VERFAHREN ZUM FEINPOLIEREN/-STRUKTURIEREN WÄRMEEMPFLINDLICHER DIELEKTRISCHER MATERIALIEN MITTELS LASERSTRAHLUNG
    181.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM FEINPOLIEREN/-STRUKTURIEREN WÄRMEEMPFLINDLICHER DIELEKTRISCHER MATERIALIEN MITTELS LASERSTRAHLUNG 审中-公开
    法精抛光/ -STRUKTURIERENWÄRMEEMPFLINDLICHER介电材料的使用激光辐射

    公开(公告)号:WO2006111446A1

    公开(公告)日:2006-10-26

    申请号:PCT/EP2006/060921

    申请日:2006-03-21

    CPC classification number: B23K26/0075 B23K26/0624

    Abstract: Zum FeinpolierenAstrukturieren wärmeempfindlicher dielektrischer Materialien, insbesondere mit einem geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten, mittels Laserstrahlung wird erfindungsgemäss ein Verfahren angegeben, bei dem intensive ultrakurze Laserstrahlung auf eine zu bearbeitende Oberfläche des Materials gerichtet wird und die Einwirkzeit der Laserstrahlung auf die Oberfläche im Bereich von 10 -13 s bis 10 -11 s und die Energie der Laserimpulse unterhalb der Ablationsschwelle aber ausreichend für das Entstehen einer Coulombexplosion eingestellt wird. Mit dem erfindungsgemässen Verfahren wird ein Materialabtrag im Nanometerbereich mit ultrakurzen Laserpulsen im Pikosekunden- und Subpikosekunden-Bereich realisiert, wobei während eines präablativen Verfahrensschritts (Abtrag unterhalb der Ablationsschwelle) die Materialoberfläche fein poliert wird. Aufgrund der extrem kurzen Einwirkzeit der Laserstrahlung auf die zu bearbeitende Oberfläche findet eine sehr kleine Erwärmung statt, die nur im Bereich von einigen 10 Grad liegt.

    Abstract translation: 对于FeinpolierenAstrukturieren热敏电介质材料,尤其是用热膨胀系数低,通过激光辐射装置是根据本发明的方法涉及一种表面在激烈的超短激光辐射和在10的范围内的表面上的激光辐射的曝光时间,以待加工材料的图示 - 13 s到10 -11 s,并且激光脉冲的能量低于烧蚀阈值但足以集用于库仑爆炸的出现。 用本发明的过程中,材料的去除是在纳米范围内与在皮秒和亚皮秒的范围超短激光脉冲,其中该材料表面是期间präablativen工艺步骤(除去下面的烧蚀阈值)精细抛光实现。 由于在表面上的激光辐射的极短的曝光时间被处理的非常小的变暖发生,这是只有在大约10度的范围内。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON C-PLANE ORIENTIERTEN GaN- ODER AlxGa1-xN-SUBSTRATEN
    182.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON C-PLANE ORIENTIERTEN GaN- ODER AlxGa1-xN-SUBSTRATEN 审中-公开
    用于生产C-PLANE或基于氮化镓的AlxGa1-XN SUBSTRATES

    公开(公告)号:WO2006077221A1

    公开(公告)日:2006-07-27

    申请号:PCT/EP2006/050272

    申请日:2006-01-18

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von c-plane GaN- oder Al x Ga 1-x N-Substraten unter Verwendung eines Ausgangssubstrates. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Verwendung eines tetragonalen (100) oder (-100) orientierten LiAlO 2 -Ausgangssubstrates; Nitridierung in einer stickstoffverbindungshaltigen Atmosphäre bei Temperaturen unterhalb der Zersetzungstemperatur von LiAlO 2 ; Wachstum einer Keimbildungsschicht bei Temperaturen von 500°C bis 700°C durch Zugabe von GaCl oder AlCl oder einem Gemisch von GaCl und AlCl in einer stickstoffverbindungshaltigen Atmosphäre; Wachstum von einkristallinem, c-plane orientierten GaN oder Al x Ga 1-x N auf der Keimbildungsschicht bei Temperaturen im Bereich zwischen 900°C und 1050°C durch Hydridgasphasenepitaxie (HVPE) mit GaCl oder AlCl oder einer GaCl/AlCl-Mischung in einer stickstoffverbindungshaltigen Atmosphäre; Abkühlen des Substrats.

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用起始衬底制造的c面GaN或Al X GA 1-x 的N-基材的方法。 其特征在于以下步骤的方法:使用四方(100)或(-100)取向LiAlO 2 -Ausgangssubstrates; 氮化在含氮化合物的气氛中在温度低于LiAlO 的分解温度2 ; 在温度至700℃的成核层500℃的生长通过加入的GaCl或氯化铝或的GaCl和氯化铝的在含化合物的氮气氛的混合物; 单晶的生长,c面取向的GaN或Al X GA 1-x Ñ在温度900℃,通过氢化物气相外延1050℃之间的范围内的成核层上(HVPE )用的GaCl或氯化铝或在含氧气氛中的氮化合物,混合物的GaCl /的AlCl; 冷却基板。

    GELENKKETTENVORRICHTUNG
    183.
    发明申请
    GELENKKETTENVORRICHTUNG 审中-公开
    关节链DEVICE

    公开(公告)号:WO2005010425A1

    公开(公告)日:2005-02-03

    申请号:PCT/EP2004/008432

    申请日:2004-07-22

    CPC classification number: F16M11/40 A61B90/50 F16M2200/02

    Abstract: Eine erfindungsgemässe Gelenkkettenvorrichtung weist eine Anzahl von Gelenkgliedern (10; 110), welche eine Gelenkkette (7; 107) bilden, und eine Spanneinrichtung, welche mindestens ein sich durch die Gelenkglieder (10; 110) erstreckendes Spannseil oder mindestens einen sich durch die Gelenkglieder (10; 110) erstreckenden Spanndraht (8, 108) umfasst, auf. Die Gelenkkette (7; 107) kann durch Spannen des Spannseils oder -drahtes (8; 108) in einen fixierten Zustand, in dem benachbarte Gelenkglieder (10; 110) im Wesentlichen relativ zueinander fixiert sind, und durch Entspannen des Spannseils oder -drahtes (8; 108) in einen flexiblen Zustand, in dem sich benachbarte Gelenkglieder (10; 110) relativ zueinander bewegen lassen, gebracht werden. Die erfindungsgemässe Gelenkkettenvorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass die Spanneinrichtung ein Formgedächtniselement (8) oder eine Formgedächtnisfeder (115) umfasst, welche derart ausgestaltet und angeordnet ist, dass der fixierte Zustand durch Ändern des Formzustandes des Formgedächtniselementes (8) bzw. der Formgedächtnisfeder (115) herbeizuführen oder aufzuheben ist.

    Abstract translation: 根据本发明的环链装置具有多个连接构件(10; 110),其包括一个环链(7; 107)的形式,并且包括至少一个通过铰链板(10; 110)的夹紧装置通过所述铰链板延伸的张紧缆绳或至少一只手( 10; 110)上延伸的张力线(8,108)。 扁节链(7; 107),通过张紧张紧的电缆或电线(8; 108)中,其中相邻链接件(10; 110)的固定状态基本相对于彼此固定,并且(通过释放所述张紧的电缆或电线 8; 108)中),其中相邻链接件(10;,被带坯料110的柔性状态相对彼此移动。 根据本发明的环链装置的特征在于,所述张紧装置包括被设计和布置的形状记忆元件(8)或形状记忆弹簧(115),使得所述固定状态(通过改变形状记忆元件的形状条件(8)和所述形状记忆弹簧115 诱导或反向)是。

    ANORDNUNG ZUR ERZEUGUNG VON OPTISCHEN MEHRWELLENSIGNALEN UND MEHRSIGNAL-QUELLE
    184.
    发明申请
    ANORDNUNG ZUR ERZEUGUNG VON OPTISCHEN MEHRWELLENSIGNALEN UND MEHRSIGNAL-QUELLE 审中-公开
    安排发生光学SIGNALS WAVE越来越更多选择源

    公开(公告)号:WO2004102239A1

    公开(公告)日:2004-11-25

    申请号:PCT/DE2004/000997

    申请日:2004-05-07

    Abstract: Aufgabe der Erfindung ist es, eine kompakte Anordnung zur Erzeugung von optischen Mehrwellensignalen anzugeben, die einfacher und preiswerter in ihrer Herstellung als die dem Stand der Technik nach bekannten Lösungen ist. Die erfindungsgemäße Lösung sieht eine Anordnung zur Erzeugung von optischen Mehrwellensignalen vor, die mindestens eine Pumpquelle (1), die Pumpimpulse erzeugt, und eine Mehrkern-Photonische-Kristallfaser (MCPCF) (3) aufweist, die aus N Kernen und um die Kerne angeordneten Kapillaren aus einem Material mit einer kleineren Brechzahl als der des Kerns besteht, wobei jeder Kern mit den um ihn angeordneten Kapillaren einen Wellenleiter bildet und alle Wellenleiter geringe Unterschiede in der effektiven Brechzahl aufweisen, und Pumpquelle und MCPCF derart verbunden sind, dass die Pumpimpulse in die gesamte Fläche der MCPCF eingestrahlt und beim Durchgang der Pumpimpulse durch die einzelnen Wellenleiter mittels Vierwellenmischung Idler-Impulse mit unterschiedlichen diskreten Wellenlängen erzeugt werden.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种生产在其制造中,它是根据已知的解决方案更简单和更便宜的现有技术的多波长的光信号提供紧凑的布置。 本发明的溶液提供了一种配置用于产生能够被制造的多波长光学信号的至少一个泵浦源(1),泵的脉冲,和一个多芯光子晶体光纤(MCPCF)(3),其从N个核和围绕芯毛细管布置 由具有比芯小的折射率的材料制成,每个芯与具有他周围间隔开的毛细血管的波导,并且具有有效折射率小的差异的所有波导构成,泵浦源和MCPCF被连接,使得在整个泵脉冲 的MCPCF的和泵脉冲的通过单个波导由四波混频惰脉冲的装置通过的过程中被照射表面的不同离散波长的生成。

    MAGNETISCHE LOGIKEINRICHTUNG
    185.
    发明申请
    MAGNETISCHE LOGIKEINRICHTUNG 审中-公开
    磁逻辑器件

    公开(公告)号:WO2004051853A2

    公开(公告)日:2004-06-17

    申请号:PCT/EP2003/013318

    申请日:2003-11-26

    CPC classification number: H03K19/18

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum betrieb einer magnetischen Logikeinrichtung (10) beschrieben, bei dem durch mindestens eine logische Operation aus Eingangsgrössen (I A , I B ) mit einer Operatorfunktion F der magnetischen Logikeinrichtung (10) mindestens eine Ausgangsgrösse O = F (I A , I B ) gebildet wird, wobei die Logikeinrichtung (10) vor der Operation mit einem bestimmten Operator-Steuersignal (SET) auf einen Startzustand zur Ausführung der Operatorfunktion F eingestellt wird, wobei das Operator-Steuersignal aus einer Gruppe von Steuersignalen ausgewählt wird, mit denen verschiedene nichtflüchtige Startzustände gezielt einstellbar sind, die jeweils für verschiedene logische Funktionen charakteristisch sind. Es wird ferner eine magnetische Logikeinrichtung (10) beschrieben, die zur Umsetzung dieses Verfahrens eingerichter ist.

    Abstract translation: 一种用于操作磁逻辑装置(10)的方法描述了至少一个输出变量O = F(IA,IB)是通过与操作者功能的磁性逻辑器件F的输入值(IA,IB)中的至少一个逻辑操作形成,其中(10) 其中所说的与特定的操作员控制信号(SET)操作之前逻辑装置(10)被设定为开始状态,用于执行操作的函数F,其中,从一组操作者控制信号由通过各种非挥发性起始状态靶向控制信号中选择 可以设置是为每个不同的逻辑功能特性。 它进一步描述,其被接通法官实现此方法的磁逻辑装置(10)。

    VERFAHREN ZUR PASSIVIERUNG DER SPIEGELFLÄCHEN VON OPTISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN
    186.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR PASSIVIERUNG DER SPIEGELFLÄCHEN VON OPTISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN 审中-公开
    光学半导体元件的方法钝化镜面

    公开(公告)号:WO2003096498A2

    公开(公告)日:2003-11-20

    申请号:PCT/EP2003/004836

    申请日:2003-05-08

    CPC classification number: H01S5/028 H01S5/0281 H01S5/0282

    Abstract: Ziel des Verfahrens ist eine Vereinfachung bisher bekannter Passivierungsverfahren. Nach dem Verfahren werden die Halbleiterbauelemente erwärmt und unter Hochvakuum mit einem gasförmigen, reaktiven und niederenergetischen Medium gereinigt und in-situ wird eine geschlossene, isolierende oder niedrigleitende, lichtdurchlässige Schutzschicht aufgebracht, die in Bezug auf das Material an der Spiegelfläche sowie verbliebener Komponenten des Eigenoxids inert ist. In einer bevorzugten Realisierung ist das optische Halbleiterbauelement ein GaAs-basierende Halbleiterlaser, das reaktive und niederenergetische Medium ist atomarer Wasserstoff und die Schutzschicht besteht aus ZnSe.

    Abstract translation: 该过程的目的是已知的钝化的简化。 根据该方法,该半导体器件被加热并与气态反应性和低能量介质和原位施加一个封闭的,绝缘的或低导电性的,半透明的保护层的高真空下清洗,惰性相对于在反射镜表面的材料,以及本征氧化物的其余部件 是。 在一个优选的实施方式中,光半导体装置是基于GaAs的半导体激光器,和反应性低能量介质是氢原子,和所述保护层由硒化锌的。

    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ZÜCHTEN EINES SELTENERD-SESQUIOXID-KRISTALLS

    公开(公告)号:WO2022028800A1

    公开(公告)日:2022-02-10

    申请号:PCT/EP2021/068687

    申请日:2021-07-06

    Abstract: Die Erfindung betrifft das Züchten eines Seltenerd-Sesquioxid-Kristalls mit kubischer Kristallstruktur aus einer Schmelze. Der Seltenerd-Sesquioxid-Kristall enthält wenigstens 5 % Yttriumoxid und wenigstens 5 % Scandiumoxid, so dass seine Liquidustemperatur unter 2400 °C beträgt. Alternativ kann der Seltenerd-Sesquioxid-Kristall auch Yttriumoxid und wenigstens 5 % Scandiumoxid enthalten und die Anteile von Yttriumoxid und Scandi- umoxid können in einem Ausgangsmaterial so ausgewählt sein, dass der zu züchtende Selternerd-Sesquioxid-Kristall eine Liquidustemperatur von unter 2400 °C hat. Das Ausgangsmaterial kann in einem Tiegel, der aus einem Material besteht, welches eine Schmelztemperatur von unter 3000 °C hat, bei einer Temperatur von 2400 °C oder weniger geschmolzen werden. Der Seltenerd-Sesquioxid-Kristall kann aus dem geschmolzenen Ausgangsmaterial unter Verwenden eines Kristallzüchtungsverfahrens, beispielsweise des Czochralski-Verfahrens oder des HEM-Verfahrens gezüchtet werden. Auch ein tiegelfreies Züchten des Seltenerd-Sesquioxid-Kristalls ist bei einer Temperatur von 2400 °C oder we- niger möglich, beispielsweise mittels optischem Zonenschmelzen.

    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR UV-ANTISEPTIK
    189.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021043554A1

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:PCT/EP2020/072631

    申请日:2020-08-12

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur UV-Antiseptik, insbesondere zur intrakorporalen in-vivo UV-Antiseptik am menschlichen und tierischen Körper bei einer Besiedlung mit multiresistenten Erregern (MRE) wie Methicillin-resistenten Staphylococcus aureus (MRSA) und Staphylococcus epidermidis (MRSE). Eine erfindungsgemäße Vorrichtung (100) zur UV-Antiseptik umfasst einen lichtemittierenden Diodenchip, LED-Chip (12), dazu ausgebildet, Strahlung im UVC-Spektralbereich zu emittieren, wobei der LED-Chip (12) mit einem Packaging (16) eine lichtemittierende Diode, LED (10), ausbildet; ein spektrales Filterelement (14), dazu eingerichtet, die vom LED-Chip (12) emittierte Strahlung im Wesentlichen auf Wellenlängen unterhalb von 235 nm zu beschränken; und ein optisches Element (18) zur gerichteten Abstrahlung der von der LED (10) emittierten Strahlung. Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur UV-Antiseptik umfasst das Bestrahlen einer zu dekolonisierenden Oberfläche (O) mit einer erfindungsgemäßen Vorrichtung (100).

    TSHR LIGAND BINDING DOMAIN AND METHODS USING SAID DOMAIN

    公开(公告)号:WO2021028346A1

    公开(公告)日:2021-02-18

    申请号:PCT/EP2020/072275

    申请日:2020-08-07

    Abstract: The invention relates to one or more regions of the thyroid-stimulating hormone receptor (TSHR), identified herein as a TSHR ligand binding domain. Such a domain is considered a binding pocket for chemical compounds, for example S37 or derivatives thereof, that exhibit activity as thyroid-stimulating hormone receptor (TSHR) antagonists. Embodiments of the invention relate to proteins and corresponding coding nucleic acids for the proteins of the invention, for example the TSHR ligand binding domain and related proteins. The invention relates to methods of screening for or testing compounds that interact, bind and/or modify the TSHR ligand binding domain of the invention.

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