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    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement
    165.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement 有权
    一种用于制造半导体器件的工艺，以及根据半导体器件的方法制造的材料

    公开(公告)号：EP1810947A2

    公开(公告)日：2007-07-25

    申请号：EP07107755.6

    申请日：2001-04-20

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： Benzel, Hubert ,  Weber, Heribert ,  Artmann, Hans ,  Schaefer, Frank

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/306

    CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0115 ,  G01L9/0045 ,  H01L21/3063

    Abstract: Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100; ...; 2200), insbesondere ein mehrschichtiges Halbleiterbauelement, vorzugsweise ein mikromechanisches Bauelement, wie insbesondere ein Drucksensor, das ein Halbleitersubstrat (101) aufweist, wie insbesondere aus Silizium, und von einem verfahrensgemäß hergestellten Halbleiterbauelement.
    Insbesondere zur Reduzierung der Herstellungskosten eines solchen Halbleiterbauelements wird vorgeschlagen, das Verfahren dahingehend weiterzubilden, daß in einem ersten Schritt eine erste poröse Schicht (104; 1001; 1301) in dem Halbleiterbauelement gebildet wird, und daß in einem zweiten Schritt ein Hohlraum bzw. eine Kaverne (201; 1101; 1201; 1401; 2101; 2201) unter oder aus der ersten porösen Schicht (104; 1001; 1301) in dem Halbleiterbauelement gebildet wird, wobei der Hohlraum bzw. die Kaverne mit einer externen Zugangsöffnung versehen sein kann.

    Abstract translation: 多层半导体电路（100）具有由硅构成的基片（101）。 的第一多孔层（104）在所述基板的顶表面的中央部形成。 空腔可根据本多孔层形成，并且所述腔体可以具有外部开口，以提供接入。 的第二多孔层（105）可在第一下形成，具有较大孔。 掩蔽层（102）可以上一左一右或围绕所述多孔层形成。

    Method for forming macropores in a layer and products obtained thereof
    167.
    发明公开
    Method for forming macropores in a layer and products obtained thereof 审中-公开
    Herstellungsverfahren von Makroporen在einer Schicht

    公开(公告)号：EP1560263A2

    公开(公告)日：2005-08-03

    申请号：EP05447014.1

    申请日：2005-02-02

    Applicant: INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC)

    Inventor： Bearda, Twan ,  Kunnen, Eddy

    IPC: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/762

    CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81B1/002 ,  B81C2201/0115 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L33/22 ,  Y10S438/96

    Abstract: The present invention discloses a method for forming macropores in a substrate. On a substrate a pattern of submicron features is formed. This pattern is covered with a layer, which is preferably selectively removable with respect to the substrate and the submicron features. This cover layer is removed until the submicron features are exposed. The submicron features are then etched selectively to the cover layer, thereby creating a pattern of submicron openings in this cover layer. The patterned cover layer is used as a hardmask to etch macropores in the substrate.

    Abstract translation: 本发明公开了一种在基材中形成大孔的方法。 在衬底上形成亚微米特征图案。 该图案覆盖有优选地相对于衬底和亚微米特征可选地可移除的层。 去除该覆盖层直到亚微米特征暴露。 然后将亚微米特征选择性地蚀刻到覆盖层，从而在该覆盖层中产生亚微米开口的图案。 图案化覆盖层用作硬掩模来蚀刻基底中的大孔。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS SOWIE HALBLEITERBAUELEMENT, INSBESONDERE MEMBRANSENSOR
    168.
    发明公开
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS SOWIE HALBLEITERBAUELEMENT, INSBESONDERE MEMBRANSENSOR 有权
    半导体部件，特别是干簧管传感器，及其制造方法

    公开(公告)号：EP1423330A2

    公开(公告)日：2004-06-02

    申请号：EP02754435.2

    申请日：2002-07-25

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  ARTMANN, Hans ,  PANNEK, Thorsten ,  SCHAFER, Frank

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

    Abstract: The invention relates to a method for producing a semiconductor component comprising a semiconductor carrier (1). In order to form self-supporting structures (3) for a component, a flat porous membrane layer (3) and a cavity (2) beneath the porous membrane layer are produced. The aim of the invention is to avoid damaging the membrane during the production or in the event of regular use. This aim can be achieved in various ways. In a first embodiment, the semiconductor carrier (1) receives a different doping in the membrane region compared to the cavity, enabling different pore sizes and/or porosities to be produced, which can be used for improved etching gas transport during the production of the cavity. The aim of the invention can also be achieved, however, by producing mesopores in the membrane region and nanopores in the later cavity region, as auxiliary structures. The invention also relates to a semiconductor component which is based on one or a plurality of said methods.

    Verfahren zur Herstellung einer Membransensoreinheit sowie Membransensoreinheit
    170.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung einer Membransensoreinheit sowie Membransensoreinheit 有权

    公开(公告)号：EP1306348A1

    公开(公告)日：2003-05-02

    申请号：EP01125193.1

    申请日：2001-10-24

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： Artmann, Hans ,  Pannek, Thorsten

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81C1/0069 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Membransensoreinheit mit einem Halbleitermaterialträger (2) vorgeschlagen, bei welchem für die Ausbildung von Sensorelementstrukturen für wenigstens einen Sensor eine flächige Membran (8) und eine Isolationswanne (10) zur thermischen Isolierung unter der Membran erzeugt wird. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Herstellung von Membransensoren, die sich auch für Membransensor-Arrays eignen, zu vereinfachen. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass der Träger (2) aus Halbleitermaterial in einem vorgegebenen Bereich, der Sensorelementstrukturen definiert, eine zum umgebenden Halbleitermaterial gezielt unterschiedliche Dotierung erhält, dass aus Halbleitermaterialabschnitten zwischen den durch Dotierung ausgezeichneten Bereichen poröses Halbleitermaterial erzeugt wird und dass das Halbleitermaterial im Wannenbereich (10) unter dem porösiziertem Halbleiter und Teilen der Sensorelementstruktur entfernt und/oder porösiziert wird. Im Weiteren wird eine insbesondere nach diesem Verfahren hergestellte Membransensoreinheit vorgeschlagen.

    Abstract translation: 半导体衬底（2）的给定区域限定了传感器元件的结构。 与周围的半导体区域相比，该区域被有意地掺杂。 由掺杂区域的区域之间的半导体形成多孔半导体材料（5）。 移动和/或制造多孔的材料下面的槽（10）中的半导体被制成多孔和传感器元件结构的部分。 相应的传感器单元包括独立声明。

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