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    FILTRE PLASMONIQUE
    171.
    发明专利
    FILTRE PLASMONIQUE 未知

    公开(公告)号：FR3044431A1

    公开(公告)日：2017-06-02

    申请号：FR1561454

    申请日：2015-11-27

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： GIRARD DESPROLET ROMAIN ,  LHOSTIS SANDRINE ,  BOUTAMI SALIM

    IPC: G02F1/01

    Abstract: L'invention concerne un filtre plasmonique (1) passe-haut dans l'infrarouge comprenant, à travers une couche de cuivre (3) intercalée entre deux couches d'un matériau diélectrique, une matrice de motifs (9) en le matériau diélectrique, chaque motif étant en forme de croix grecque, les bras (11, 13) de motifs adjacents étant colinéaires, le rapport de la largeur (B) sur la longueur (A) de chaque bras étant compris entre 0,3 et 0,6, et la distance (D) séparant les extrémités en vis-à-vis de bras de motifs adjacents étant inférieure à 10 nm.

    CAPTEUR D'IMAGE A DIAPHOTIE SPECTRALE ET OPTIQUE REDUITE
    172.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGE A DIAPHOTIE SPECTRALE ET OPTIQUE REDUITE 未知

    公开(公告)号：FR3040536A1

    公开(公告)日：2017-03-03

    申请号：FR1557884

    申请日：2015-08-24

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： CROCHERIE AXEL ,  MARTY MICHEL ,  HUGUENIN JEAN-LUC ,  JOUAN SEBASTIEN

    IPC: H01L27/146

    Abstract: Capteur d'image intégré comprenant des pixels adjacents, chaque pixel (5) comportant une région active semi-conductrice (7) contenant une photodiode (8), une couche antireflet (13) au dessus de la photodiode (8), une région diélectrique (14,15) au dessus de la couche antireflet et un filtre optique (19) destiné à laisser passer un rayonnement lumineux incident (25) ayant une longueur d'onde donnée. La couche antireflet (13) comprend un réseau de plots (24) mutuellement séparés par un matériau diélectrique (14) de ladite région diélectrique, ledit réseau étant configuré pour permettre à la fois une transmission dudit rayonnement lumineux incident et une diffraction du rayonnement lumineux incident (25) produisant des rayonnements diffractés ayant des longueurs d'ondes inférieures à celle du rayonnement incident et atténués par rapport au rayonnement incident.

    CELLULE MEMOIRE RESISTIVE AYANT UNE STRUCTURE COMPACTE
    174.
    发明专利
    CELLULE MEMOIRE RESISTIVE AYANT UNE STRUCTURE COMPACTE 未知

    公开(公告)号：FR3038132A1

    公开(公告)日：2016-12-30

    申请号：FR1555732

    申请日：2015-06-23

    Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： BOIVIN PHILIPPE ,  JEANNOT SIMON

    IPC: H01L27/108 ,  G11C7/18

    Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire formée dans une plaquette comprenant un substrat semi-conducteur (SUB) recouvert d'une première couche isolante (IL), la couche isolante étant recouverte d'une couche active (AL) en un matériau semi-conducteur, la cellule mémoire comprenant un transistor de sélection (ST) ayant une grille de contrôle (GT) et une première borne de conduction (DDP) connectée à un élément à résistance variable (VZ), la grille (GT) étant formée sur la couche active et présentant un flanc latéral recouvert d'une seconde couche isolante (SP), l'élément à résistance variable (VZ) étant formé par une couche (MO) en un matériau à résistance variable, déposée sur un flanc latéral de la couche active dans une première tranchée (TR) formée au travers de la couche active le long du flanc latéral de la grille, une tranchée conductrice (BC) étant formée dans la première tranchée contre un flanc latéral de la couche en matériau à résistance variable.

    178.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR3029717A1

    公开(公告)日：2016-06-10

    申请号：FR1462091

    申请日：2014-12-09

    Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： QUEMERAIS THOMAS ,  BOSSUET ALICE ,  GLORIA DANIEL

    IPC: H03H11/24 ,  H03H11/12

    Abstract: L'invention concerne un atténuateur comportant : un premier circuit (100A) comprenant un amplificateur à collecteur commun ou à drain commun constitué d'un premier transistor (102A) ayant son noeud de commande connecté à une entrée (103) de l'atténuateur et son émetteur ou sa source connecté à un noeud intermédiaire (101) de l'atténuateur ; et un deuxième circuit (100B) comprenant un amplificateur à collecteur commun ou à drain commun constitué d'un deuxième transistor (102B) ayant son émetteur ou sa source connecté au noeud intermédiaire (101) et son noeud de commande connecté à une sortie (105) de l'atténuateur.

    CAPTEUR D'IMAGE A ELECTRODES VERTICALES
    179.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGE A ELECTRODES VERTICALES 未知

    公开(公告)号：FR3027732A1

    公开(公告)日：2016-04-29

    申请号：FR1460301

    申请日：2014-10-27

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS

    Inventor： CAZAUX YVON ,  ROY FRANCOIS ,  GUILLON MARIE ,  LAFLAQUIERE ARNAUD

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'image disposé dans et sur un substrat semiconducteur (201) ayant une face avant et une face arrière, ce capteur comportant une pluralité de pixels (300) comprenant chacun : une zone photosensible (105), une zone de lecture (111), et une zone de stockage (107) s'étendant entre la zone photosensible (105) et la zone de lecture (111) ; une électrode verticale isolée (103) comportant une ouverture de transfert entre la zone photosensible (105) et la zone de stockage (107) ; et au moins un élément d'isolement parmi les suivants : a) une couche (201c) d'un matériau isolant s'étendant sous la surface de la zone photosensible (105) et de la zone de stockage (107) et ayant sa face avant en contact avec la face arrière de l'électrode (103) ; et b) un mur d'isolement (330) s'étendant verticalement dans l'ouverture, ou sous l'ouverture.

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