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公开(公告)号：CN101019200A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200580030825.7
申请日：2005-07-12
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
CPC classification number: H01J1/025 , B82Y10/00 , H01J3/025 , H01J17/066 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2217/49
Abstract: 本发明提供一种场发射纳米结构(18)，其辅助微放电器件的工作。该场发射纳米结构被集成到微放电器件中或被定位在微放电器件的电极(14，16，36，38)的附近。与没有场发射纳米结构的其他相同的器件相比，该场发射纳米结构降低了工作和启动电压，同时也增加了微放电器件的辐射输出。
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公开(公告)号：CN1988101A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200510121250.1
申请日：2005-12-23
Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
Inventor： 董才士
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极的制备方法，该方法包括下列步骤：提供一基板，在该基板上沉积一金属层；对金属层表面进行氧化处理，形成一具有多个凹槽的金属氧化物层；去除多个凹槽底部的金属氧化物；通过电泳沉积方式在凹槽底部沉积碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1959911A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200510101028.5
申请日：2005-11-04
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射元件，其包括一基体，至少一根碳纳米管线及一导电助剂。该碳纳米管线缠绕在该基体表面，并通过该导电助剂的作用固定缠绕在该基体表面。该种场发射元件其的碳纳米管线与基体之间结合牢固，在较大电场力作用下也不易被拔出或脱落。本发明还提供该种场发射元件的制备方法。
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公开(公告)号：CN1938225A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010622.1
申请日：2005-03-25
Applicant: 东海碳素株式会社 , 双叶电子工业株式会社 , 泷川浩史
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种具有具备较大封闭空间的空心结构的碳纳米球型结构体，及可容易且稳定得到这种结构体的碳纳米球型结构体的制造方法，其特征在于，将通过采用碳素电极进行电弧放电而产生的煤或对碳照射激光使其蒸发而产生的煤，或比表面积为1000m2/g以上、一次粒径为20nm以上的碳黑，在惰性气体环境中进行高温加热而制得，由石墨层相结合而以整体形成曲面的方式配置的空心结构构成。
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公开(公告)号：CN1937136A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200510037510.7
申请日：2005-09-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J61/305 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J61/26 , H01J63/06 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极，该场发射阴极包括：一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射体，所述电子发射体含有碳纳米管及吸气剂材料。本发明还涉及一种采用上述场发射阴极的平面光源，该平面光源包括：上述场发射阴极；及一阳极，其包括一阳极导电层及一形成在阳极导电层上的荧光体层，该荧光体层和电子发射体相对。该平面光源能有效维持平面光源内部一定的真空度，使平面光源的使用寿命长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1930079A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200480034870.5
申请日：2004-11-16
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: B82Y10/00 , B01J23/52 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J27/22 , B01J37/0215 , B01J37/0238 , B01J37/08 , C01B32/90 , C23C16/0281 , C23C16/04 , C30B11/12 , C30B29/36 , C30B29/60 , C30B29/62 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 在制备伸长的碳化物纳米结构的方法中，施加多个空间上分离的催化剂颗粒到底物上；在预先选择的温度下将空间上分离的催化剂颗粒和至少一部分底物暴露于含金属的蒸气并且维持足够长的时间，使得无机纳米结构在底物和至少一部分催化剂颗粒之间形成；以及在预先选择的温度下将无机纳米结构暴露于含碳的蒸气源并且维持足够长的时间，使得无机纳米结构渗碳。
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公开(公告)号：CN1913075A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610125792.0
申请日：2006-07-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供了一种电子发射源，包括在表面涂层中涂敷有金属碳化物的碳基材料，其中金属在1,500K或更低温度下形成金属碳化物时具有负的吉布斯自由能，本发明还提供了一种制备电子发射源的方法，以及一种包括该电子发射源的电子发射装置。电子发射源包括涂敷有金属碳化物的碳纳米管、或者包括顺序形成在其上的金属碳化物层和金属涂层的碳纳米管。因此，电子发射源在电子发射特性没有退化的情况下具有长使用寿命。电子发射源可以用于制造可靠性得以提高的电子发射装置。
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公开(公告)号：CN1906724A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001426.8
申请日：2005-06-03
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J3/021 , B82Y10/00 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2201/30469
Abstract: 提供了一种场致发射器件以及利用该器件的场致发射显示装置。所述场致发射器件包括：阴极部分，所述阴极部分含有基板、形成在所述基板上的阴极电极以及连接到所述阴极电极的场致发射体；形成在所述场致发射体周围的阴极部分上并包围所述场致发射体的场致发射抑制栅极部分；以及，场致发射诱发栅极部分，所述场致发射诱发栅极部分含有具有至少一个穿透孔的金属网和形成在所述金属网的至少一部分上的介电层，其中所述场致发射抑制栅极部分抑制电子从所述场致发射体发射，并且所述场致发射诱发栅极部分诱发电子从所述场致发射体发射。根据这种结构，能够显著改善场致发射器件的传统问题，包括栅极漏电流、由阳极电压引起的电子发射和电子束发散。
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公开(公告)号：CN1905114A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610104057.1
申请日：2006-07-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 一种电子发射材料，包括电子发射材料主体、设置在该电子发射材料主体上的基底金属层，以及设置在该基底金属层上的热电子发射层。
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公开(公告)号：CN1897204A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200510036029.6
申请日：2005-07-15
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J63/06 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J2201/30446 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极、一种采用该场发射阴极的平板型光源。该场发射阴极包括：一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射层，所述电子发射层含有碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒。该平板型光源包括：所述场发射阴极；及一阳极，其包括一阳极导电层及一形成在所述阳极导电层上的荧光层，该荧光层和所述电子发射层相对。该平板型光源的使用寿命长及电子发射层的场发射特性强。本发明还提供一种场发射阴极的制造方法，该方法简单及成本低。
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