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公开(公告)号：KR1019970049146A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950054529
申请日：1995-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03H1/26
Abstract: 본 발명은 결합형 이진 위상 홀로그램의 제조방법과 이를 이용한 보안 검색장치에 관한 것으로서, 그 특징은 소정 개수의 이진 위상 홀로그램을 결합하여 다중 위상 홀로그램을 형성하는 결합형 이진 위상 홀로그램에 있어서, 제1상대 위상이 0이고 제2상대 위상이 각각 소정의 간격을 두고 정해진 소정 개수의 이진 위상 홀로그램들이 정확하게 밀착 정렬되어 소정 개수의 위상을 갖는 다중 위상 홀로그램의 특성을 갖는 데에 있으므로, 홀로그램의 복사가 불가능하고 빛을 이용한 실시간으로 검색이 가능하여 안정하고 빠른 보안 검색장치가 가능하다는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970048860A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950054544
申请日：1995-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 투과광의 파장의 4분의 1의 두께를 가지는 적층거울을 이용한 광 강도 조절기에 관한 것으로서, 그 특징은 광 강도 조절기에 있어서, 빛을 이용한 정보 처리 장치에서 주어진 파장에 대해 투명하며 서로 다른 굴절율을 갖는 두 물질을 각각 그 물질 안에서 빛이 90도의 위상변화를 보이는 두께 즉, 빛이 사분의 일 파장 전진하는 거리만큼씩 교대로 쌓은 구조를 광창문의 앞에 배치하여 각 광창문마다 이 구조의 층의 수를 변화시켜 줌으로써 각 광창문에 입사되는 광 강도를 조절하는 것을 특징으로 하는 데에 있으므로, 본 발명은 첫째로 적층거울의 물리적 성질이 잘 알려져 있고 이를 쌓는 기술도 보편화되어 있으므로 정확하게 원하는 투과율(transmittance)을 얻을 수 있고, 둘째로 이 적층거울의 투과율과 반사율(reflectance)의 합이 늘 일정하므로 소자가 완성된 뒤에도 언제든지 반사율을 측정함으로써 비파괴적으로 투과율을 측정할 수 있으며, 셋째로 정보를 가진 빛의 일부가 반사되어 나오므로 이를 이용한 구도를 추가할 수 있고, 네째로 빛을 흡수하지 않으므로 흡수체를 쓴 경우에 비해 전체적인 열의 발생을 줄일 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970004486B1
公开(公告)日：1997-03-28
申请号：KR1019930026793
申请日：1993-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/34
Abstract: A shallow multiple quantum well structure of a compound semiconductor combined with a asymmetric Fabry-Perot cavity is provided which is constructed in such a manner that an AlAs layer having relatively low refractive index (n=2.98) and thickness of 72.1nm and an Al0.1Ga0.9As layer having relatively high refractive index (n=3.54) and thickness of 60.7nm are grown on a semi-insulating GaAs substrate 29 in 15 cycles, to form a AlAs/Al0.1Ga0.9As /4 lower stack layer 28 having a lower mirror layer of /4 reflective layer formed thereon, an N+ Al0.1Ga0.9As/GaAs(6nm/10nm) 27 having the thickness of 500nm serving as a contact layer and an undoped Al0.1Ga0.9As layer 26 having the thickness of 20nm serving as a buffer layer are grown on the lower stack layer 28, shallow multiple quantum wells of Al0.05Ga0.95As(6nm/10nm) multiple quantum well layers 25 are formed in 36 cycles on the buffer layer, an undoped Al0.1Ga0.9As layer 24 serving as a buffer layer is grown on the multiple quantum well layer 25 by the thickness of 20nm, and an upper mirror layer of p+ GaAs layer 23 is grown on the undoped Ga0.1Ga0.9As layer 24 by the thickness of 506.7nm as a p-type contact layer.
Abstract translation: 提供了与不对称法布里 - 珀罗腔结合的化合物半导体的浅多重量子阱结构，其以如下方式构造：具有相对较低折射率（n = 2.98）和72.1nm厚度的AlAs层和Al0。 在半绝缘GaAs衬底29上生长具有相对较高折射率（n = 3.54）和厚度为60.7nm的1Ga0.9As层，以形成具有AlAs / Al 0.1 Ga 0.9 As / 4的下层堆叠层28，Al 形成在其上的/ 4反射层的下镜面层，具有500nm厚度的N + Al 0.1 Ga 0.9 As / GaAs（6nm / 10nm）27用作接触层和具有厚度的未掺杂的Al 0.1 Ga 0.9 As层26 作为缓冲层的20nm生长在下堆叠层28上，在缓冲层，未掺杂的Al0上以36个周期形成Al 0.05 Ga 0.95 As（6nm / 10nm）多个量子阱层25的浅多个量子阱。 在多量子阱层上生长用作缓冲层的1Ga 0.9 As层24 r 25，厚度为20nm，p + GaAs层23的上镜面层在未掺杂的Ga0.1Ga0.9As层24上生长为厚度为506.7nm的p型接触层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960013974B1
公开(公告)日：1996-10-10
申请号：KR1019930026308
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04Q1/30
Abstract: The circuit comprises a signal divergence means(2), an address processing means(9), a path converting means(7) and a switch controlling means(10) for providing an operating pulse of the first or second level. The switch controlling means(10) includes two input ports, an optical filter combination means(2a), the first output port data frame abstraction means(11) having the second output port, the first and second multiple quantum well PIN diodes, and switch operating means(12).
Abstract translation: 电路包括信号发散装置（2），地址处理装置（9），路径转换装置（7）和用于提供第一或第二电平的操作脉冲的开关控制装置（10）。 开关控制装置（10）包括两个输入端口，滤光器组合装置（2a），具有第二输出端口的第一输出端口数据帧抽象装置（11），第一和第二多个量子阱PIN二极管以及开关 操作装置（12）。
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公开(公告)号：KR1019960013973B1
公开(公告)日：1996-10-10
申请号：KR1019930026306
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04Q1/30
Abstract: The circuit includes an optical amplifier(3) for amplifying and generating a divergent optical signal, an optical address processor(4) for processing address of an optical packet and a certain node, an switch control circuit(7) for transferring electric signal to optical switch(10) and generating an optical switch(10), a CW bias(12), a data frame extraction circuit(8), and a switch operation pulse generator(9).
Abstract translation: 该电路包括用于放大和产生发散光信号的光放大器（3），用于处理光分组和某个节点的地址的光地址处理器（4），用于将电信号传送到光信号的开关控制电路 开关（10）和产生光开关（10），CW偏压（12），数据帧提取电路（8）和开关操作脉冲发生器（9）。
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公开(公告)号：KR1019960026307A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940032652
申请日：1994-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/304 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 칼륨비소(GaAs)를 실리콘(Si)과 같이 초고집적도를 갖는 소자의 제작에 응용할 수 있도록 하기 위한 중요한 요소인 표면 경면처리를 행함에 있어 용액을 사용하여 평평한 표면을 유지할 수 있는 방법에 대한 것이다. 식각과 유황에의한 표면처리를 거치는 동안 물과 표면의 화학반응, 유황처리 시간들을 최적화 함으로써 표면이 나노미터급(nanometer-scale)의 평평도를 갖도록 하는 방법을 제안하였다.
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公开(公告)号：KR1019960019818A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940030898
申请日：1994-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
Abstract: 본 발명은 왜곡 성장층을 이용한 금속/반도체 접합 쇼트키 다이오드 광소자에 관한 것으로서 보다 상세하게는 화합물 반도체에서 전기광흡수효과를 갖는 다중양자우물(Multiple Quantum Well) 구조를 금속/반도체접합쇼트키다이오드의 중간층으로 사용하는 광소자에 관한 것이다. 특징적인 구성으로는 반 절연성 갈륨비소기판 위에 갈륨비소거울층과 알미늄비소거울층이 다수 주기적으로 성장되어 있고 그 위에 다시 n
+ 혹은 p
+ 반도체층이 성장되고 상기의 반도체층위에 전극 및 거울역할을 위한 쇼트키금속층을 성장시키기 위해 갈륨비소완충층을 성장시킨 금속/반도체접합 다이오드소자에 있어서, 상기 반도체층과 접합시 쇼트키 특성을 갖는 금속막사이의 중간층에 전기광흡수특성을 갖는 다중양자우물구조를 두어 금속층/다중양자층/반도체층으로 다이오드를 구성한 다이오드구조로 구성함에 있으며, 또한 상기 다이오드는 전극, 열전도 및 거울 역할을 하는 금속막과 다층 반도체막 거울 사이에 공명 및 비공명조건을 갖는 구조로 단 결정기판을 광학적 투명층으로 하기 위해 반도체 거울층 및 다이오드 구조층의 일부 혹 전부를 왜곡층으로 성장함에 있으며, 다이오드층이 성장된 기판의 반대면은 광학적 무반사막으로 처리하여 구성함에 있다.-
公开(公告)号：KR1019960019328A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940030899
申请日：1994-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 시료의 표면 개스처리장치에 관한 것으로 특히 초고진공내에서 수소분자를 뜨거워진 노즐에 충돌시켜 수소원자로 분리한 다음, 반도체나 금속의 표면에 높은 효율로 흡착시키는 효율을 극대화한 노즐을 이용한 수소원자의 표면흡착장치에 관한 것으로 전자빔 가속 방식을 직접적인 전기저항방식으로 바꾸어 구조를 단순화 하였고, 수소분자를 통과시켜 수소원자상태로 분리시켜 주는 노즐의 형태를 단순원통형에서 굴곡형상으로 개량하여 충돌율을 극대화 하였고, 노즐앞에 탄탈륨 카바를 부착하여 줌으로써 시료표면이 뜨거운 노즐의 방사열 때문에 가열되는 것을 방지하도록 한 것으로 수소분자가 흘러 들어와서 뜨거워진 노즐을 통해 수소원자로 분리되어 반도체나 금속으로 방출되도록 하는 수소원자방출부와 핵심부분인 노즐을 가열 하기 위한 전기적인 가열장치부와 상기 노즐로 부터의 방사열을 차단하기 위해 설치되는 탄탈륨 카바로 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.
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