-
公开(公告)号：KR100523065B1
公开(公告)日：2005-10-24
申请号：KR1019990061225
申请日：1999-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778
Abstract: 감마형 게이트를 이용한 화합물반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 갈륨비소기판을 포함하는 에피택셜성장된 기판 상부에 식각정지층, 오믹층 및 산화막을 형성하고 상기 산화막 상에 광리소그래피를 위한 포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 포토레지스트를 광리소그래피 및 등방성플라즈마식각하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트패턴을 포함한 산화막 상에 제1내열성금속을 진공증착하는 단계, 상기 포토레지스트패턴을 리프트오프하여 오픈되는 상기 제1내열성금속의 소정부분에 제2내열성금속을 증착 및 전면식각하여 내열성금속측벽을 형성하는 단계, 상기 결과물 상부에 광리소그래피를 위한 포토레지스트를 도포하고 광리소그래피하여 음각포토레지스트패턴을 형성하는 단계, 상기 음각포� ��레지스트패턴 및 내열성금속측벽, 제1내열성금속을 마스크로 하여 게이트리세스하는 단계, 상기 결과물 상에 게이트금속을 형성하고 리프트오프하여 감마형 게이트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
-
公开(公告)号：KR1020000038235A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980053143
申请日：1998-12-04
IPC: H04B7/26
CPC classification number: H04B1/0082 , H04B1/04 , H04B1/086 , H04B1/1638 , H04B2001/0416
Abstract: PURPOSE: A transceiver for a simplex communication from one device to several devices is provided to allow a transmitter party to select one of receiver parties, by sending a signal to a selected receiver at a transmitter and alternatively scanning two channels at the selected receiver in order to receive data at a corresponding channel. CONSTITUTION: An amplifier(22) amplifies a signal received via an antenna(21). A mixer(23) demodulates the amplified signal from the amplifier(22). A filter(24) selects and passes a low frequency components of the demodulated signal from the mixer(23). An amplifier(25) amplifies the signal from the filter(24). A detection circuit(26) detects a received channel at the signal from the amplifier(25). A speaker(27) outputs a final signal from the detection circuit(26) as a voice signal. A channel selector(28) checks a channel for the signal transmitted by the transmitter. A voltage controlled oscillator(30) transfers the selected channel to the mixer(23) in order to apply it for a demodulation. A phase locked loop(29) locates between the channel selector(28) and voltage controlled oscillator(30).
Abstract translation: 目的：提供用于从一个设备到多个设备的单工通信的收发器，以允许发射方通过在发射机处向所选择的接收机发送信号并且按顺序在所选接收机处扫描两个信道来选择一个接收机方 在相应的频道接收数据。 构成：放大器（22）放大经由天线（21）接收的信号。 混频器（23）解调来自放大器（22）的放大信号。 滤波器（24）从混频器（23）中选择并通过解调信号的低频分量。 放大器（25）放大来自滤波器（24）的信号。 检测电路（26）检测来自放大器（25）的信号的接收信道。 扬声器（27）作为语音信号输出来自检测电路（26）的最终信号。 信道选择器（28）检查信道发送器发送的信号。 压控振荡器（30）将所选择的通道传送到混频器（23），以便将其应用于解调。 锁相环（29）位于通道选择器（28）和压控振荡器（30）之间。
-
公开(公告)号：KR1019980043593A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960061516
申请日：1996-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 초고주파 저잡음용 소자제작을 위해 게이트 저항을 줄이는 방법으로 T형 게이트가 사용되고 있는데, 종래의 방법은 공정이 복잡하거나 게이트의 두께에 제한으로 잡음지수를 줄이는데 한계가 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 에피구조를 이용하여 전계효과 트랜지스터를 제작할 때 게이트 길이를 줄이기 위해 이중 노광에 의해 게이트 패턴을 형성하고 얇은 금속막을 증착한 후 도금용 패턴을 형성하고 전기 도금으로 게이트를 형성하는 공정을 수행함으로 생산 단가와 수율을 높일 수 있으며, 잡음지수를 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 게이트 형성 방법이 제시된다.
-
4.发明公开이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조 및 제조방법과 이를 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 구조 및 제조방법 失效用于制造E-mas宠物和D-mas宠物的基板的结构和制造方法以及使用它的E-mas宠物和D-mas宠物的结构和制造方法
-
公开(公告)号：KR1019970051989A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950053653
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 선형성이 향상된 전력소자 기판구조에 관한 것으로서, 종래에 초격자 완충층에 바로 고농도층을 성장시키면 AlGaAs의 Al 확산계수가 작아 계면의 거칠기와 불순물의 확산으로 인하여 동작점 근처의 바이어스에서 완충층에 의한 전류로 트랜스 컨덕턴스의 기울기가 급준하지 못하여 비선형성을 보이게 되는 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 초격자 완충층과 고농도 도핑층 사시에 도핑하지 않은 갈륨비소층을 제공함으로써 계면 거칠기와 불순물의 확산을 막아 선형적인 트랜스 컨덕턴스를 얻을 수 있다.
-
Patent Agency Ranking
-
-
-
-
公开(公告)号：KR1019940016940A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920025007
申请日：1992-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335 , H01L29/76 , H01L29/78
Abstract: 전력 전계효과 트랜지스터의 구조에 관한 것으로, 일정한 크기의 단위 FET를 게이트 연결선을 중심으로 좌우 대칭으로 MXN의 행렬형태로 배열하고 좌우의 단위 FET들의 게이트를 중심의 게이트 연결선에 트리(Tree)형으로 연결시키고, 드레인과 소오스는 에어브리지(air-bridge) 기술을 이용하여 중심의 게이트 연결선 위로 지나가도록 하여 좌우의 드레인과 소오스를 하나로 연결시키며 이렇게 구성된 좌우 대칭의 FET를 소오스 및 드레인을 공유하도록 하여 세로축으로 여러개를 연결시키며, 게이트는 중심의 게이트 전극으로부터 좌우 FET의 게이트 연결선에 연결시키고, 드레인은 중심의 드레인 연결선에서 좌우의 FET의 단위게이트의 드레인에 연결시키며, 소오스는 FET 주의를 따라 단위 FET의 소오스에 연결시키는 것이 특징이다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
72
records
(took 0.022 seconds)
