公开(公告)号：FR3029717A1

公开(公告)日：2016-06-10

申请号：FR1462091

申请日：2014-12-09

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： QUEMERAIS THOMAS ,  BOSSUET ALICE ,  GLORIA DANIEL

IPC: H03H11/24 ,  H03H11/12

Abstract: L'invention concerne un atténuateur comportant : un premier circuit (100A) comprenant un amplificateur à collecteur commun ou à drain commun constitué d'un premier transistor (102A) ayant son noeud de commande connecté à une entrée (103) de l'atténuateur et son émetteur ou sa source connecté à un noeud intermédiaire (101) de l'atténuateur ; et un deuxième circuit (100B) comprenant un amplificateur à collecteur commun ou à drain commun constitué d'un deuxième transistor (102B) ayant son émetteur ou sa source connecté au noeud intermédiaire (101) et son noeud de commande connecté à une sortie (105) de l'atténuateur.

公开(公告)号：FR2984654A1

公开(公告)日：2013-06-21

申请号：FR1161855

申请日：2011-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： URARD PASCAL ,  REGNIER CHRISTOPHE ,  GLORIA DANIEL ,  HINSINGER OLIVIER ,  CAVENEL PHILIPPE ,  BALME LIONEL

IPC: H04L12/28 ,  H04W12/06

Abstract: L'invention concerne un module sans fil comprenant : un premier dispositif sensible au mouvement (206A) ; un circuit de communication pour communiquer sans fil avec un autre module sans fil (204) ; et un dispositif de traitement agencé pour comparer au moins un premier vecteur de mouvement reçu du premier dispositif sensible au mouvement avec au moins un deuxième vecteur de mouvement reçu d'un deuxième dispositif sensible au mouvement (206B) de l'autre module sans fil.

公开(公告)号：FR2965980A1

公开(公告)日：2012-04-13

申请号：FR1058110

申请日：2010-10-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CATHELIN ANDREIA ,  EGOT MATHIEU ,  PILARD ROMAIN ,  GLORIA DANIEL

IPC: H01Q25/00 ,  H01Q21/29 ,  H04B7/10

Abstract: Dispositif d'émission/réception de signaux (SP) ayant une longueur d'onde du type micro-ondes, millimétrique ou TeraHertz, comprenant un réseau d'antennes (A11...A15, A21...A28). Le réseau d'antennes (A11...A15, A21...A28) comprend un premier groupe de premières antennes (A11...A15) omnidirectionnelles et un deuxième groupe de deuxièmes antennes (A21...A28) directionnelles disposées autour du premier groupe d'antennes.

公开(公告)号：FR2851078A1

公开(公告)日：2004-08-13

申请号：FR0301467

申请日：2003-02-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： VAN HAAREN BART ,  CLEMENT CECILE ,  GLORIA DANIEL

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/08 ,  H01F17/00

Abstract: The inductance has a conductor track (2) with a shape defining a determined number of concentric spirals (4, 5) and a pair of access points (6, 6) corresponding to respective ends of the track. Another pair of access points (7, 7) distinct from the points (6, 6) is arranged on a level of two respective zones (14, 15) of the track. Inductance value L1 between the points (6, 6) is higher than between the points (7, 7). An independent claim is also included for an integrated electronic circuit having an integrated plane inductance.

公开(公告)号：FR2981753A1

公开(公告)日：2013-04-26

申请号：FR1159605

申请日：2011-10-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： QUEMERAIS THOMAS ,  GLORIA DANIEL ,  DEBROUCKE ROMAIN

IPC: G01R31/3181 ,  H03F7/00

Abstract: L'invention concerne un dispositif à impédance variable comprenant : un dispositif d'accord passif (101) comprenant au moins un composant variable (112, 114) contrôlable pour appliquer une valeur d'impédance variable à un signal d'entrée (RF ) du dispositif d'accord passif ; et un amplificateur à faible bruit, LNA, (106) adapté à fournir le signal d'entrée au dispositif d'accord passif en amplifiant un signal d'entrée RF (radiofréquence).

公开(公告)号：FR2951321B1

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：FR0957028

申请日：2009-10-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PILARD ROMAIN ,  GLORIA DANIEL ,  GIANESELLO FREDERIC ,  DURAND CEDRIC

IPC: H01P1/15

公开(公告)号：FR2952457B1

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：FR0957941

申请日：2009-11-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PILARD ROMAIN ,  GLORIA DANIEL ,  GIANESELLO FREDERIC ,  DURAND CEDRIC

IPC: G06K19/077 ,  H01L23/48 ,  H04B1/38

公开(公告)号：FR2952457A1

公开(公告)日：2011-05-13

申请号：FR0957941

申请日：2009-11-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PILARD ROMAIN ,  GLORIA DANIEL ,  GIANESELLO FREDERIC ,  DURAND CEDRIC

IPC: H01L23/48 ,  G06K19/077 ,  H04B1/38

Abstract: Dispositif électronique comprenant un composant semi-conducteur (2) comprenant un substrat de base (3) en forme de plaquette et, sur un côté de ce substrat, des circuits intégrés comprenant un circuit RF (6) et une antenne (8) reliée à ce circuit RF en vue d'émettre/recevoir des signaux radio fréquence, et comprenant en outre une couche métallique (13) située d'un autre côté du substrat, en vis-à-vis de ladite antenne, et au moins un via métallique (15) ménagé dans un trou traversant du substrat, ce via étant relié d'une part à ladite couche métallique et d'autre part au circuit RF, au même potentiel de référence que ladite antenne.

公开(公告)号：FR2965980B1

公开(公告)日：2013-06-28

申请号：FR1058110

申请日：2010-10-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CATHELIN ANDREIA ,  EGOT MATHIEU ,  PILARD ROMAIN ,  GLORIA DANIEL

IPC: H01Q25/00 ,  H01Q21/29 ,  H04B7/10

公开(公告)号：FR2960702A1

公开(公告)日：2011-12-02

申请号：FR0957902

申请日：2009-11-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PILARD ROMAIN ,  GLORIA DANIEL ,  GIANESELLO FREDERIC ,  DURAND CEDRIC

IPC: H01L23/535

Abstract: Un composant semi-conducteur peut comprendre un substrat (3) sur une face avant (4) duquel sont formés des circuits intégrés (6) et une couche d'interconnexion (7) incluant un réseau d'interconnexion (10), et peut comprendre en outre au moins une inductance (11) formée sur une face arrière (5) du substrat (3) et des vias de connexion électrique (14, 15) aménagés dans des trous (12, 13) au travers du substrat (3) et connectés d'une part audit réseau d'interconnexion (10) et d'autre part à ladite inductance (11). Un autre substrat (19) peut présenter une face avant (20) en vis-à-vis et à distance de la face arrière (5) dudit substrat (3) et sur laquelle est formée une autre inductance (21) couplée électromagnétiquement à l'inductance dudit composant semi-conducteur .