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    Alimentation de circuit électronique
    151.
    发明专利
    Alimentation de circuit électronique 未知

    公开(公告)号：FR3113777B1

    公开(公告)日：2024-12-13

    申请号：FR2008675

    申请日：2020-08-25

    Applicant: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS

    Inventor： DEMANGE NICOLAS ,  BORREL NICOLAS ,  FORT JIMMY

    IPC: H01L23/52 ,  H01L21/02 ,  H01L27/00

    Abstract: Alimentation de circuit électronique La présente description concerne un dispositif d'alimentation de circuit électronique, configuré pour : faire passer, dans un premier conducteur (251) connecté à un nœud (150), un premier courant (I1') image d'un deuxième courant (I2) consommé par le circuit électronique ; faire passer un troisième courant (I3) dans un deuxième conducteur connecté audit nœud, une première branche d'un miroir de courant (174) faisant passer le troisième courant ; faire passer un quatrième courant (I4) constant dans un troisième conducteur connecté audit nœud ; consommer un cinquième courant (I5) image du troisième courant ; et réguler un potentiel dudit nœud (150) en agissant sur un potentiel de grille d'un transistor (T210) électriquement en série avec une deuxième branche du miroir de courant. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    STRUCTURE DE PROTECTION D'UN CIRCUIT INTEGRE CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES
    153.
    发明专利
    STRUCTURE DE PROTECTION D'UN CIRCUIT INTEGRE CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES 未知

    公开(公告)号：FR3054722A1

    公开(公告)日：2018-02-02

    申请号：FR1657160

    申请日：2016-07-26

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： TAILLIET FRANCOIS

    IPC: H01L21/822 ,  H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H01L29/866

    Abstract: L'invention concerne un circuit intégré protégé contre des décharges électrostatiques comprenant au moins un plot d'entrée-sortie (PAD) et une borne (GND) destinée à être reliée une source d'un potentiel de référence et comprenant, en outre, une structure de protection (10) comprenant un thyristor (Thy) connecté en direct entre le plot et la borne, le thyristor comportant une première résistance (R6) entre sa gâchette de cathode et la borne ; et entre le thyristor et le plot, au moins une diode Zener (DZ), l'anode de la diode Zener étant connectée à la gâchette de cathode du thyristor et la cathode de la diode Zener étant reliée au plot par l'intermédiaire d'au moins une deuxième résistance (R1), la jonction de la diode Zener étant distincte des jonctions de la structure PNPN du thyristor.

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