公开(公告)号：KR1019960012343A

公开(公告)日：1996-04-20

申请号：KR1019940023879

申请日：1994-09-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이재진 ,  이해권 ,  김경수 ,  박형무

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체소자를 제조할때 건식식각공정에서 식각 잔유물을 효율적으로 제거하기 위하여 고정 중 기판에 초음파를 인가하여 소자의 기능을 살리고 수율을 향상시키기 위하여 식각 공정중인 기판에 초음파를 인가하는 방법 및 그 장치를 제공한다. 본 발명은 상술한 작용으로 반도체 제조공정시 건식식각공정에서 발생하는 잔유물인 폴리머를 식각표면으로부터 초음파를 이용하여 효율적으로 제거하여 기존의 공저에서 제거하기 어려워 소자의 실패의 원인이었던 것을 공정 중에 도시에 제거하므로써 소자의 기능을 원활히 할 수 있어서 소자의 수율을 증대할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950034444A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019940010562

申请日：1994-05-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 윤선진 ,  이승창 ,  이재진

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 고상재료 분자선증착에서 전자빔 용융시 생성되는 하전입자들의 가속을 이용한 Si 및 Si
1-x Ge
x (X=몰분율) 다결정 박막 저온성장방법에 관한 것으로서, 전자빔 용융법을 사용하는 Si 및 Ge 고상재료 분자선 증착장비에서 생성되는 수 %정도의 Si 및 Ge 이온 또는 전자들을 기판에 소정의 전압을 가함으로써 가속하여 계면특성이 우수한 고품위의 다결정 Si 및 Si
1-x Ge
x (X=몰분율) 박막을 400℃이하의 저온에서 증착하고, 또는 상기 Si 및 Ge 이온들을 기판전극에(-)전압을 가하여 기판을 향해 가속시킴과 동시에 도판트들을 인 사이츄(insitu)도핑하여 고농도의 p-형 및 n-형 불순물을 포함한 다결정 Si 및 Si
1-x Ge
x 저온증착기술을 제공하므로써 종래의 분자선증착법 또는 화학증착법과는 달리 운동에너지 및 하전입자에 의한 표면에너지 변화 효과등을 이 할 수 있어 보다 적합한 박막 특성을 얻을 수 있고, 저온에서 다결정 Si 및 Si
1-x Ge
x 을 성장하는 기술로 박막트랜지스터에 응용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950034408A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019940010641

申请日：1994-05-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이재진 ,  이해권 ,  김경수 ,  박형무

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

Abstract: 본 발명은 초 진공 중에서 비소의 분자선을 생성하는 소오스로서 특히 균일도있는 분자선을 형성하여 화합물 반도체의 제작시 고품위의 막을 제조할 수 있는 비소 분자선 발생방법 및 그 장치에 관한 것이다.
종래의 비소분자선 발생장치는 발생된 분자선원이 비소의 분자선뿐만 아니라 비소분자 덩어리인 비소클러스트도 함께 발생하여 기판에 입사되기 때문에 막의 형상을 나쁘게 하고 제조된 소자의 수율을 떨어뜨려 생상단가를 높이는 단점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 발생된 비소분자나 클러스트를 상호 충돌시켜 깨어뜨리고 확산구멍을 통과시키는 과정을 통해 균일한 분자선을 제조할 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1019950021722A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930027630

申请日：1993-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 맹성재 ,  이재진

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 선형성이 향상된 전력소자 기판구조에 관한 것으로서, 종래에 제1활성층(2)이 아닌 기판을 통한 전류가 수반되어 마이크로 웨이브 특성저하의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 기판과 활성층 사이에 기판(1)을 통한 전류를 방지하기 위한 장벽층(5)과 고농도로 도핑된 얇은 제2활성층(6)및 알루미늄의 경사좆성을 갖는 제2캡층(7)으로 형성된 구조를 제공함으로써 기판전류를 감소시켜 출력전력과 효율을 향상시키고, 쇼트키 특성 향상 및 리세스 공정없이 공정의 균일도를 향상시켜 공정개선 및 수율향상에 기여할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019940016897A

公开(公告)日：1994-07-25

申请号：KR1019920024458

申请日：1992-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이해권 ,  이재진 ,  이정희 ,  박철순 ,  박형무

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 이종접합 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로, 상기 에너지밴드갭이 상대적으로 작은 물질로 베이스층(4)을 형성하고 에너지밴드갭이 베이스층(4)보다 상대적으로 큰 물질로 에미터층(5)을 형성하며, 베이스층(4)과 에미터층(5) 사이에 에너지밴드갭이 상대적으로 큰 물질로 이루어지는 복수의 전위장벽(6b)과 에너지밴드갭이 상대적으로 작은 물질로 이루어지는 복수의 우물(6b)이 교번적으로 형성된 다중양자우물(6c)이 삽입되는 것이 특징이다.

公开(公告)号：KR1019940016882A

公开(公告)日：1994-07-25

申请号：KR1019920025012

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이재진 ,  이해권 ,  강진영 ,  박형무

IPC: H01L29/70

Abstract: 본 발명은 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : HBT)의 베이스 전극을 형성하는 방법에 관한 것으로, 인듐 갈륨 비소층/인듐 알루미늄 비소층/인듐 갈륨 비소층으로 이루어진 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 인듐 알루미늄 비소층과 인듐 갈륨 비소층 사이에 50~70Å의 두께로 알루미늄 비소층을 성장시키는 단계와, 베이스 전극을 형성하기 위해 선택비가 큰 화학식각용액에 의해 알루미늄 비소층을 선택하는 단계를 포함한 것이다.

公开(公告)号：KR100056899B1

公开(公告)日：1992-12-01

申请号：KR1019890012681

申请日：1989-09-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이재진 ,  맹성재 ,  김진섭

IPC: H01L21/20