Apparatus and method for compensating electron emission in a field emission device
    142.
    发明公开
    Apparatus and method for compensating electron emission in a field emission device 失效
    Vorrichtung und Verfahren zur Kompensation der Elektronenemission in einer Feldemissionsvorrichtung。

    公开(公告)号:EP0665573A1

    公开(公告)日:1995-08-02

    申请号:EP95100681.6

    申请日:1995-01-19

    Applicant: MOTOROLA, INC.

    CPC classification number: H01J3/022 G09G3/22 G09G2300/08 H01J2201/319

    Abstract: An electron emission device (800) including an array of microelectronic field emission devices (801), each with an integrally formed capacitance (804), a plurality of switches (805), a weighting level detector (806), and data storage and weighting structure (808). In one operational method, the field emission device (801) electron current emission is characterized and a weighting factor is calculated and coupled into the data storage and weighting means (808) so as to provide electron emission device (801) electron emission current in accordance with a desired emission level as prescribed by a data input signal and notwithstanding variations in electron current emission which may be present due to device fabrication.

    Abstract translation: 一种包括微电子场发射器件阵列的电子发射器件(800),每个微电子场发射器件均具有整体形成的电容(804),多个开关(805),加权电平检测器(806)和数据存储和加权 结构(808)。 在一种操作方法中,场致发射器件(801)电子发射被表征,并且加权因子被计算并耦合到数据存储和加权装置(808)中,以便根据电子发射器件(801)提供电子发射器件 具有由数据输入信号规定的期望的发射电平,并且尽管由于器件制造而可能存在电子发射的变化。

    Integrally controlled field emission flat display device
    143.
    发明公开
    Integrally controlled field emission flat display device 失效
    Flache Feldemissionsanzeigevorrichtung mit eingebauten Steuerung。

    公开(公告)号:EP0496572A1

    公开(公告)日:1992-07-29

    申请号:EP92300493.1

    申请日:1992-01-21

    Applicant: MOTOROLA, INC.

    Inventor: Kane, Robert C.

    CPC classification number: H01J1/3042 H01J3/022 H01J29/481 H01J2201/319

    Abstract: An integrally controlled field emission display device (FED display) is set forth wherein at least a first controller (404, 406, 408), realized generally as a transistor device, is disposed in/on at least a layer of the FED display and is operably connected to at least one element of the field emission devices (322, 316) of the FED display. A plurality of integrally formed controllers may be selectively interconnected to provide selective control of groups of FEDs of the FED display in a manner that provides for integrated active addressing of the FED display.

    Abstract translation: 提出了一种整体控制的场致发射显示装置(FED显示器),其中至少一个第一控制器(404,406,408)被设置在FED显示器的至少一层上,其中,第一控制器(404,406,408)通常被实现为晶体管器件, 可操作地连接到FED显示器的场发射装置(322,316)的至少一个元件。 可以选择性地互连多个整体形成的控制器,以提供对FED显示器的集成主动寻址的方式来选择性地控制FED显示器的FED组。

    具有主動控制之可調式場發射顯示器
    145.
    发明专利
    具有主動控制之可調式場發射顯示器 失效
    具有主动控制之可调式场发射显示器

    公开(公告)号:TW587394B

    公开(公告)日:2004-05-11

    申请号:TW091109214

    申请日:2002-05-03

    IPC: H05B

    Abstract: 本發明係一種具有主動控制之可調式場發射型顯示器(active matrix current source controlled gray level tunable FED),其利用主動元件將電壓控制訊號轉換為電流輸出,並利用電容記錄及維持上述電壓控制信號,以產生低控制電壓主動電流源驅動場發射型顯示器(low control voltage and active current source driving FED),可達到調整與維持其灰階及亮度(brightness)的目的。經由使用上述主動元件及電容,使亮度維持固定,如此,場發射型顯示器(FED)操作於較低電壓及亮度下,即可得到高瞬間亮度(high transient brightness)以產生高平均亮度(high average brightness),同時,也可避開高壓時產生的電弧電流(arc current)問題。另外,由於可由電流源控制流過場發射型顯示器的電流,故因真空不良而產生的大電弧電流,會被固定電流源壓制,使電流保持在定值,防止電弧(arc)產生,提升場發射型顯示器的良率。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种具有主动控制之可调式场发射型显示器(active matrix current source controlled gray level tunable FED),其利用主动组件将电压控制信号转换为电流输出,并利用电容记录及维持上述电压控制信号,以产生低控制电压主动电流源驱动场发射型显示器(low control voltage and active current source driving FED),可达到调整与维持其灰阶及亮度(brightness)的目的。经由使用上述主动组件及电容,使亮度维持固定,如此,场发射型显示器(FED)操作于较低电压及亮度下,即可得到高瞬间亮度(high transient brightness)以产生高平均亮度(high average brightness),同时,也可避开高压时产生的电弧电流(arc current)问题。另外,由于可由电流源控制流过场发射型显示器的电流,故因真空不良而产生的大电弧电流,会被固定电流源压制,使电流保持在定值,防止电弧(arc)产生,提升场发射型显示器的良率。

    電子源
    146.
    发明专利
    電子源 失效
    电子源

    公开(公告)号:TW310441B

    公开(公告)日:1997-07-11

    申请号:TW084109655

    申请日:1995-09-15

    IPC: H01J

    CPC classification number: H01J3/022 H01J2201/319 H01J2329/00

    Abstract: 一種顯示裝置(10)置放諸射極(34,36,37,38,41,42,43,44,46,與47)成為距離一紆迴導體(26)等距離。紆迴導體(26)構成便利此種等距離置放之圖樣。此種等距離置放導致每一射極(34,36,37,38,41,42,43,44,46,與47)具有大約相等之鎮流電阻器值。

    Abstract in simplified Chinese: 一种显示设备(10)置放诸射极(34,36,37,38,41,42,43,44,46,与47)成为距离一纡回导体(26)等距离。纡回导体(26)构成便利此种等距离置放之图样。此种等距离置放导致每一射极(34,36,37,38,41,42,43,44,46,与47)具有大约相等之镇流电阻器值。

    垂直微電子場發射裝置及其製法
    147.
    发明专利
    垂直微電子場發射裝置及其製法 失效
    垂直微电子场发射设备及其制法

    公开(公告)号:TW216827B

    公开(公告)日:1993-12-01

    申请号:TW082101773

    申请日:1993-03-10

    Applicant: MCNC公司

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01J3/021 H01J1/3042 H01J9/025 H01J2201/319

    Abstract: 一種垂直延伸之微電子場射極具有一導電頂部及電阻底部於一延伸的縱列中,此縱列垂直自一水平基底上延伸。一射極形成於此縱列之底部,一汲極可形成於鄰近此縱列頂部附近之處。此延伸之縱列降低微電子場射極之寄生電容以提供高操作速率,且提供均勻的縱列對縱列的電阻值。此場射極可藉由形成第一尖端於基體之一表面而形成,其後環繞尖端而於基體中形成凹槽以於基體上形成縱列,且尖端位於縱列之頂部。此凹槽被充填以介質並有一導電層形成於此介質之上。凹槽亦可形成於基體之表面上且界定出位於基體中之縱列。其後將尖端形成於縱列之頂部。此凹槽被充填以介質且導電層形成於介質之上以形成汲極。

    Abstract in simplified Chinese: 一种垂直延伸之微电子场射极具有一导电顶部及电阻底部于一延伸的纵列中,此纵列垂直自一水平基底上延伸。一射极形成于此纵列之底部,一汲极可形成于邻近此纵列顶部附近之处。此延伸之纵列降低微电子场射极之寄生电容以提供高操作速率,且提供均匀的纵列对纵列的电阻值。此场射极可借由形成第一尖端于基体之一表面而形成,其后环绕尖端而于基体中形成凹槽以于基体上形成纵列,且尖端位于纵列之顶部。此凹槽被充填以介质并有一导电层形成于此介质之上。凹槽亦可形成于基体之表面上且界定出位于基体中之纵列。其后将尖端形成于纵列之顶部。此凹槽被充填以介质且导电层形成于介质之上以形成汲极。

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