Abstract:
Zum FeinpolierenAstrukturieren wärmeempfindlicher dielektrischer Materialien, insbesondere mit einem geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten, mittels Laserstrahlung wird erfindungsgemäss ein Verfahren angegeben, bei dem intensive ultrakurze Laserstrahlung auf eine zu bearbeitende Oberfläche des Materials gerichtet wird und die Einwirkzeit der Laserstrahlung auf die Oberfläche im Bereich von 10 -13 s bis 10 -11 s und die Energie der Laserimpulse unterhalb der Ablationsschwelle aber ausreichend für das Entstehen einer Coulombexplosion eingestellt wird. Mit dem erfindungsgemässen Verfahren wird ein Materialabtrag im Nanometerbereich mit ultrakurzen Laserpulsen im Pikosekunden- und Subpikosekunden-Bereich realisiert, wobei während eines präablativen Verfahrensschritts (Abtrag unterhalb der Ablationsschwelle) die Materialoberfläche fein poliert wird. Aufgrund der extrem kurzen Einwirkzeit der Laserstrahlung auf die zu bearbeitende Oberfläche findet eine sehr kleine Erwärmung statt, die nur im Bereich von einigen 10 Grad liegt.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von c-plane GaN- oder Al x Ga 1-x N-Substraten unter Verwendung eines Ausgangssubstrates. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Verwendung eines tetragonalen (100) oder (-100) orientierten LiAlO 2 -Ausgangssubstrates; Nitridierung in einer stickstoffverbindungshaltigen Atmosphäre bei Temperaturen unterhalb der Zersetzungstemperatur von LiAlO 2 ; Wachstum einer Keimbildungsschicht bei Temperaturen von 500°C bis 700°C durch Zugabe von GaCl oder AlCl oder einem Gemisch von GaCl und AlCl in einer stickstoffverbindungshaltigen Atmosphäre; Wachstum von einkristallinem, c-plane orientierten GaN oder Al x Ga 1-x N auf der Keimbildungsschicht bei Temperaturen im Bereich zwischen 900°C und 1050°C durch Hydridgasphasenepitaxie (HVPE) mit GaCl oder AlCl oder einer GaCl/AlCl-Mischung in einer stickstoffverbindungshaltigen Atmosphäre; Abkühlen des Substrats.
Abstract translation:本发明涉及一种使用起始衬底制造的c面GaN或Al X SUB> GA 1-x SUB>的N-基材的方法。 其特征在于以下步骤的方法:使用四方(100)或(-100)取向LiAlO 2 SUB> -Ausgangssubstrates; 氮化在含氮化合物的气氛中在温度低于LiAlO 的分解温度2 SUB>; 在温度至700℃的成核层500℃的生长通过加入的GaCl或氯化铝或的GaCl和氯化铝的在含化合物的氮气氛的混合物; 单晶的生长,c面取向的GaN或Al X SUB> GA 1-x SUB>Ñ在温度900℃,通过氢化物气相外延1050℃之间的范围内的成核层上(HVPE )用的GaCl或氯化铝或在含氧气氛中的氮化合物,混合物的GaCl /的AlCl; 冷却基板。
Abstract:
Eine erfindungsgemässe Gelenkkettenvorrichtung weist eine Anzahl von Gelenkgliedern (10; 110), welche eine Gelenkkette (7; 107) bilden, und eine Spanneinrichtung, welche mindestens ein sich durch die Gelenkglieder (10; 110) erstreckendes Spannseil oder mindestens einen sich durch die Gelenkglieder (10; 110) erstreckenden Spanndraht (8, 108) umfasst, auf. Die Gelenkkette (7; 107) kann durch Spannen des Spannseils oder -drahtes (8; 108) in einen fixierten Zustand, in dem benachbarte Gelenkglieder (10; 110) im Wesentlichen relativ zueinander fixiert sind, und durch Entspannen des Spannseils oder -drahtes (8; 108) in einen flexiblen Zustand, in dem sich benachbarte Gelenkglieder (10; 110) relativ zueinander bewegen lassen, gebracht werden. Die erfindungsgemässe Gelenkkettenvorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass die Spanneinrichtung ein Formgedächtniselement (8) oder eine Formgedächtnisfeder (115) umfasst, welche derart ausgestaltet und angeordnet ist, dass der fixierte Zustand durch Ändern des Formzustandes des Formgedächtniselementes (8) bzw. der Formgedächtnisfeder (115) herbeizuführen oder aufzuheben ist.
Abstract:
Aufgabe der Erfindung ist es, eine kompakte Anordnung zur Erzeugung von optischen Mehrwellensignalen anzugeben, die einfacher und preiswerter in ihrer Herstellung als die dem Stand der Technik nach bekannten Lösungen ist. Die erfindungsgemäße Lösung sieht eine Anordnung zur Erzeugung von optischen Mehrwellensignalen vor, die mindestens eine Pumpquelle (1), die Pumpimpulse erzeugt, und eine Mehrkern-Photonische-Kristallfaser (MCPCF) (3) aufweist, die aus N Kernen und um die Kerne angeordneten Kapillaren aus einem Material mit einer kleineren Brechzahl als der des Kerns besteht, wobei jeder Kern mit den um ihn angeordneten Kapillaren einen Wellenleiter bildet und alle Wellenleiter geringe Unterschiede in der effektiven Brechzahl aufweisen, und Pumpquelle und MCPCF derart verbunden sind, dass die Pumpimpulse in die gesamte Fläche der MCPCF eingestrahlt und beim Durchgang der Pumpimpulse durch die einzelnen Wellenleiter mittels Vierwellenmischung Idler-Impulse mit unterschiedlichen diskreten Wellenlängen erzeugt werden.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zum betrieb einer magnetischen Logikeinrichtung (10) beschrieben, bei dem durch mindestens eine logische Operation aus Eingangsgrössen (I A , I B ) mit einer Operatorfunktion F der magnetischen Logikeinrichtung (10) mindestens eine Ausgangsgrösse O = F (I A , I B ) gebildet wird, wobei die Logikeinrichtung (10) vor der Operation mit einem bestimmten Operator-Steuersignal (SET) auf einen Startzustand zur Ausführung der Operatorfunktion F eingestellt wird, wobei das Operator-Steuersignal aus einer Gruppe von Steuersignalen ausgewählt wird, mit denen verschiedene nichtflüchtige Startzustände gezielt einstellbar sind, die jeweils für verschiedene logische Funktionen charakteristisch sind. Es wird ferner eine magnetische Logikeinrichtung (10) beschrieben, die zur Umsetzung dieses Verfahrens eingerichter ist.
Abstract:
Ziel des Verfahrens ist eine Vereinfachung bisher bekannter Passivierungsverfahren. Nach dem Verfahren werden die Halbleiterbauelemente erwärmt und unter Hochvakuum mit einem gasförmigen, reaktiven und niederenergetischen Medium gereinigt und in-situ wird eine geschlossene, isolierende oder niedrigleitende, lichtdurchlässige Schutzschicht aufgebracht, die in Bezug auf das Material an der Spiegelfläche sowie verbliebener Komponenten des Eigenoxids inert ist. In einer bevorzugten Realisierung ist das optische Halbleiterbauelement ein GaAs-basierende Halbleiterlaser, das reaktive und niederenergetische Medium ist atomarer Wasserstoff und die Schutzschicht besteht aus ZnSe.
Abstract:
The invention relates to MACC1 inhibitors for use as a medicament in the treatment of cancer. The general formula 1 provided by the invention shows beneficial effects in inhibiting the formation of metastasis, cell proliferation and cancer progression. The invention further relates to the MACC1 inhibitors of the invention for the treatment of a subject with elevated MACC1 levels and wherein said treatment inhibits MACC1 expression in said subject. The invention further relates to the MACC1 inhibitors of the invention in the treatment of subjects with a solid cancer at early stages of cancer progression such as stage I or II for colorectal or pancreatic cancer or metastatic cancer, and/or for the prevention of developing metastases.
Abstract:
Die Erfindung betrifft das Züchten eines Seltenerd-Sesquioxid-Kristalls mit kubischer Kristallstruktur aus einer Schmelze. Der Seltenerd-Sesquioxid-Kristall enthält wenigstens 5 % Yttriumoxid und wenigstens 5 % Scandiumoxid, so dass seine Liquidustemperatur unter 2400 °C beträgt. Alternativ kann der Seltenerd-Sesquioxid-Kristall auch Yttriumoxid und wenigstens 5 % Scandiumoxid enthalten und die Anteile von Yttriumoxid und Scandi- umoxid können in einem Ausgangsmaterial so ausgewählt sein, dass der zu züchtende Selternerd-Sesquioxid-Kristall eine Liquidustemperatur von unter 2400 °C hat. Das Ausgangsmaterial kann in einem Tiegel, der aus einem Material besteht, welches eine Schmelztemperatur von unter 3000 °C hat, bei einer Temperatur von 2400 °C oder weniger geschmolzen werden. Der Seltenerd-Sesquioxid-Kristall kann aus dem geschmolzenen Ausgangsmaterial unter Verwenden eines Kristallzüchtungsverfahrens, beispielsweise des Czochralski-Verfahrens oder des HEM-Verfahrens gezüchtet werden. Auch ein tiegelfreies Züchten des Seltenerd-Sesquioxid-Kristalls ist bei einer Temperatur von 2400 °C oder we- niger möglich, beispielsweise mittels optischem Zonenschmelzen.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur UV-Antiseptik, insbesondere zur intrakorporalen in-vivo UV-Antiseptik am menschlichen und tierischen Körper bei einer Besiedlung mit multiresistenten Erregern (MRE) wie Methicillin-resistenten Staphylococcus aureus (MRSA) und Staphylococcus epidermidis (MRSE). Eine erfindungsgemäße Vorrichtung (100) zur UV-Antiseptik umfasst einen lichtemittierenden Diodenchip, LED-Chip (12), dazu ausgebildet, Strahlung im UVC-Spektralbereich zu emittieren, wobei der LED-Chip (12) mit einem Packaging (16) eine lichtemittierende Diode, LED (10), ausbildet; ein spektrales Filterelement (14), dazu eingerichtet, die vom LED-Chip (12) emittierte Strahlung im Wesentlichen auf Wellenlängen unterhalb von 235 nm zu beschränken; und ein optisches Element (18) zur gerichteten Abstrahlung der von der LED (10) emittierten Strahlung. Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur UV-Antiseptik umfasst das Bestrahlen einer zu dekolonisierenden Oberfläche (O) mit einer erfindungsgemäßen Vorrichtung (100).
Abstract:
The invention relates to one or more regions of the thyroid-stimulating hormone receptor (TSHR), identified herein as a TSHR ligand binding domain. Such a domain is considered a binding pocket for chemical compounds, for example S37 or derivatives thereof, that exhibit activity as thyroid-stimulating hormone receptor (TSHR) antagonists. Embodiments of the invention relate to proteins and corresponding coding nucleic acids for the proteins of the invention, for example the TSHR ligand binding domain and related proteins. The invention relates to methods of screening for or testing compounds that interact, bind and/or modify the TSHR ligand binding domain of the invention.