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    음이온 교환막 기반 수전해 셀의 활성화 방법
    164.
    发明公开
    음이온 교환막 기반 수전해 셀의 활성화 방법 有权

    公开(公告)号：KR1020180128562A

    公开(公告)日：2018-12-04

    申请号：KR1020170063822

    申请日：2017-05-24

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 박현서 ,  장종현 ,  임아연 ,  조민경 ,  김형준 ,  유성종 ,  김진영 ,  이소영 ,  헨켄스마이어디억

    IPC: C25B15/00 ,  C25B9/10 ,  C25B13/08

    Abstract: 음이온 교환막 기반 수전해 셀의 활성화 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (a) 음이온 교환막 또는 막-전극 접합체를 수산화칼륨 용액에 담지하고, 증류수로 세척하는 단계; (b) 상기 음이온 교환막 또는 막-전극 접합체에 전압을 인가하여 V1에서 V2로 전위를 증가시키는 단계; (c) 상기 V2에서 1 내지 10 분 동안 유지하는 단계; 및 (d) 상기 V2에서 V1으로 전위를 감소시키는 단계;를 포함하되, 상기 V1은 1.0 내지 1.7 V 사이의 어느 한 전위이고, 상기 V2는 1.8 내지 3.0 V 사이의 어느 한 전위이며, 상기 (b) 내지 (d) 단계를 1 내지 30 회 반복하는 것을 특징으로 하는 음이온 교환막 기반 수전해 셀의 활성화 방법을 통하여 성능 및 내구성이 향상된 음이온 교환막 기반 수전해 셀을 제조하는 기술에 관한 것이다.

    변형된 저마늄을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자
    166.
    发明授权
    변형된 저마늄을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자 有权

    公开(公告)号：KR101889352B1

    公开(公告)日：2018-08-20

    申请号：KR1020160118034

    申请日：2016-09-13

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김형준 ,  김상현 ,  심재필 ,  김연수 ,  임희정

    IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

    CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/16

    Abstract: 반도체소자의제조방법은, 제1 기판상에, 저마늄(Ge)과비교하여격자상수의차이가미리설정된문턱값이하인물질로이루어진희생층을형성하는단계; 상기희생층상에저마늄(Ge) 층을형성하는단계; 제2 기판상에절연층을형성하는단계; 상기저마늄(Ge) 층을상기절연층상에접합하는단계; 및상기저마늄(Ge) 층이상기절연층에접합된상태에서, 상기희생층을식각함으로써상기희생층및 상기제1 기판을제거하는단계를포함한다. 상기반도체소자의제조방법에의하면, 에피택셜리프트오프(Epitaxial Lift-Off; ELO) 기법에의하여다양한표면방향을가진절연체상저마늄(Germanium-on-Insulator; GeOI) 구조를형성할수 있고, 희생층의격자상수를이용하여저마늄(Ge) 층에변형(strain)이가해지도록할 수있다. 또한, 상기반도체소자의제조방법에의할경우저마늄(Ge) 층의표면거칠기가낮아추가적인연마(polishing) 과정을필요로하지않으며, 저마늄(Ge) 층의두께를수 내지수십 nm 이하의얇은두께로제조할수 있고, 희생층성장에사용된기판은분리하여재사용할수 있다.

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