公开(公告)号：JP2006518672A

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：JP2004560864

申请日：2003-12-12

Applicant: アイシー メカニクス インコーポレイテッド

Inventor： カーリー エル．リチャード ,  サンタナン スレシュ ,  スー ユーヌー

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  G01P1/02 ,  G01P15/08 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

Abstract: シールされたキャビティ内にＭＥＭＳマイクロ構造体を作製するための方法が提供される。 本方法によれば、エッチャントの入口孔が、そうしたエッチャント入口孔をキャップ層にエッチング加工する追加段階を要すること無く、前記作製方法の副産物として創出される。 本方法には、犠牲層の材料をキャップ層の水平方向境界部分を越えて伸延させることが含まれる。 キャップ層は、犠牲層を貫いてエッチング除去された孔に付着されることにより形成したピラーによって支持され、エッチャントの入口孔が、余分の犠牲層材料をエッチング除去することにより前記キャップ層を支持するピラー間に空間が残されることにより形成される。

公开(公告)号：JP2005520694A

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：JP2003568475

申请日：2002-04-29

Applicant: イリディグム ディスプレイ コーポレイション

Inventor： マーク ダブリュ ミルズ

IPC: G02B26/08 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2203/0136

Abstract: 本発明は、ＭＥＭＳ装置の製造に使用することができるマイクロ製作方法を提供する。 本発明による方法は、基層(100)の上に１つ層又は積み重ね層を堆積させる工程を有する。 １つの層又は積み重ね層の一番上の層は犠牲層(102)である。 本発明による方法は、更に、１つ層又は積み重ね層にパターンを形成し、基層を露出させる少なくとも１つの貫通孔を１つ層又は積み重ね層に形成する工程と、１つの層又は積み重ね層の上に光感知層(106)を堆積させる工程と、少なくとも１つの貫通孔から光を通し、光感知層を露出させる工程とを有している。

公开(公告)号：JP2005502481A

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：JP2003527792

申请日：2002-08-29

Applicant: シリコン・ライト・マシーンズ

Inventor： ブルナー，マイク

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  H01L21/46 ,  H02N1/00 ,  H03H9/24

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0735

Abstract: 本発明は、カプセル封入されたリリース構造体、その中間物、及びそれらの製作方法を提供する。 多層構造は、キャッピング層(211)を有し、その層(211)は好適には酸化シリコン及び／又は窒化シリコンからなり、耐エッチング基板(203)の上に形成される。 好適には窒化シリコンからなるパターン形成された装置層(206)が、好適にはポリシリコンからなる犠牲材料(205,209)内に埋め込まれ、耐エッチング基板(203)とキャッピング層(211)との間に配置される。 アクセストレンチまたはアクセス穴(219)がキャッピング層(211)内へ形成され、犠牲材料(205,209)がアクセストレンチ(219)を介して選択的にエッチングされ、装置層(206)の一部が犠牲材料(205,209)からリリース(解放)される。 エッチャントは好適には、フッ化希ガスNgF
2X （この場合、Ng = Xe、Kr、又はArであり、x =１、２、又は3）からなる。 その犠牲材料(205,209)をエッチングした後、アクセストレンチ(219)が封止され、耐エッチング基板(203)とキャッピング層(211)との間にある装置層(206)のリリースされた部分がカプセル封入(241)される。 本発明は、MEMS装置、マルチキャビティ装置、及び複数のリリース機構を有する装置を製作するために特に有用である。
【選択図】図３ｂ

公开(公告)号：JP2004507880A

公开(公告)日：2004-03-11

申请号：JP2001577585

申请日：2001-04-17

Applicant: ザ ペン ステイト リサーチ ファンデーション

Inventor： アリ・カーン・カルカン ,  ウック・ジュン・ナム ,  キューフワン・チャン ,  サングーン・バエ ,  スティーヴン・ジェイ・フォウナッシュ ,  ダン・ヘイズ ,  ヤンチュール・リー

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L21/306 ,  H01M8/02

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81C99/008 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0127 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511

Abstract: 本発明は、分離、リリース層、犠牲材用の応用のために体積に対して大きな表面の材料を用いる。 この発明では、材料の構想、応用物の設計、作製形態を概説する。 本発明は、堆積された柱状ボイド・ネットワーク材料を体積に対して大きな表面の材料として用いて論証を行う。 多数の具体的な応用において、母材上の積層体状に構造体を生成し、分離層の材料アプローチを用いて、この積層体を本分離法を用いて母材から分離することが有利であることが示された。 また、本材料は、優れたリリース層の用途を有している。 多数の具体的な応用において、本アプローチが、キャビティ、チャンネル、エア・ギャップ、及び種々の基板上又は中における関連する構造体の独特の作製を可能にすることが示された。 さらに、キャビティ形成法を積層体形成法と組み合わせることが可能かつ好都合であることが実証された。

公开(公告)号：JP6360205B2

公开(公告)日：2018-07-18

申请号：JP2016573545

申请日：2014-06-16

Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフト ,  EPCOS AG

Inventor： ヘン, グドルン ,  ギーセン, マルセル ,  デン デッカー, アルノルダス ,  ポーニン, ジャン−ルイ ,  サン−パトリス, ダミエン ,  レイ, ブルーノ

IPC: B81C1/00 ,  H01L23/02 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B7/0041 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

公开(公告)号：JP2016538712A

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：JP2016519987

申请日：2014-09-24

Applicant: キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドCavendish Kinetics, Inc. ,  キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドCavendish Kinetics, Inc.

Inventor： ミカエル・ルノー ,  ビクラム・ジョシ ,  ロベルトゥス・ペトルス・ファン・カンペン ,  トーマス・エル・マグワイア ,  リチャード・エル・ナイプ

IPC: H01G5/16 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/16 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00166 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0109 ,  H01G5/011 ,  H01H59/0009

Abstract: 本発明は、一般に、MEMSデバイス及びその製造方法に関する。RF電極及び従ってその上の誘電体層は、可動板の底面の接触領域に実質的に一致する湾曲した上面を有する。そのような可動板は、誘電体層との良好な接触を有することができ、従って、良好な静電容量が達成される。

Abstract translation: 本发明一般涉及一种MEMS器件及其制造方法。 RF电极并在其上，因此介电层，其具有基本上与可动板的底面的接触面积相匹配的弯曲的上表面。 这种可移动板可以具有与电介质层，因此，优良的电容实现良好的接触。

公开(公告)号：JP2013151057A

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：JP2013010529

申请日：2013-01-23

Applicant: Robert Bosch Gmbh ,  ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： BENZEL HUBERT ,  ARMBRUSTER SIMON ,  SCHELLING CHRISTOPH ,  HOECHST ARNIM ,  FEYH ANDO

IPC: B81C1/00 ,  G01K7/01 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/0109 ,  G01J5/06 ,  G01J5/20

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sensor having a substrate, at least one sensor element which has an electric characteristic with a value varying depending on temperature and which is micro-structured, and at least one diaphragm located above a cavity, particularly a sensor for detecting spatial resolution.SOLUTION: At least one sensor element 35 is disposed on a lower surface of at least one diaphragm 36.1, and the sensor element 35 is in contact therewith via a track 48 extended to an inside, an upper part, or a lower part of the diaphragm 36.1. In particular, a plurality of sensor elements can be formed as diode pixels in an epitaxial layer of single crystal. In the diaphragm 36.1, a suspension spring may be formed to house individual sensor element 35 in an elastic and insulating manner.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有基板的传感器，至少一个传感器元件，其具有根据温度变化的并且是微结构的值的电特性，以及位于空腔上方的至少一个隔膜，特别是传感器 用于检测空间分辨率。解决方案：至少一个传感器元件35设置在至少一个隔膜36.1的下表面上，并且传感器元件35经由延伸到内部，上部或 隔膜36.1的下部。 特别地，可以在单晶的外延层中形成多个传感器元件作为二极管像素。 在隔膜36.1中，可以形成悬挂弹簧以以弹性和绝缘的方式容纳各个传感器元件35。

公开(公告)号：JPWO2010100861A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：JP2011502625

申请日：2010-02-23

Applicant: 株式会社日立メディコ

Inventor： 俊太郎 町田 ,  俊太郎 町田 ,  小林　孝 ,  小林　　孝

IPC: H04R19/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84 ,  H04R31/00

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00214 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0109 ,  C09K13/00 ,  C23F4/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/84 ,  Y10T29/49156

Abstract: 容量検出型超音波トランスデューサ(CMUT)において、超音波トランスデューサの下部電極への電気接続を、下部電極の下面から行っても、空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さの不均一性や、さらには、メンブレンの表面形状の平坦性の劣化も抑制できる技術を提供する。下部電極306と、下部電極の下面から下部電極へ接続する電気接続部304と、下部電極を覆うように形成された第1絶縁膜と、第1絶縁膜上に、上面から見て、下部電極と重なるように形成された空洞部308と、空洞部308を覆うように形成された第2絶縁膜と、第2絶縁膜上に、上面から見て、空洞部308と重なるように形成された上部電極310とを備えた超音波トランスデューサにおいて、下部電極306への電気接続部304が空洞部308と、上面から見て、重ならない配置とする。

公开(公告)号：JP5009505B2

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：JP2005059514

申请日：2005-03-03

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： ヘヒスト アルニム ,  アルトマン ハンス ,  フィッシャー フランク ,  ゴンスカ ユリアン ,  メッツガー ラルス

IPC: B81B3/00 ,  G01L9/00 ,  B81C1/00 ,  G01J1/02 ,  G01L7/08 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B7/0029 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0338 ,  B81C2201/0109

公开(公告)号：JP4787412B2

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：JP2000610052

申请日：2000-03-27

Applicant: シチズンホールディングス株式会社

Inventor： 昌史 井出 ,  俊之 鮫島

IPC: H01L21/3065 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/764 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/764 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0109