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公开(公告)号：FR3051969A1
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：FR1654897
申请日：2016-05-31
Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS
Inventor： LA ROSA FRANCESCO , NIEL STEPHAN , REGNIER ARNAUD
IPC: H01L21/329 , H01L27/10 , H01L29/861
Abstract: Le procédé de fabrication de plusieurs diodes (D1, D2, D3) comprend une première implantation (10) de dopants d'un deuxième type de conductivité dans une première couche semiconductrice (5) ayant un premier type de conductivité située sur une couche isolante (3) recouvrant un substrat semiconducteur (1) et surmontée de régions saillantes mutuellement espacées (CGf), de façon à former une succession de jonctions PN formant lesdites diodes dans ladite première couche semiconductrice (5) s'étendant jusqu'à la couche isolante (3) en bordure des régions saillantes (bCGf).
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公开(公告)号：FR3050308A1
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：FR1653397
申请日：2016-04-18
Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS
Inventor： LA ROSA FRANCESCO , CAVALERI PAOLA
Abstract: Le procédé de commande d'au moins un circuit de pompe de charge comprend une génération d'un signal de commande (PUMPH) à partir d'un premier signal (Vpump/K) issu du signal de sortie (Vpump) du circuit de pompe de charge (4), d'un signal de référence (VREF) et d'un signal d'horloge (Clock). La génération du signal de commande comprend une comparaison dudit signal de référence (VREF) et dudit premier signal (Vpump/K) au rythme d'un signal de cadencement (SAMPLE) issu du signal d'horloge (Clock).
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公开(公告)号：FR3050307A1
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：FR1653396
申请日：2016-04-18
Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS , ST MICROELECTRONICS SRL
Inventor： LA ROSA FRANCESCO , ALIERI GINEUVE
IPC: G11C7/06 , G11C11/419 , G11C16/26
Abstract: Le circuit amplificateur de lecture comprend un cœur (10) comportant un première et une deuxième entrées (E1, E2) destinées à recevoir dans une phase de mesure un signal différentiel issu d'une première et d'une deuxième lignes de bits du dispositif de mémoire, et un élément mémoire à deux inverseurs couplés de façon croisée (INV1, INV2). Les deux entrées (E1, E2) sont respectivement connectées à deux (S21, S22) des nœuds d'alimentation des inverseurs via deux condensateurs dits de transfert (C5, C6), et des premiers moyens commandables (I1-I4) sont configurés pour rendre temporairement flottant l'élément mémoire (INV1, INV2) pendant une phase initiale précédant la phase de mesure et pendant la phase de mesure.
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公开(公告)号：FR3049380A1
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：FR1652445
申请日：2016-03-22
Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS
Inventor： LA ROSA FRANCESCO , NIEL STEPHAN , REGNIER ARNAUD
IPC: G11C16/04 , H01L27/115
Abstract: Le dispositif de mémoire non volatile comprend des cellules-mémoires (C3,j) comprenant chacune un transistor d'état (T3,j) sélectionnable possédant une grille flottante et une grille de commande (CG3). Le transistor d'état (T3,j) est du type à appauvrissement et avantageusement configuré pour présenter une tension de seuil de préférence négative lorsque la cellule-mémoire est dans un état vierge. On peut alors appliquer lors de la lecture de la cellule-mémoire, une tension de lecture nulle sur la grille de commande (CG3) ainsi que sur les grilles de commande des transistors d'états de toutes les cellules-mémoires du dispositif de mémoire.
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公开(公告)号：FR3025649B1
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：FR1458431
申请日：2014-09-09
Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS
Inventor： LA ROSA FRANCESCO , NIEL STEPHAN , REGNIER ARNAUD
IPC: G11C16/02 , H01L29/788
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3000842B1
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：FR1350133
申请日：2013-01-08
Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS
Inventor： BOIVIN PHILIPPE , LA ROSA FRANCESCO , DELALLEAU JULIEN
IPC: H01L29/732 , G11C11/21
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公开(公告)号：FR3030883A1
公开(公告)日：2016-06-24
申请号：FR1462642
申请日：2014-12-17
Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS
Inventor： REGNIER ARNAUD , MIRABEL JEAN-MICHEL , NIEL STEPHAN , LA ROSA FRANCESCO
IPC: H01L27/115 , G11C7/00 , G11C16/02 , H01L21/8247
Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire formée dans un substrat (SUB) semi-conducteur, comprenant une grille de sélection (SGC) s'étendant verticalement dans une tranchée (TR) pratiquée dans le substrat, et isolée du substrat par une première couche d'oxyde de grille (D3), une grille flottante (FG) horizontale s'étendant au-dessus du substrat et isolée du substrat par une seconde couche d'oxyde de grille (D1), et une grille de contrôle (CG) horizontale s'étendant au-dessus de la grille flottante, la grille de sélection (SGC) couvrant une face latérale de la grille flottante, la grille flottante étant séparée de la grille de sélection uniquement par la première couche d'oxyde de grille (D3), et séparée d'une région de canal verticale (CH2) s'étendant dans le substrat le long de la grille de sélection, uniquement par la seconde couche d'oxyde de grille.
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公开(公告)号：FR3017746B1
公开(公告)日：2016-05-27
申请号：FR1451297
申请日：2014-02-18
Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS
Inventor： MANTELLI MARC , NIEL STEPHAN , REGNIER ARNAUD , LA ROSA FRANCESCO , DELALLEAU JULIEN
IPC: H01L27/115 , H01L29/788
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公开(公告)号：FR3021804B1
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：FR1454891
申请日：2014-05-28
Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS
Inventor： LA ROSA FRANCESCO , NIEL STEPHAN , REGNIER ARNAUD
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公开(公告)号：FR3044818A1
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：FR1561730
申请日：2015-12-02
Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS , ST MICROELECTRONICS SRL
Inventor： LA ROSA FRANCESCO , ALIERI GINEUVE
Abstract: La mémoire non volatile est effaçable par page et équipée d'un mécanisme de redondance de lignes. En cas de détection d'une ligne défectueuse du plan mémoire, on effectue un stockage de l'adresse de la ligne dans un registre non volatil (RGVN2) et on affecte une ligne redondante (LGD) ayant une nouvelle adresse. En cas d'une tentative d'écriture de ladite ligne défectueuse (LG), on procède à une écriture de la ligne redondante. Lors d'une écriture de la ligne redondante, on effectue un chargement du nouveau contenu de ladite ligne redondante dans un moyen de mémoire volatil (MMV) et à l'issue d'une opération d'écriture de toute autre ligne du plan mémoire, un rechargement dudit nouveau contenu de ladite ligne redondante dans le moyen de mémoire volatil. Lors d'une commande de lecture de ladite ligne redondante, on effectue une lecture du moyen de mémoire volatil de façon à délivrer ledit nouveau contenu de ladite ligne redondante stocké dans ledit moyen de mémoire volatil.
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