的前述處理流體斷續地加熱而使其膨脹、收縮，一邊進行蝕刻。處理流體較佳使用含有蝕刻反應物的超臨界狀態之物質。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种蚀刻方法，其能够以充分的速度将牺牲层从微细的蚀刻开口中除去，借此能够于形成包含较大中空部或构造复杂的空间部之构造体、乃至于高深宽比之构造体时，使其形状精度良好且表面状态不致劣化。其解决方法如下：将被处理物曝露于含有蚀刻反应物之处理流体，并使前述处理流体对被处理物保持流动状态(第4步骤S4)。在该状态下，对被处理物的表面断续地照射光线，并断续地加热被处理物(第5步骤S5)。借此，一边将被处理物附近的前述处理流体断续地加热而使其膨胀、收缩，一边进行蚀刻。处理流体较佳使用含有蚀刻反应物的超临界状态之物质。

    於釋放過程中偵測蝕刻速率之方法
    150.
    发明专利
    於釋放過程中偵測蝕刻速率之方法 失效
    于释放过程中侦测蚀刻速率之方法

    公开(公告)号：TW561544B

    公开(公告)日：2003-11-11

    申请号：TW091123762

    申请日：2002-10-15

    Applicant: 應用材料股份有限公司

    Inventor： 傑夫瑞D 秦 ,  羅伯特Z 貝許雷許

    IPC: H01L

    CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0142

    Abstract: 一種在一含矽材料多層基板內決定一可移動性特徵釋放時間的方法，該基板包含多晶矽與氧化矽交替層，其中一質量監控裝置決定一被釋放特徵之質量。該基板以無水性氟化氫蝕刻，直至該基板質量等同於該被釋放可移動性特徵之質量，此時之蝕刻時間被標示。一合適之質量監控裝置為石英晶體微量天平。

    Abstract in simplified Chinese: 一种在一含硅材料多层基板内决定一可移动性特征释放时间的方法，该基板包含多晶硅与氧化硅交替层，其中一质量监控设备决定一被释放特征之质量。该基板以无水性氟化氢蚀刻，直至该基板质量等同于该被释放可移动性特征之质量，此时之蚀刻时间被标示。一合适之质量监控设备为石英晶体微量天平。

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