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公开(公告)号：CN101370341A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810129767.9
申请日：2008-08-18
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H05B41/24
CPC classification number: H05B41/2858 , H05B41/2828
Abstract: 本发明提供公开一种放电管点亮装置。具有：基准电压部，其生成第1基准电压和第2基准电压，该第1基准电压和第2基准电压分别为，把放电管一端及另一端的端电压整流平滑后的电压通过一定的第1比率进行分压后的电压；检测电压部，其生成第1检测电压和第2检测电压，该第1检测电压和第2检测电压分别为，把放电管一端及另一端的端电压整流平滑后的电压通过一定的第2比率进行分压后的电压；第1判定部，其在第2检测电压相对于第1基准电压在预定范围外时，判断为负载为异常状态；以及第2判定部，其在第1检测电压相对于第2基准电压在预定范围外时，判断为负载为异常状态。
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公开(公告)号：CN100461604C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610136324.3
申请日：2006-10-16
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 中村胜
Abstract: 一种开关电源装置具有通过变压器的初级线圈与直流电源连接的开关元件，其中在该开关元件的端子之间存在寄生电容。由于该寄生电容，在回扫描周期之后在该开关元件的栅极出现自由振荡的电压(V4)。基于该自由振荡电压，该开关电源装置检测与该自由振荡的周期同步的时限，基于该检测时限输出触发信号(V10)，使用该触发信号估计在该自由振荡第二次达到底限电平时的底时限，输出与该底时限同步的导通起始信号(V9)，使用该导通起始信号输出导通控制信号来导通该开关元件，并且响应导通控制信号驱动该开关元件。
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公开(公告)号：CN100449694C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200580021019.3
申请日：2005-07-13
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明的氮化物半导体发光装置由硅衬底(1)、在其上配置的具有发光功能的主半导体区(3)及在主半导体区(3)上配置的p型半导体层(8)构成。主半导体区(3)由n型半导体层(6)、活性层(7)和p型半导体层(8)构成。透光性电极(10)由Ag合金构成。在透光性电极(10)的Ag合金中掺入了用以抑制氧化或硫化的添加元素。掺入了添加元素的Ag合金稳定性高且透光性及欧姆性优异。
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公开(公告)号：CN101331609A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680046922.X
申请日：2006-12-11
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 鸟居克行
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0615 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/41766 , H01L29/7397 , H01L29/7811
Abstract: 本发明涉及沟槽结构半导体装置。IGBT的半导体装置(1)具有内侧沟槽(2a)和外侧沟槽(2b)。与各沟槽(2a、2b)相邻地设置有发射极区域(3)。与发射极区域(3)以及各沟槽(2a、2b)相邻地设置P型基极区域(4)。与内侧沟槽(2a)相邻地设置第一N型基极区域(31)。与外侧沟槽(2b)和第一N型基极区域(31)相邻地设置杂质浓度比第一N型基极区域(31)低的第二N型基极区域(32)。在施加过电压时，在内侧沟槽(2a)的附近发生击穿，电流的集中被缓和，防止IGBT的破坏。
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公开(公告)号：CN100442644C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN03802685.6
申请日：2003-02-10
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M1/4208 , H02M1/36 , Y02B70/126
Abstract: 本发明是关于一种电源装置启动方法、电源装置的启动电路及电源装置，在接通交流电源(1)时，通过能量供给电路(64)将能量存储在后援电容器(63)中。然后，内部电源(65)将存储于电容器(63)中的能量提供给控制部(49)。由此，使功率因数改善电路(40-2)动作。如果功率因数改善电路(40-2)运转并输出规定的电压，则输出电压检测电路(67)检测该电压，使内部电源(66)导通。导通的内部电源(66)将电容器(63)的能量提供给控制部(56)，使直流-直流变换电路(50)运转。这样，在使功率因数改善电路(40-2)运转后，通过使直流-直流变换电路(50)运转，可以减小电容器(63)的容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100440702C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200480011241.0
申请日：2004-11-09
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 麻生真司
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33569 , H02M2001/342 , Y02B70/1491
Abstract: 一种直流转换装置，通过交互地开/关在变压器(T)的一次线圈(P1)上串联连接的主开关(Q1)和在变压器(T)的一次线圈(P1)的两端或者在主开关(Q1)的两端连接的，且由电容器(C2)以及辅助开关(Q2)组成的串联电路的辅助开关(Q2)，对在变压器(T)的二次线圈(S1)上产生的电压进行整流平滑，得到直流输出，具有在辅助开关(Q2)关断后检测从主开关(Q1)的最小电压到主开关(Q1)导通的时间的时间差检测电路(13)，和根据时间差检测电路(13)的输出延迟主开关(Q1)的导通时刻，控制所述主开关(Q1)在最小电压附近导通的第一延迟电路(14)。
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公开(公告)号：CN100438099C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510109799.9
申请日：2005-09-23
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/22 , H01L33/30 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: 在半导体发光元件(1)中，在窗口层(半导体层)(15)的上表面上形成具有圆柱形状且分散成岛状的多个凸台(16)以及凹陷(17)。在凸台(16)的上表面上形成接触电极(21)。在凹陷(17)中形成透明介质膜(22)。在透明介质膜(22)和接触电极(21)上形成透明导体膜(23)。
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公开(公告)号：CN100428509C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510112829.1
申请日：2005-10-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供可提高与p型GaN系化合物半导体接触的电极的各项特性的半导体发光元件及其制造方法。在与同MQW发光层(13)接触的p型GaN系化合物半导体(14)的主面(14a)对置的主面(14b)的表面，形成有由至少包含Ni的p型GaN系化合物半导体构成的第一区域(15)。在第一区域(15)的表面，形成有由Ni及Al所组成的合金来构成的电极(16)。在电极(16)上，形成有由Al或Au构成的外部连接用垫片电极(17)。
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公开(公告)号：CN100423427C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN02823998.9
申请日：2002-12-02
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33507 , H02M3/335 , H02M2001/0006
Abstract: DC-DC变换器具有经由变压器(2)在整流平滑电路(1)的一对输出端子(12、13)间连接的切换元件(3)。与切换元件(3)并联有共振用电容(5)。为了可将与变压器(2)连接的整流平滑电路(6)的输出电压Vo控制为一定，设置有用于控制切换元件(3)导通·截止的控制电路(7)。控制电路(7)中，设置有导通期间结束时刻确定电路、回扫电压产生期间检测电路和控制信号形成及模式切换电路。上述控制信号形成及模式切换电路中，设置有脉冲产生器和控制脉冲形成电路。控制脉冲形成电路具有形成切换元件(3)的控制脉冲的功能和切换切换元件(3)的控制模式的功能。控制模式由轻负载时的第一控制模式和重负载时的第二控制模式组成。
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