一种单模光纤及其制造方法

    公开(公告)号:CN103323908B

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201310244347.6

    申请日:2013-06-19

    Abstract: 本发明涉及一种单模光纤及其制造方法。包括有芯层和包层,其特征在于芯层直径a为9.9~10.9微米,Δ1为2.1×10-3~3.8×10-3,芯层外的包层从内到外依次为内包层、下陷包层和外包层,内包层直径b为16~22微米,Δ2为-5×10-4~5×10-4,下陷包层直径c为24~38微米,Δ3为-15×10-3~-3×10-3,下陷包层的宽度为4~11微米。本发明使光纤具有等于或大于110μm2的有效面积,能够有效降低传输光纤中的非线性效应。本发明的截止波长、弯曲损耗、色散等综合性能参数在应用波段良好,以保证该类光纤在C波段传输应用中光信号的单模状态。合理控制了光纤芯层的尺寸,从而有效降低了光纤的制造成本,在光纤制造成本和光纤性能参数两方面有较好的平衡。

    一种光纤及其制造方法
    169.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102654602B

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201210138617.0

    申请日:2012-05-08

    Abstract: 本发明涉及一种光纤及其制造方法,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层平均折射率n1、包层折射率n2和纯二氧化硅折射率n0,满足n1=(0.997~1.0012)*n0,n2=n1-(0.0025~0.0045)*n0;所述的芯层为掺碱金属离子芯层或非掺碱金属离子芯层,所述的包层由掺氟、氯和含羟基的二氧化硅基材料构成;并且包层和芯层材料掺氟浓度差△[F]、芯层和包层材料羟基浓度差△[OH]、芯层和包层材料掺氯浓度差△[Cl]和芯层材料掺碱金属离子浓度之和[M],满足△[F]-△[Cl]-300×[M]-150000×△[OH]≤0.8mol%。本发明通过掺杂组分和浓度差的控制使得光纤芯层和包层材料的高温粘度匹配,获得瑞利散射衰减降低的单模光纤,光纤的散射系数降低到≤0.85,使光纤的传输损耗得到有效的降低。

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