公开(公告)号：FR2988712B1

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：FR1252988

申请日：2012-04-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： DI-GIACOMO ANTONIO

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01B21/00

公开(公告)号：FR3006808B1

公开(公告)日：2015-05-29

申请号：FR1355221

申请日：2013-06-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  DI-GIACOMO ANTONIO ,  ARRAZAT BRICE

IPC: H01L27/02 ,  B81B3/00 ,  H01L23/58 ,  H01L27/24

公开(公告)号：FR3000841A1

公开(公告)日：2014-07-11

申请号：FR1350161

申请日：2013-01-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： DI-GIACOMO ANTONIO

IPC: H01L23/10

Abstract: Le circuit intégré comprend au dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante. Il comprend en outre au sein de ladite partie, un logement (LGT) dont les parois comportent des portions métalliques réalisées au sein de différents niveaux de métallisation, un dispositif métallique logé dans le logement, au moins une ouverture (OUV) ménagée dans au moins une paroi (PLG) du logement, un moyen (PLQ) externe audit logement configuré pour former un obstacle à une diffusion de fluide hors du logement au travers de ladite au moins une ouverture, et au moins une métallisation (3) traversant ledit moyen externe (PLQ) et pénétrant dans le logement à travers ladite ouverture (OUV) à distance des bords de l'ouverture et venant contacter au moins un élément du dispositif métallique (DIS).

公开(公告)号：FR2984013B1

公开(公告)日：2014-01-10

申请号：FR1161410

申请日：2011-12-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： DI-GIACOMO ANTONIO ,  RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L37/00

公开(公告)号：FR2984009B1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：FR1161407

申请日：2011-12-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  RIVERO CHRISTIAN ,  DI-GIACOMO ANTONIO

IPC: H01L27/00 ,  H01H1/00 ,  H01L23/34 ,  H01L37/00 ,  H03K17/94

公开(公告)号：FR2984013A1

公开(公告)日：2013-06-14

申请号：FR1161410

申请日：2011-12-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： DI-GIACOMO ANTONIO ,  RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L37/00

Abstract: Circuit intégré, comprenant au dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante, qui comprend en outre au sein de ladite partie, un dispositif mécanique de commutation électrique (CMT) comportant dans un logement (LG) au moins un premier ensemble thermiquement déformable (ENS1) incluant une poutre (PTR) maintenue en au moins deux endroits différents par au moins deux bras (BR1A, BR1B) solidaires de bords (BDA, BDB) du logement, la poutre et les bras étant métalliques et situés au sein d'un même premier niveau de métallisation, et un corps électriquement conducteur (CPS), ledit premier ensemble (ENS1) ayant au moins une première configuration lorsqu'il a une première température et une deuxième configuration lorsqu'au moins un des bras a une deuxième température différente de la première température, la poutre (PTR) étant à distance dudit corps (CPS) dans l'une des configurations et en contact avec ledit corps et immobilisée par ledit corps (CPS) dans l'autre configuration de façon à pouvoir établir ou interdire une liaison électrique passant par ledit corps et par ladite poutre, ledit premier ensemble étant activable pour passer d'une des configurations à une autre.

公开(公告)号：FR3006808A1

公开(公告)日：2014-12-12

申请号：FR1355221

申请日：2013-06-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  DI-GIACOMO ANTONIO ,  ARRAZAT BRICE

IPC: H01L27/02 ,  B81B3/00 ,  H01L23/58 ,  H01L27/24

Abstract: Le circuit intégré comprend au dessus d'un substrat une partie d'interconnexion (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante. Le circuit intégré comprend en outre au sein de ladite partie d'interconnexion, un dispositif de commutation électriquement activable (DIS) comportant dans une cavité d'un logement (LGT) un ensemble (1) incluant une poutre (PTR) maintenue par une structure (STR) solidaire du logement, la poutre et la structure étant métalliques et situées au sein d'un même niveau de métallisation, les emplacements de fixation (EMP11-EMP22) de la structure sur la poutre étant agencés de façon à définir pour la poutre un point de pivot (O) situé entre ces emplacements de fixation, la structure étant sensiblement symétrique par rapport à la poutre et par rapport à un plan perpendiculaire à la poutre en l'absence d'une différence de potentiel appliquée sur la structure, ladite poutre étant apte à pivoter dans un premier sens en présence d'une première différence de potentiel appliquée entre une première partie (BR11, BR22) de la structure et à pivoter dans un deuxième sens en présence d'une deuxième différence de potentiel appliquée entre une deuxième partie (BR12, BR21) de la structure.

公开(公告)号：FR2984010B1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：FR1161408

申请日：2011-12-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  DI-GIACOMO ANTONIO

IPC: H01L27/00

公开(公告)号：FR2988712A1

公开(公告)日：2013-10-04

申请号：FR1252988

申请日：2012-04-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： DI-GIACOMO ANTONIO

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01B21/00

Abstract: Le circuit intégré comprend au sein de ladite partie d'interconnexion « BEOL » (RITX), au moins un dispositif mécanique (DIS) de détection d'orientation spatiale et/ou de changement d'orientation du circuit intégré comprenant un logement (CV) dont les parois comportent des portions métalliques réalisées au sein de différents niveaux de métallisation, une pièce métallique (1) logée dans ledit logement et mobile à l'intérieur du logement, des moyens de contrôle (PLR) définissant à l'intérieur du logement une zone d'évolution (ZV) pour la pièce métallique et comportant au moins deux éléments électriquement conducteurs (PLR) disposés en bordure de ladite zone d'évolution, ladite pièce (1) étant configurée pour, sous l'action de la gravité, venir en contact avec lesdits au moins deux éléments électriquement conducteurs (PLR) en réponse à au moins une orientation spatiale donnée du circuit intégré, et des moyens (MDT) de détection d'une liaison électrique passant par ladite pièce et lesdits au moins deux éléments électriquement conducteurs.

公开(公告)号：FR2984010A1

公开(公告)日：2013-06-14

申请号：FR1161408

申请日：2011-12-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  DI-GIACOMO ANTONIO

IPC: H01L27/00

Abstract: Circuit intégré, comprenant au dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante, qui comprend en outre au sein de ladite partie, un dispositif capacitif ayant une valeur capacitive thermiquement variable (CMT) comportant dans un logement (LG) un ensemble thermiquement déformable (ENS1) incluant une poutre (PTR) maintenue en au moins deux endroits différents par au moins deux bras (BR1A, BR1B) solidaires de bords (BDA, BDB) du logement, la poutre et les bras étant métalliques et situés au sein d'un même niveau de métallisation, et un corps fixe électriquement conducteur (BTA), une partie dudit ensemble thermiquement déformable formant une première électrode du dispositif capacitif et une partie dudit corps fixe formant une deuxième électrode du dispositif capacitif, ledit ensemble (ENS1) ayant différentes configurations correspondant respectivement à différentes températures dudit ensemble et à différentes distances séparant les deux électrodes de façon à conférer respectivement différentes valeurs capacitives au dispositif capacitif, ledit ensemble étant activable pour passer d'une configuration à une autre.