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    171.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2984553A1

    公开(公告)日：2013-06-21

    申请号：FR1161673

    申请日：2011-12-15

    Applicant: PROTON WORLD INT NV ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： MARINET FABRICE ,  MODAVE JEAN-LOUIS ,  VAN ASSCHE GILLES ,  VAN KEER RONNY

    IPC: G06F11/14 ,  G06F21/88

    Abstract: The disclosure concerns a method implemented by a processing device. The method includes performing a first execution by the processing device of a computing function based on one or more initial parameters stored in a first memory device. The execution of the computing function generates one or more modified values of at least one of the initial parameters, wherein during the first execution the one or more initial parameters are read from the first memory device and the one or more modified values are stored in a second memory device. The method also includes performing a second execution by the processing device of the computing function based on the one or more initial parameters stored in the first memory device.

    DISPOSITIF MECANIQUE DE COMMUTATION ELECTRIQUE INTEGRE POSSEDANT UN ETAT BLOQUE
    173.
    发明专利
    DISPOSITIF MECANIQUE DE COMMUTATION ELECTRIQUE INTEGRE POSSEDANT UN ETAT BLOQUE 未知

    公开(公告)号：FR2984013A1

    公开(公告)日：2013-06-14

    申请号：FR1161410

    申请日：2011-12-09

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： DI-GIACOMO ANTONIO ,  RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL

    IPC: H01L37/00

    Abstract: Circuit intégré, comprenant au dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante, qui comprend en outre au sein de ladite partie, un dispositif mécanique de commutation électrique (CMT) comportant dans un logement (LG) au moins un premier ensemble thermiquement déformable (ENS1) incluant une poutre (PTR) maintenue en au moins deux endroits différents par au moins deux bras (BR1A, BR1B) solidaires de bords (BDA, BDB) du logement, la poutre et les bras étant métalliques et situés au sein d'un même premier niveau de métallisation, et un corps électriquement conducteur (CPS), ledit premier ensemble (ENS1) ayant au moins une première configuration lorsqu'il a une première température et une deuxième configuration lorsqu'au moins un des bras a une deuxième température différente de la première température, la poutre (PTR) étant à distance dudit corps (CPS) dans l'une des configurations et en contact avec ledit corps et immobilisée par ledit corps (CPS) dans l'autre configuration de façon à pouvoir établir ou interdire une liaison électrique passant par ledit corps et par ladite poutre, ledit premier ensemble étant activable pour passer d'une des configurations à une autre.

    OPTIMISATION DE LA VITESSE DE TRAITEMENT PAR UN TRANSPONDEUR ELECTROMAGNETIQUE
    177.
    发明专利
    OPTIMISATION DE LA VITESSE DE TRAITEMENT PAR UN TRANSPONDEUR ELECTROMAGNETIQUE 未知

    公开(公告)号：FR2980608A1

    公开(公告)日：2013-03-29

    申请号：FR1158667

    申请日：2011-09-28

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： WUIDART LUC

    IPC: G06K17/00 ,  G06F9/06 ,  H04B1/59

    Abstract: L'invention concerne un procédé de réglage de la fréquence d'horloge d'une unité de traitement d'un transpondeur électromagnétique, dans lequel un rapport (r) entre des informations, représentatives d'une tension aux bornes d'un circuit oscillant du transpondeur et obtenues pour deux valeurs (R20, R21) de charge résistive, est comparé à l'unité pour décider d'une éventuelle augmentation ou diminution de la fréquence d'horloge de l'unité de traitement

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A NANOCRISTAUX
    178.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A NANOCRISTAUX 未知

    公开(公告)号：FR2978294A1

    公开(公告)日：2013-01-25

    申请号：FR1156606

    申请日：2011-07-21

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： BOIVIN PHILIPPE

    IPC: H01L21/335 ,  G11C16/02 ,  H01L21/8247

    Abstract: Procédé de fabrication d'un transistor, comprenant la formation de régions de source (22) et de drain (23) dans un substrat (21), et d'une grille flottante (25) comprenant des nanoparticules (32) électriquement conductrices aptes à accumuler des charges électriques, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - désoxydation d'une partie de la grille flottante (25) située du côté de la source (22) ; - oxydation de l'espace (28) résultant de la désoxydation précédente pour former une couche isolante (31) du côté de la source (22).

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