公开(公告)号：KR1020170039970A

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：KR1020150139234

申请日：2015-10-02

Applicant: 유비머트리얼즈주식회사

Inventor： 박진형

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 본발명은슬러리및 이를이용한기판연마방법에관한것으로서, 보다상세하게는반도체제조공정에서화학적기계적연마공정으로텅스텐의평탄화에이용될수 있는슬러리및 이를이용한기판연마방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른슬러리는텅스텐연마용슬러리로서, 연마를수행하는연마제; 텅스텐및 상기텅스텐과상이한물질사이의연마선택비를조절하는제1 선택비조절제; 및상기연마선택비를변화시키는제2 선택비조절제를포함한다. 또한, 슬러리는연마제를분산시키는분산제; 산화물을형성하는산화제; 및산화물형성을촉진하는촉매제를포함할수 있으며, 상기연마제의제타전위를조절하는전위조절제를더 포함할수도있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种浆料，并且使用基板抛光方法是相同的，并且更具体地涉及一种基板研磨方法使用可用于钨的化学机械抛光工艺在半导体制造过程中，它在平坦化的浆料。 根据本发明实施方式的浆料是用于钨抛光的浆料，其包含：用于进行抛光的研磨剂; 第一种选择性非调整剂，用于调整钨和不同于钨的材料之间的抛光选择性; 而第二种选择性非调节剂可改变抛光选择性。 此外，浆料可以包含用于分散研磨剂的分散剂; 氧化剂形成氧化物; 和用于促进氧化物形成的催化剂，并且可以进一步包含用于控制研磨剂的ζ电位的处理剂。

公开(公告)号：KR101409889B1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：KR1020130165582

申请日：2013-12-27

Applicant: 유비머트리얼즈주식회사

Inventor： 정승원

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/06 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3212

Abstract: The present invention relates to a polishing slurry for tungsten and a method for polishing a substrate using the same. The polishing slurry includes an abrasive having positive zeta-potential and includes a potential regulator which promotes oxidation of tungsten and regulates the zeta-potential of the abrasive. The potential regulator includes at least one from a group constituted by ferrous ammonium sulfate, tri-oxalato tocheol (III) potassium, acid ferric sodium, potassium ferricyanide, iron acetylacetonate, iron ammonium citrate, and iron ammonium oxalate.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于钨的抛光浆料以及使用该抛光浆料的抛光方法。 抛光浆料包括具有正ζ电位的研磨剂，并且包括促进钨的氧化并调节研磨剂的ζ电位的电位调节器。 电位调节剂包括由硫酸亚铁铵，三草酸钾（III）钾，酸性铁钠，铁氰化钾，乙酰丙酮铁，柠檬酸铁铵和草酸铁铵组成的组中的至少一种。

公开(公告)号：KR101405333B1

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：KR1020130109871

申请日：2013-09-12

Applicant: 유비머트리얼즈주식회사

Inventor： 정승원

IPC: C09K3/14 ,  B24D3/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/31053 ,  H01L27/115

Abstract: The present invention relates to abrasive particles, abrasive slurry, and a method for manufacturing a semiconductor device, wherein the abrasive particles include a plurality of secondary particles formed on the surface of base particles, the abrasive slurry is prepared by mixing the abrasive particles with a polishing accelerator and a pH adjusting agent, and the method polishes an insulating film using the abrasive slurry to expose a conductive film.

Abstract translation: 本发明涉及磨料颗粒，磨料浆料和半导体装置的制造方法，其中磨料颗粒包括形成在基础颗粒表面上的多个二次颗粒，磨料浆料是通过将磨料颗粒与 抛光促进剂和pH调节剂，并且该方法使用研磨浆料抛光绝缘膜以暴露导电膜。

公开(公告)号：KR101335946B1

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：KR1020110117872

申请日：2011-11-11

Applicant: 유비머트리얼즈주식회사

Inventor： 박재근 ,  박진형 ,  임재형 ,  조종영 ,  최호 ,  황희섭

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C23F1/30 ,  C09G1/02 ,  C23F3/06

Abstract: 본 발명은 연마제와 연마촉진체를 포함하는 텅스텐 연마용 CMP슬러리 조성물로서, 상기 연마제는 초순수에 분산된 콜로이드 실리카를 포함하며, 상기 연마촉진제는 과산화수소수, 암모늄퍼설페이트 및 질산철을 포함하며, 상기 슬러리 조성물은 슬러리 변색 문제가 발생하지 않으며, 식각 선택비가 우수하여 CMP 공정에 적용할 수 있다.

公开(公告)号：KR101741707B1

公开(公告)日：2017-05-30

申请号：KR1020150028173

申请日：2015-02-27

Applicant: 유비머트리얼즈주식회사

Inventor： 박진형

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 본발명은텅스텐연마용슬러리및 기판연마방법에관한것이다. 본발명실시형태에따른슬러리는연마를수행하고제타전위가플러스인입자를포함하는연마제, 상기연마제를분산시키는분산제, 상기텅스텐표면을산화시키는산화제, 상기텅스텐의산화를촉진시키는촉매제및 연마선택비를조절하고, 카복실기를함유하는유기산을포함하는선택비조절제를포함한다. 본발명실시형태의슬러리에따르면, 절연막의연마율을억제함으로써, 텅스텐과절연막의연마선택비를향상시킬수 있다.

Abstract translation: 钨抛光用浆料及基板抛光方法技术领域 根据本发明实施例中的淤浆进行脱除和催化剂和选择用于与ζ电位是加含磨料颗粒的磨料，对于磨料分散分散剂，对于钨表面的氧化的氧化剂，促进钨比例的氧化 和包含含有羧基的有机酸的非选择性试剂。 根据本发明实施例中的淤浆，通过抑制绝缘膜的研磨速度，可以提高钨的抛光选择性和绝缘膜。

公开(公告)号：KR101733163B1

公开(公告)日：2017-05-08

申请号：KR1020150145640

申请日：2015-10-19

Applicant: 유비머트리얼즈주식회사

Inventor： 박진형

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 본발명은슬러리및 이를이용한기판연마방법에관한것으로서, 보다상세하게는반도체제조공정에서화학적기계적연마공정으로산화물을포함하는구조물을평탄하게연마할수 있는슬러리및 이를이용한기판연마방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른슬러리는연마용슬러리로서, 연마를수행하는연마제; 산화물및 상기산화물과상이한물질사이의연마선택비를조절하는선택비조절제; 및슬러리의 pH를조절하여상기연마선택비를변화시키는 pH 조절제를포함하고, 상기선택비조절제및 pH 조절제에의하여상기산화물대 상기산화물과상이한물질의연마선택비는 1.2:1 내지 3.5:1의범위로유지된다. 또한, 슬러리는연마제를분산시키는분산제를포함할수 있으며, 상기연마제의분산을균일하게유지하는분산안정제를더 포함할수 있다.

公开(公告)号：KR101733162B1

公开(公告)日：2017-05-08

申请号：KR1020150038930

申请日：2015-03-20

Applicant: 유비머트리얼즈주식회사

Inventor： 박진형

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/3212

Abstract: 본발명은코발트연마용슬러리및 기판연마방법에관한것이다. 본발명실시형태에따른슬러리는연마를수행하고산화지르코늄입자를포함하는연마제, 상기연마제를분산시키는분산제, 및연마를촉진시키는연마촉진제;를포함하고, 상기연마촉진제는아민기와카르복실기를함유하는유기산을포함한다. 본발명실시형태의슬러리에따르면, 산화제를사용하지않고도, 코발트의연마율을증가시키고, 코발트표면의국소적부식결함을억제할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170045672A

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：KR1020150145640

申请日：2015-10-19

Applicant: 유비머트리얼즈주식회사

Inventor： 박진형

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 본발명은슬러리및 이를이용한기판연마방법에관한것으로서, 보다상세하게는반도체제조공정에서화학적기계적연마공정으로산화물을포함하는구조물을평탄하게연마할수 있는슬러리및 이를이용한기판연마방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른슬러리는연마용슬러리로서, 연마를수행하는연마제; 산화물및 상기산화물과상이한물질사이의연마선택비를조절하는선택비조절제; 및슬러리의 pH를조절하여상기연마선택비를변화시키는 pH 조절제를포함하고, 상기선택비조절제및 pH 조절제에의하여상기산화물대 상기산화물과상이한물질의연마선택비는 1.2:1 내지 3.5:1의범위로유지된다. 또한, 슬러리는연마제를분산시키는분산제를포함할수 있으며, 상기연마제의분산을균일하게유지하는분산안정제를더 포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种浆料，并且使用基板抛光方法是相同的，并且更具体地，是平坦地研磨结构浆料和基片使用相同的，其包括用在半导体制造过程中的化学机械抛光工艺的氧化物的抛光方法。 本发明的实施方式的浆料是研磨剂，其是用于进行研磨的研磨剂; 一种选择性非调节剂，用于控制氧化物和不同于氧化物的材料之间的抛光选择性; 和调节所述浆液的pH值，包括pH调节剂以改变抛光选择性，并且研磨所述选择性控制剂的选择，并且通过pH调节剂和不同的材料比所述氧化物到氧化物为1.2：1〜3.5：1的范围内 Lt。 另外，浆料可以包括分散研磨剂的分散剂，并且可以进一步包括均匀地保持研磨剂分散的分散稳定剂。

公开(公告)号：KR101693278B1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：KR1020150136756

申请日：2015-09-25

Applicant: 유비머트리얼즈주식회사

Inventor： 박진형

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/461 ,  H01L21/302 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은슬러리및 이를이용한기판연마방법에관한것으로서, 보다상세하게는반도체제조공정에서화학적기계적연마공정으로산화물의평탄화에이용될수 있는슬러리및 이를이용한기판연마방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른슬러리는산화물연마용슬러리로서, 연마를수행하는연마제및 상기산화물과상이한제1 물질의연마를억제하는제1 연마억제제를포함하는제1 슬러리; 및상기산화물의연마를촉진하는연마촉진제를포함하는제2 슬러리를포함한다. 여기서, 제1 슬러리는상기연마제를분산시키는분산제를포함할수 있으며, 상기연마제의분산을균일하게유지하는분산안정제를더 포함할수 있다. 또한, 제2 슬러리는상기산화물과상이한제2 물질의연마를억제하는제2 연마억제제를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160105033A

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：KR1020150028173

申请日：2015-02-27

Applicant: 유비머트리얼즈주식회사

Inventor： 박진형

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/30625

Abstract: 본발명은텅스텐연마용슬러리및 기판연마방법에관한것이다. 본발명실시형태에따른슬러리는연마를수행하고제타전위가플러스인입자를포함하는연마제, 상기연마제를분산시키는분산제, 상기텅스텐표면을산화시키는산화제, 상기텅스텐의산화를촉진시키는촉매제및 연마선택비를조절하고, 카복실기를함유하는유기산을포함하는선택비조절제를포함한다. 본발명실시형태의슬러리에따르면, 절연막의연마율을억제함으로써, 텅스텐과절연막의연마선택비를향상시킬수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及用于抛光钨的浆料以及基板研磨方法。 根据本发明的一个实施方案，浆料包括：抛光剂，其包括具有正ζ电位并进行抛光的颗粒; 分散剂的分散剂; 氧化钨表面的氧化剂; 促进钨的氧化的催化剂; 以及调节抛光选择性的选择性调节剂，包括含有羧基的有机酸。 根据本发明的一个实施方案，浆料通过抑制绝缘层的抛光速率来提高钨和绝缘层的抛光选择性。