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    Micro-mechanical device comprising a moving beam
    182.
    发明专利
    Micro-mechanical device comprising a moving beam 审中-公开

    公开(公告)号：JP2008529813A

    公开(公告)日：2008-08-07

    申请号：JP2007554593

    申请日：2006-02-02

    Applicant: コミサリア、ア、レネルジ、アトミクCommissariat A L’Energie Atomique

    Inventor： ガティアン、フルーリー ,  ピエール‐ルイ、シャルベ

    IPC: B81B3/00 ,  H01H59/00

    CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/016 ,  B81C2201/0167

    Abstract: 本発明は移動ビーム（１）を備えるマイクロ機械デバイスに関し、前記ビームはその２つの端部（２）によって硬質フレーム（３）に対して取り付けられ、硬質フレーム（３）にはそれぞれが２つの端部（５）を有する２つのアーム（４）が設けられている。 アーム（４）の端部（５）はそれぞれ移動ビーム（１）の２つの端部（２）に固定される。 各アーム（４）は、対応するアーム（４）の２つの端部（５）間に配置された中央部分（６）を有している。 各アーム（４）の中央部分（６）の後面はベース支持体（１０）に取り付けられている。 フレーム（３）は、ビームの応力状態を調整するための少なくとも１つの応力要素（１１）を備えている。 応力要素（１１）は、対応するアーム（４）の前面と後面との間に中心付けることができる。 フレーム（３）は、アーム（４）の前面および後面上に互いに対向するようにそれぞれ配置された前側および後側応力要素（１１）の対を備えることができる。

    Semi-conductor dynamic quantity sensor and its manufacturing method
    183.
    发明专利
    Semi-conductor dynamic quantity sensor and its manufacturing method 有权
    半导体动态数量传感器及其制造方法

    公开(公告)号：JP2006084326A

    公开(公告)日：2006-03-30

    申请号：JP2004269540

    申请日：2004-09-16

    Applicant: Denso Corp ,  株式会社デンソー

    Inventor： YOKOYAMA KENICHI

    IPC: G01C19/56 ,  G01C19/5762 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

    CPC classification number: B81C1/00952 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0167 ,  H01L31/18

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the lowering of yield due to mixing of foreign article in between a movable electrode and a silicon substrate in a capacity type angular velocity sensor formed with the movable electrode and its opposite fixed electrode on the silicon substrate without thickening an embedded oxide film which is sacrifice layer. SOLUTION: In the angular velocity sensor 100 formed with the movable electrodes 32, 40 and fixed electrodes 60, 70 and 80 on an SOI layer 12 layered by way of the embedded oxide film 13 on the silicone substrate 11, a compression stress layer 90 where a compression stress is generated on the surface of a detection beam lead 50 which is a connection between the movable electrode 25 and the silicone substrate 11 is formed. When the detection beam lead 50 is bent by the compression stress to the direction parting from the silicone substrate 11, the movable electrodes 32, 40 face with a shift from the fixed electrodes 60 to 80 in the state positioning in the direction parting from the silicon substrate 11. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题：为了抑制由在硅衬底上形成有可动电极及其相对的固定电极的容量型角速度传感器中的异物混入引起的可动电极和硅衬底之间的产率的降低 而不会增加作为牺牲层的嵌入氧化膜。 解决方案：在通过硅树脂基板11上的嵌入氧化膜13层叠的SOI层12上形成有可动电极32,40和固定电极60,70和80的角速度传感器100中， 形成在作为可动电极25和硅酮基板11之间的连接的检测光束引线50的表面上产生压缩应力的层90。 当检测光束引线50被压缩应力弯曲到与硅树脂基板11分开的方向时，可移动电极32,40在从硅分离的方向定位的状态下面对从固定电极60至80的偏移 底物11.版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

    LASER RESEAL INCLUDING STRESS COMPENSATION LAYER
    189.
    发明申请
    LASER RESEAL INCLUDING STRESS COMPENSATION LAYER 审中-公开

    公开(公告)号：US20170158492A1

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：US15355798

    申请日：2016-11-18

    Applicant: Robert Bosch GmbH

    Inventor： Achim Breitling ,  Frank Reichenbach ,  Jochen Reinmuth ,  Julia Amthor

    IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81B7/0051 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00325 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2203/0145

    Abstract: A method is described for manufacturing a micromechanical component including a substrate and including a cap, which is connected to the substrate and, together with the substrate, encloses a first cavity, a first pressure prevailing and a first gas mixture having a first chemical composition being enclosed in the first cavity. An access opening connecting the first cavity to surroundings of the micromechanical component is formed in the substrate or cap. The first pressure and/or the first chemical composition is adjusted in the first cavity. The access opening is sealed by introducing energy or heat into an absorbing part of the substrate or cap using a laser. A layer is deposited or grown on a surface of the substrate or the cap in the area of the access opening to produce a second mechanical stress, which counteracts a first mechanical stress occurring in the case of sealed access opening.

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